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公开(公告)号：CN105405811B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510795423.1
申请日：2015-11-18
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
IPC: H01L21/86 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底制作工艺，所述制作工艺包括一次清洗、匀胶、烘烤、冷却、制作图形化衬底、人工目检、刻蚀、二次清洗和自动检测等步骤，清洗过程中用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在20±1℃，冲洗持续8～12min。本发明的优点在于：通过在进行蓝宝石衬底的图形化处理前对采用的平片衬底进行预清洗，以及图形化刻蚀过程中的二次清洗，严格控制清洗温度和PH值，确保经过清洗后的衬底不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在人工目检过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本发明的方法可将良品率提高5%左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。
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公开(公告)号：CN105609439A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610104163.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
CPC classification number: H01L24/02 , B23K37/00 , B23K37/04 , H01L24/03 , H01L24/741 , H01L2224/02 , H01L2224/03 , H01L2224/741
Abstract: 本发明涉及一种CSP共晶焊接方法，该封装方法包括点共晶焊锡、固晶、共晶、点胶和测试包装五个工序，所述共晶工序通过控制压合装置同时下压芯粒，以达到芯粒共晶。本发明的优点在于：本发明CSP共晶焊接方法，采用共晶方式，并通过压合装置同时将芯粒与COB基板压紧，从而大大降低了芯粒共晶时间；同时，通过压合装置进行压合及阶段性施压，进一步保证了芯粒共晶精度，从而提高了CSP成品的性能。
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公开(公告)号：CN105405811A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510795423.1
申请日：2015-11-18
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
IPC: H01L21/86 , H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/86 , H01L21/02041 , H01L21/31127
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底制作工艺，所述制作工艺包括一次清洗、匀胶、烘烤、冷却、制作图形化衬底、人工目检、刻蚀、二次清洗和自动检测等步骤，清洗过程中用水作为冲洗液进行冲洗，在冲洗时，控制冲洗液的PH值在6.5～7.5之间，冲洗液温度在20±1℃，冲洗持续8～12min。本发明的优点在于：通过在进行蓝宝石衬底的图形化处理前对采用的平片衬底进行预清洗，以及图形化刻蚀过程中的二次清洗，严格控制清洗温度和PH值，确保经过清洗后的衬底不会影响后续的上胶处理，降低掉胶率，以便在人工目检过程中尽量发现问题，避免漏检流入下道工序后影响合格率，采用本发明的方法可将良品率提高5%左右，大大降低了资源的浪费和生产成本。
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公开(公告)号：CN105609439B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610104163.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种CSP共晶焊接方法，该封装方法包括点共晶焊锡、固晶、共晶、点胶和测试包装五个工序，所述共晶工序通过控制压合装置同时下压芯粒，以达到芯粒共晶。本发明的优点在于：本发明CSP共晶焊接方法，采用共晶方式，并通过压合装置同时将芯粒与COB基板压紧，从而大大降低了芯粒共晶时间；同时，通过压合装置进行压合及阶段性施压，进一步保证了芯粒共晶精度，从而提高了CSP成品的性能。
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公开(公告)号：CN105280765B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510795598.2
申请日：2015-11-18
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于图形化蓝宝石衬底的LED芯片去腊工艺，其特征在于所述步骤为：对吸附有石蜡的蓝宝石衬底芯片进行加热；然后依次在去腊液A和去腊液B中浸泡，再分别置于丙酮、异丙醇中超声清洗，最后烘干。本发明的优点在于：本发明中首先采用去腊液进行去腊处理，再依次通过丙酮与异丙醇进行二次超声清洗，并合理的控制作为清洗液的丙酮、异丙醇温度以及相对的超声功率，进而实现无水清洗，且清洗效果好，无残留。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105449054B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201510776281.4
申请日：2015-11-11
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的精确定位方法，包括如下步骤：S1：由分选机将切割后的LED芯片按照测试后的测试结果图粗排列在具有粘性的UV膜上形成阵列；S2：将预制的网形定位治具覆盖在UV膜上，以使得排列的LED芯片进入网形定位治具的四边形的单元格内；S3：采用UV灯照射使得UV膜失去粘性，以使得进入网形定位治具的单元格内的LED芯片被释放；S4：将网形定位治具在UV膜上整体朝向X方向和Y方向移动一定距离，以使得每个单元格内的LED芯片紧贴在四边形的角落位置；S5：在网形定位治具的表面覆盖具有粘性的薄膜，以使LED芯片精确地粘附转移至该薄膜上用于后续制程。
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公开(公告)号：CN105575858A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610103728.6
申请日：2016-02-26
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
CPC classification number: H01L21/67126 , B23K37/04
Abstract: 本发明涉及一种用于CSP共晶焊接的压合装置，所述压合装置包括一压板，且在所述压板的下表面均匀分布有垂直向下的T型探针；所述压板上均匀分布有若干个与T型探针一一对应的圆孔，在所述圆孔内设有横截面为T型的套筒，且套筒的内腔开有一贯穿的通孔；在所述套筒的上端设有调节装置，下端设有T型探针，且在所述调节装置和T型探针之间连有缓冲弹簧；在所述套筒的底端还连有一限位套。本发明的优点在于：本发明用于CSP共晶焊接的压合装置，既保证了芯片共晶精度，也保证了CSP成品的合格率，进而提高了CSP成品的性能。
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公开(公告)号：CN105449054A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510776281.4
申请日：2015-11-11
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的精确定位方法，包括如下步骤：S1：由分选机将切割后的LED芯片按照测试后的测试结果图粗排列在具有粘性的UV膜上形成阵列；S2：将预制的网形定位治具覆盖在UV膜上，以使得排列的LED芯片进入网形定位治具的四边形的单元格内；S3：采用UV灯照射使得UV膜失去粘性，以使得进入网形定位治具的单元格内的LED芯片被释放；S4：将网形定位治具在UV膜上整体朝向X方向和Y方向移动一定距离，以使得每个单元格内的LED芯片紧贴在四边形的角落位置；S5：在网形定位治具的表面覆盖具有粘性的薄膜，以使LED芯片精确地粘附转移至该薄膜上用于后续制程。
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公开(公告)号：CN105280765A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510795598.2
申请日：2015-11-18
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/02057 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及一种基于图形化蓝宝石衬底的LED芯片去腊工艺，其特征在于所述步骤为：对吸附有石蜡的蓝宝石衬底芯片进行加热；然后依次在去腊液A和去腊液B中浸泡，再分别置于丙酮、异丙醇中超声清洗，最后烘干。本发明的优点在于：本发明中首先采用去腊液进行去腊处理，再依次通过丙酮与异丙醇进行二次超声清洗，并合理的控制作为清洗液的丙酮、异丙醇温度以及相对的超声功率，进而实现无水清洗，且清洗效果好，无残留。
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公开(公告)号：CN105280666A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510796126.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 海迪科(南通)光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种集成阵列式汽车大灯LED芯片，包括IC印刷电路基板和单晶片，IC印刷电路基板划分为左转区、上远光区、下近光区和右转区，各区域分别具有一个独立的且可与多个单颗芯粒连接实现串联的区域串联电路；单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子阱层、外延P型GaN层、ITO导电层、银反射镜层、P电极和N电极，且单晶片上刻蚀有若干道将单晶片分隔成若干个独立的单颗芯粒的隔离槽；所述单晶片倒装在IC印刷电路基板表面。本发明的优点在于：本发明中的结构在进行印刷电路与芯粒的贴合时无需裂片，效率高且不易错位，良品率得到大幅提升，用户在后期使用维护中可直接整个更换，维护更加方便快捷。
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