公开(公告)号：CN103733314A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280039229.5

申请日：2012-08-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大叶茂 ,  川俣孝男

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/005 ,  B24B37/044 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明是一种硅晶片的研磨方法，该研磨方法一边将存储于槽（12）内的研磨剂向粘贴于平台（2、3）上的砂布（4）供给一边使硅晶片（W）与上述砂布滑动接触而进行研磨，并将上述所供给的研磨剂回收至上述槽内而使其循环，上述硅晶片的研磨方法其特征在于，具有一边将上述槽内的研磨剂中所含的硅酸离子的浓度调整为规定范围内的浓度一边研磨上述硅晶片的工序。由此，本发明提供一种研磨剂及硅晶片的研磨方法，上述研磨剂能够将高研磨速度在各批次间保持一定，上述硅晶片的研磨方法使用上述研磨剂而能够高精度地控制所期望的研磨余量或加工完成厚度。

公开(公告)号：CN103733314B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280039229.5

申请日：2012-08-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大叶茂 ,  川俣孝男

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/005 ,  B24B37/044 ,  B24B37/08 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明是一种硅晶片的研磨方法，该研磨方法一边将存储于槽（12）内的研磨剂向粘贴于平台（2、3）上的砂布（4）供给一边使硅晶片（W）与上述砂布滑动接触而进行研磨，并将上述所供给的研磨剂回收至上述槽内而使其循环，上述硅晶片的研磨方法其特征在于，具有一边将上述槽内的研磨剂中所含的硅酸离子的浓度调整为规定范围内的浓度一边研磨上述硅晶片的工序。由此，本发明提供一种研磨剂及硅晶片的研磨方法，上述研磨剂能够将高研磨速度在各批次间保持一定，上述硅晶片的研磨方法使用上述研磨剂而能够高精度地控制所期望的研磨余量或加工完成厚度。