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公开(公告)号：CN117461405A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180087656.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 日商爱伯压电对策股份有限公司
IPC: H10N30/80 , H03H9/17 , H10N30/20 , H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 膜构造体(10)具有：基板，为Si基板或SOI基板；缓冲膜，形成于基板上的包含ZrO2；和压电体膜(11)，形成于缓冲膜上，压电体膜(11)的极化方向优先取向为与基板平行。
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