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公开(公告)号：CN117954536A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311043042.9
申请日：2023-08-17
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/304
Abstract: 半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板，其目的在于减小在研磨时施加给半导体层的负荷。半导体元件的制造方法具有以下步骤：形成步骤，在蓝宝石基板(11)上形成多个岛，该多个岛分别包含含有氮化物半导体的半导体层(12)和形成于该半导体层(12)上的支承体(13)；接合步骤，将支承体(13)隔着粘接部件(14)与保持基板(15)接合；剥离步骤，对半导体层(12)照射激光，将半导体层(12)从蓝宝石基板(11)剥离；以及研磨步骤，对半导体层(12)的从蓝宝石基板(11)分离的表面(12s)进行研磨。
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公开(公告)号：CN117954535A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311036694.X
申请日：2023-08-17
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/304
Abstract: 半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。在研磨步骤中，能够准确地控制半导体层的精加工厚度。半导体元件的制造方法具有以下步骤：在蓝宝石基板(11)上形成具有蓝宝石基板侧的第1面(12s)及其相反侧的第2面(12t)的多个半导体层(12)的步骤；接合步骤，将多个半导体层的第2面隔着粘接部件(14)与保持部件(15)接合；剥离步骤，对多个半导体层的第1面照射激光，将多个半导体层从蓝宝石基剥离；以及研磨步骤，对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部(12h)。在研磨步骤中进行研磨，直到研磨用标记部在研磨面露出为止。
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公开(公告)号：CN116137308A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211372810.0
申请日：2022-11-03
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体和复合膜的制造方法，能够提高复合膜的生产性。在电子结构体(1)中，利用无机材料构成形成基板(10)和支承层(11)，另一方面，利用有机材料构成复合膜(2)的基底膜(12)和覆盖层(17)，将支承层(11)的外形形成得比基底膜(12)的外形小。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜背面(2B)与支承层正面(11A)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离和向布线基板(90)的安装。
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公开(公告)号：CN114512502A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111208125.X
申请日：2021-10-18
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
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公开(公告)号：CN117293246A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310521890.X
申请日：2023-05-10
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 半导体装置、半导体装置制造方法和LED显示器，提高位置精度。LED显示器装置(1)设置有：基底层(26R)，其具有绝缘性；多个薄膜LED(30R)，它们形成于基底层上表面(26RS1)；阴极盘(41cR)和阳极盘(44aG1、44aR、44aB1)，它们与薄膜LED(30R)连接；以及通气槽(50R)，其设置于与基底层上表面(26RS1)相反一侧的面即基底层下表面(26RS2)，通气槽(50R)形成于基底层(26R)的在从与上表面垂直的发光方向(De)观察时不与薄膜LED(30R)重叠的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115732530A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210942482.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
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公开(公告)号：CN116647986A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310121302.3
申请日：2023-02-03
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
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公开(公告)号：CN111384215B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910992624.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/30 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置。发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置。第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。
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公开(公告)号：CN118263274A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311477977.8
申请日：2023-11-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置，能够提高发光特性。LED显示器装置(1)在LED显示器显示部(2)中依次层叠蓝色的发光元件(21B)、绿色的发光元件(21G)以及红色的发光元件(21R)，并且在各像素部(8)中将红色的发光区域(24R)形成得比蓝色的发光区域(24B)和绿色的发光区域(24G)大。因此，LED显示器装置(1)能够在使像素部(8)极小的同时，将从发光面(8S)放射的红色光的光量提高到不逊色于蓝色和绿色的程度。由此，LED显示器装置(1)在LED显示器显示部(2)的各像素部(8)中对于蓝色、绿色以及红色的任意一个均能够得到充分的亮度，作为显示区域(2A)整体能够显示高精细且高品质的图像。
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公开(公告)号：CN115132714A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111486438.1
申请日：2021-12-07
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: 半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
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