公开(公告)号：CN108702141A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780006333.7

申请日：2017-01-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  H01L21/86 ,  H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。

公开(公告)号：CN105448976A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510992401.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 ,  深圳市华讯方舟科技有限公司

Inventor： 毕小斌 ,  姚建可 ,  丁庆

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335 ,  H01L21/86

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/86 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/454 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法，所述增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)包括：衬底；非故意掺杂的GaN(i-GaN)层，所述i-GaN层位于衬底之上，并且所述i-GaN层的左部表面和右部表面各嵌入一层p型掺杂的GaN(p-GaN)层，但所述i-GaN层的中部表面未嵌入p-GaN层。本发明公开的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，其无需进行凹栅刻蚀，因此制造工艺的可重复性较高，制造出的器件稳定性也较好。

公开(公告)号：CN104617006A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410783675.8

申请日：2014-12-18

Applicant: 盛鑫

Inventor： 盛鑫

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种测试用蓝宝石衬底，包括一测试晶圆本体和一保护层，所述保护层设置于所述测试用蓝宝石衬底本体的背面。本发明的测试用蓝宝石衬底，通过在测试用蓝宝石衬底本体的背面增设一层保护层，使得所述保护层可以作为测试用蓝宝石衬底的背面，该保护层可以有效阻止酸性溶液侵蚀测试用蓝宝石衬底的背面，防止测试用蓝宝石衬底的背面出现凹凸不平的现象，从而，有效延长测试用蓝宝石衬底的使用寿命。

公开(公告)号：CN101669200A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880008505.5

申请日：2008-01-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 沃纳·云林

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/84 ,  H01L21/86 ,  H01L27/10876

Abstract: 本发明揭示具有垂直存取装置的半导体存储器装置。在一些实施例中，一种形成所述装置的方法包含在半导体衬底(12)中提供凹座(50)，其包含一对相对的侧壁(73、75)和在所述相对的侧壁之间延伸的底面(48)。可在所述凹座的所述侧壁和所述底面上沉积介电层(62)。可在所述介电层上形成导电薄膜(64)，且对其进行处理以选择性地从所述凹座的所述底面移除所述薄膜，并从所述相对的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN1653557A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03811085.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C22C5/08 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  G02F2001/136295 ,  H01B1/02 ,  H01B1/026 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/86 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用了Ag合金(或Cu合金)的布线材料，所述合金是以Ag(或Cu)为主成分的合金(Ag合金(或Cu合金))，是实现改善了与玻璃衬底或硅膜的粘附性的合金。首先，使用以Ag、Zr为必需成分，还含有选自Au、Ni、Co或Al的1种或2种以上的金属的Ag合金作为TFT－LCD等的布线材料。其次，提出由Au和/或Co及Cu组成的Cu合金作为布线材料的方式，所述Cu合金的特征是，Cu的组成比率是80～99。5重量％，Au的组成比率与Co的组成比率之和是0.5～20重量％。采用溅射法在玻璃衬底或硅晶片上将这种构成的布线材料成膜，结果观察到电阻十分低、且具有与衬底的高粘附强度。

公开(公告)号：CN1197295A

公开(公告)日：1998-10-28

申请号：CN97121543.X

申请日：1997-10-29

Applicant: LG半导体株式会社

Inventor： 朱宰一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/86

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/86

Abstract: CMOSFET及其制造方法。CMOSFET包括:绝缘衬底;第一导电型第一半导体层和第二导电型第二半导体层,在绝缘衬底上由中心和两侧限定互相间隔预定距离;第二导电型第三半导体层,从第一导电型第一半导体层边伸到第二导电型第二半导体层预定长度;第一导电型第四半导体层,从第二导电型第二半导体层边伸到对称第二导电型第三半导体层预定长度;绝缘层,在第一第二第三和第四半导体层表面上;栅电极,在第一第二半导体层中心,第一第二第三及第四半导体层间。

公开(公告)号：CN107195586A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710287542.5

申请日：2017-04-27

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 何苗 ,  王志成 ,  丛海云 ,  郑树文

IPC: H01L21/86 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0673 ,  H01L31/035227

Abstract: 本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂，并引出金属铂连接至另一个方形电极。本发明通过在衬底上直接生长水平GaN纳米线，其与衬底粘结性强，同时将纳米线结构紫外探测器和纳米线场效应管集成在一起，无需转移纳米线，不仅增强器件性能稳定性，同时减少材料缺陷，缩小器件尺寸，提高应用范围。本发明作为一种GaN水平纳米线电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。

公开(公告)号：CN105405811A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510795423.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司

Inventor： 魏臻 ,  孙智江 ,  贾辰宇

IPC: H01L21/86 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/31127

Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底制作工艺，所述制作工艺包括一次清洗、匀胶、烘烤、冷却、制作图形化衬底、人工目检、刻蚀、二次清洗和自动检测等步骤，清洗过程中用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在20±1℃，冲洗持续8～12min。本发明的优点在于：通过在进行蓝宝石衬底的图形化处理前对采用的平片衬底进行预清洗，以及图形化刻蚀过程中的二次清洗，严格控制清洗温度和PH值，确保经过清洗后的衬底不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在人工目检过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本发明的方法可将良品率提高5%左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。

公开(公告)号：CN102687272A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059990.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78657

Abstract: 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×108Pa或更小。

公开(公告)号：CN100483722C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510108727.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 中村稔之 ,  町田哲志 ,  矢部幸子 ,  田口隆

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/86

Abstract: 本发明的目的在于，在使用了具有薄膜化超前的光反射膜的SOS晶片的半导体装置中，提供0.5μm以下的光反射膜，同时，在光反射膜中使用氧化硅的情况下，提供具有难于通过氢氟酸溶解的光反射膜的半导体装置的制造方法。本发明提供的半导体装置包括：具有透射光的绝缘性衬底，并具有上表面及与该上表面对置的下表面的第1衬底；设置在第1衬底的下表面上，对光进行反射的第1光反射膜；设置在第1光反射膜上，对光进行反射的第2光反射膜；设置在第2光反射膜上，对光进行反射的第3光反射膜。此外，本发明提供的半导体装置的制造方法的特征在于：准备第1衬底，在第1衬底的下表面上形成第1光反射膜，加热设置在第1光反射膜上的第2光反射膜，在加热的第2光反射膜上形成第3光反射膜。