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公开(公告)号：CN118712287A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410023039.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体及其制造方法和电子器件的制造方法，使包含功能部的转印的工艺变得容易。电子结构体(1)的制造方法具有如下步骤：使用具有基板(10)、形成在基板(10)上的第1牺牲层(11)以及形成在第1牺牲层(11)上的功能部(12)的层叠基板，形成从基板(10)延伸到功能部(12)的第2牺牲层(13)；形成从基板(10)延伸到第2牺牲层(13)的被覆层(14)；以及去除第1牺牲层(11)和第2牺牲层(13)。
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公开(公告)号：CN118092107A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311481414.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 浦部智也
IPC: G03G21/16
Abstract: 图像形成装置，能够以简单的结构使用户容易地识别出带单元的误安装。图像形成装置(1)具有：装置主体(100)；定影单元(40)，其能够在第1方向上安装于装置主体(100)；以及作为带单元的转印单元(20)，其能够在与第1方向交叉的第2方向上安装于装置主体(100)内的安装位置。转印单元(20)具有作为限制部的突起(31a)，该突起(31a)在转印单元(20)位于与安装位置不同的第1非正常位置的情况下，限制定影单元(40)的安装。
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公开(公告)号：CN108983563B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810488259.3
申请日：2018-05-21
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 桑原秀治
Abstract: 本发明涉及调色剂、显影剂容器、图像形成单元和图像形成装置。提供的是能够向形成在记录介质上的图像赋予高光辉性同时抑制雾化的发生的调色剂、以及包括该调色剂的显影剂容器、图像形成单元和图像形成装置。该调色剂包括调色剂颗粒（1）。调色剂颗粒（1）包括至少一个光辉颜料颗粒（2）、包含光辉颜料颗粒（2）的粘合剂树脂（4）、和分散在粘合剂树脂（4）中的脱模剂3）。光辉颜料颗粒（2）的疏水度在从61.2至92.7的范围内。
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公开(公告)号：CN117293246A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310521890.X
申请日：2023-05-10
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器，提高位置精度。LED显示器装置(1)设置有：基底层(26R)，其具有绝缘性；多个薄膜LED(30R)，它们形成于基底层上表面(26RS1)；阴极盘(41cR)和阳极盘(44aG1、44aR、44aB1)，它们与薄膜LED(30R)连接；以及通气槽(50R)，其设置于与基底层上表面(26RS1)相反一侧的面即基底层下表面(26RS2)，通气槽(50R)形成于基底层(26R)的在从与上表面垂直的发光方向(De)观察时不与薄膜LED(30R)重叠的区域。
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公开(公告)号：CN116896975A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310206923.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 冲电气工业株式会社 , 日商爱伯压电对策股份有限公司
Abstract: 压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116896971A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310206520.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
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公开(公告)号：CN109541905B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810947310.2
申请日：2018-08-20
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 广井全和
IPC: G03G15/00
Abstract: 公开了图像形成装置。提供的是一种能够改善图像的质量并且抑制与介质的卡塞的发生的图像形成装置。图像形成装置1包括由处理单元（图像形成部）10所形成的图像被一次转印到其上的中间转印带（中间转印体）21、将图像二次转印到介质8的二次转印部25、将介质8传送到二次转印部25的传送辊（传送部）30、检测介质8的IN传感器（第一检测部）31、以及在介质传送方向上布置在IN传感器31的下游的WR传感器（第二检测部）32。主控制部（控制部）100基于由IN传感器31检测到介质8的定时和在该时间点处中间转印带21上的图像的位置而将介质8的传送速度改变为第一传送速度（第一速度）Vs，并且基于由WR传感器32检测到介质8的定时和在该时间点处中间转印带21上的图像的位置而将介质8的传送速度改变为第二传送速度（第二速度）Vf。
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公开(公告)号：CN115835732A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210950578.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H10K59/50
Abstract: 半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。
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公开(公告)号：CN115732530A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210942482.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
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