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公开(公告)号：CN107195533B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710333926.6
申请日：2017-05-12
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线交叉结；然后经过王水处理、光刻和退火处理形成欧姆接触。本发明通过在蒸镀有金属薄膜的一面与石墨盘之间设置一定间隙，保证气流通常，同时能控制生成的水平GaN纳米线交叉结与衬底紧密相连，无需进行转移，增强器件性能稳定性，并且在后续制作过程中只需要使用普通光刻，制备成本低。本发明作为一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106981551A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710228830.3
申请日：2017-04-10
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片电极结构及其制作方法，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述LED芯片电极结构包括：所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极，所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。本发明使得LED芯片使电流分布更加均匀，不会出现局部过热情况，使LED芯片可以通过更大的电流，增加LED芯片的功率，也增加了LED芯片的使用寿命，可广泛应用于LED行业中。
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公开(公告)号：CN106848012A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710069331.4
申请日：2017-02-08
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/04
Abstract: 本发明公开了一种LED外延片结构，包括从下至上依次设置的第二衬底、第四本征半导体层、第二N型GaN层、第二P型GaN层、第五本征半导体层、第二量子阱层、第六本征半导体层以及第三N型GaN层。本发明的LED外延片结构将P型GaN层置于外延片的内部，并且使其与设置在其下方的N型GaN层的界面形成隧道结，这样则能避免金属电极和P型GaN层的接触，解决电极材料与P型电导层之间的接触匹配问题，提高了光电转换效率。本发明作为一种LED外延片结构可广泛应用于半导体电子器件领域中。
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公开(公告)号：CN107195586B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710287542.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L21/86 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂，并引出金属铂连接至另一个方形电极。本发明通过在衬底上直接生长水平GaN纳米线，其与衬底粘结性强，同时将纳米线结构紫外探测器和纳米线场效应管集成在一起，无需转移纳米线，不仅增强器件性能稳定性，同时减少材料缺陷，缩小器件尺寸，提高应用范围。本发明作为一种GaN水平纳米线电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。
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公开(公告)号：CN107195586A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710287542.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L21/86 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L21/86 , H01L27/12 , H01L29/0673 , H01L31/035227
Abstract: 本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂，并引出金属铂连接至另一个方形电极。本发明通过在衬底上直接生长水平GaN纳米线，其与衬底粘结性强，同时将纳米线结构紫外探测器和纳米线场效应管集成在一起，无需转移纳米线，不仅增强器件性能稳定性，同时减少材料缺陷，缩小器件尺寸，提高应用范围。本发明作为一种GaN水平纳米线电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。
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公开(公告)号：CN107195533A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710333926.6
申请日：2017-05-12
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0242 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02661
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线交叉结；然后经过王水处理、光刻和退火处理形成欧姆接触。本发明通过在蒸镀有金属薄膜的一面与石墨盘之间设置一定间隙，保证气流通常，同时能控制生成的水平GaN纳米线交叉结与衬底紧密相连，无需进行转移，增强器件性能稳定性，并且在后续制作过程中只需要使用普通光刻，制备成本低。本发明作为一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。
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