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公开(公告)号：CN116896976A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310217695.8
申请日：2023-03-03
Applicant: 冲电气工业株式会社 , 日商爱伯压电对策股份有限公司
Abstract: 压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件具有：基板(33)；第1电极(34a)，其设置于基板(33)上；第2电极(34b)，其设置于基板(33)上；作为第1单晶压电膜(15)的单晶PZT膜，其设置于第1电极(34a)上；作为第2单晶压电膜(25)的单晶AlN膜，其设置于第2电极(34b)上，具有与第1单晶压电膜(15)的晶体构造不同的晶体构造；第3电极(16)，其设置于第1单晶压电膜(15)上；以及第4电极(26)，其设置于第2单晶压电膜(25)上。
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公开(公告)号：CN116896975A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310206923.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 冲电气工业株式会社 , 日商爱伯压电对策股份有限公司
Abstract: 压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
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公开(公告)号：CN118830346A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380026069.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 日商爱伯压电对策股份有限公司
IPC: H10N30/079 , H03H9/25 , H10N30/045 , H10N30/06 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 膜构造体(10)具有：Si层(12a)；ZrO2层(12b)，是包含形成于Si层(12a)上的ZrO2的缓冲膜；和压电体膜(11)，形成于ZrO2层(12b)上，Si层(12a)是Si基板、或者包含由Si基板构成的基体、基体上的绝缘层、和绝缘层上的由Si膜构成的SOI层的SOI基板中的SOI层，压电体膜(11)的极化方向优先取向为与基板垂直。
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公开(公告)号：CN118120355A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202180103354.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 日商爱伯压电对策股份有限公司
IPC: H10N30/853 , H10N30/87 , H10N30/06 , H10N30/076
Abstract: 通过本发明，可提供：膜结构体(10)，其依次具有基板(1)、包含氧化锆的膜(2)、牺牲层(3)及压电膜(4)，上述基板、上述包含氧化锆的膜、上述牺牲层及上述压电膜分别进行了单晶化，能将上述牺牲层选择性地除去；上述膜结构体的制造方法；以及，上述膜结构体的制造装置。
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公开(公告)号：CN117461405A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180087656.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 日商爱伯压电对策股份有限公司
IPC: H10N30/80 , H03H9/17 , H10N30/20 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 膜构造体(10)具有：基板，为Si基板或SOI基板；缓冲膜，形成于基板上的包含ZrO2；和压电体膜(11)，形成于缓冲膜上，压电体膜(11)的极化方向优先取向为与基板平行。
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