公开(公告)号：CN108368637A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680061755.X

申请日：2016-08-18

Applicant: 太阳能爱迪生半导体有限公司 ,  达维克国际有限公司

Inventor： S·M·尹 ,  S·S·朴 ,  J·H·智 ,  W-J·崔 ,  U·郑 ,  Y·J·李 ,  T·S·具 ,  S-J·金

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/02 ,  B64G1/10 ,  B64G1/58 ,  B64G1/648 ,  B64G2001/1092 ,  B66D1/12 ,  C30B15/20 ,  C30B15/32 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C30B35/005 ,  G01P15/18 ,  G01S11/02 ,  G01S19/13

Abstract: 本发明涉及一种进给组件，其为用于由熔体生长晶锭的生长室供给多晶硅。一种示例性系统包括壳体，该壳体具有用于接纳颗粒托盘和块体托盘中的一者的支承轨道，和位于支承轨道上方以选择性地进给颗粒托盘和块体托盘中的一者的进料储器。还公开了一种阀机构和脉冲振动器。

公开(公告)号：CN105829587B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201480070054.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 爱思开矽得荣株式会社

Inventor： 金成赫 ,  罗光夏 ,  张现洙

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/26 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06

Abstract: 一种用于观察晶锭生长过程的视见部件，根据实施方式，所述视见部件用于观察腔室的内部，所述腔室提供了进行晶锭生长过程的空间，所述视见部件包括：主体部，所述主体部布置在所述腔室的一侧，并且具有与所述腔室的内部相连的孔；窗口，所述窗口插入所述主体部的孔中以维持所述腔室的密封状态，并且使光从所述腔室的内部透过所述窗口；以及窗口吹扫部，安装在所述主体部的侧表面上来形成空气幕以防止外部空气进入所述窗口。根据实施方式，所提出的视见部件具有的优点是：不仅防止玻璃的污染还能对污染的玻璃进行自清洁。因此，通过所述视见部件能够清楚地观察在所述腔室的内部生长的晶锭，并且因此基于准确观察的过程数据来确定过程条件，从而生产高质量的晶锭。

公开(公告)号：CN107881552A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711446141.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 河北宁通电子材料有限公司

Inventor： 刘彬国 ,  李德建 ,  李红友 ,  杨伟强 ,  黄旭光 ,  李朝阳

IPC: C30B15/12 ,  C30B15/16 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/12 ,  C30B15/16 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种用于单晶硅的高效生产设备，该生产设备包括单晶炉及用于单晶炉的加热系统，单晶炉内部设置有用于承载硅液的石英坩埚，加热系统包括微波发生装置和微波传输机构，微波传输机构为带有防微波抽真空回路的不锈钢管道，微波发生装置的输出端借助不锈钢管道与单晶炉相连并进行微波输送，所述单晶炉中设置有用于支撑石英坩埚升降旋转的石墨埚杆，石英坩埚外部设置有石墨坩埚，单晶炉内部由上到下依次设置有石英导流筒、带有钼质反射板的石墨保温桶、带有钼质反射板的石墨支撑块、圆筒形的保温毡、石英保温桶、排气孔及微波防护网以及带有钼质反射板的成型炉底；该设备利用微波加热进行拉晶，送温快，生产效率和产量均有显著提高。

公开(公告)号：CN107488874A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710786661.5

申请日：2017-09-04

Applicant: 中国科学院长春应用化学研究所

Inventor： 薛冬峰 ,  孙丛婷

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/02

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，包括以下步骤，首先推算稀土晶体生长过程中，晶体生长空间内的温度梯度值；所述温度梯度值包括轴向温度梯度和径向温度梯度；然后根据上述步骤得到的温度梯度值、保温材料的热导率以及保温材料的外形结构，经计算后，得到用于稀土晶体生长工艺的温度场结构。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，利用晶体生长过程中的传热方程计算理论温度梯度，结合实际生长中的温度梯度，设计并固定不同的温度场结构，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。

公开(公告)号：CN106687625A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048867.7

申请日：2015-08-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高岛祥 ,  宫原祐一 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。

公开(公告)号：CN104080957B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201280069224.7

申请日：2012-12-04

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： 宋灵岩 ,  L.A.布朗

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C01B23/00 ,  F25J3/02 ,  F27D17/00

CPC classification number: C01B23/0094 ,  C01B23/0021 ,  C01B2210/0004 ,  C01B2210/0034 ,  C01B2210/0045 ,  C01B2210/005 ,  C01B2210/0053 ,  C01B2210/007 ,  C01B2210/0098 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  F25J3/08 ,  F25J2200/02 ,  F25J2205/40 ,  F25J2205/50 ,  F25J2205/82 ,  F25J2215/30 ,  F25J2215/58 ,  F25J2245/02 ,  F25J2245/58 ,  Y02C10/12

Abstract: 本发明涉及一种用于结合硅晶体拉制方法来持续地回收、纯化和再循环惰性气体的方法。通过用调节量的氧化源气体混合物就地氧化，将在晶体生长工艺期间产生的氧化硅杂质完全氧化以形成二氧化硅杂质，其可通过颗粒移除装置移除。无颗粒的流出物进入纯化单元以移除剩余杂质。从纯化单元中涌出的惰性气体可被给送回晶体拉晶机设备和/或与氧化源气体混合物混合。因此，可实现增加硅晶体通过量、品质和同时降低与再循环惰性气体相关成本的能力。

公开(公告)号：CN106165110A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016307.3

申请日：2015-03-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·梅克英特许 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  大卫·莫雷尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  南帝斯·德塞 ,  孙大为 ,  法兰克·辛克莱

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: C30B15/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用以使熔体成长为结晶片的结晶器，其可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述系统还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。

公开(公告)号：CN105970285A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610452999.2

申请日：2016-06-22

Applicant: 江苏拜尔特光电设备有限公司

Inventor： 袁玉平 ,  闫鹏 ,  袁佳斌

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种调节碳化硅单晶生长温度的方法，它包括使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；使感应线圈固定不动；通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。本发明温度变化稳定，产品质量高。

公开(公告)号：CN105803529A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610027997.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 阿部信平

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种在SiC单晶生长中在Si-C溶液面附近经常成为所期望的温度梯度，不使SiC单晶的生长速度下降的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使C的Si溶液与晶种接触并提拉SiC单晶的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，将晶种与晶种保持器连接，将冷却机构设置于上述晶种保持器，根据SiC单晶的提拉量的增加，利用上述冷却机构来促进上述晶种保持器的冷却。

公开(公告)号：CN105803520A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610375201.9

申请日：2016-05-31

Applicant: 邢台晶龙电子材料有限公司

Inventor： 王会敏 ,  何京辉 ,  曹祥瑞 ,  颜超 ,  程志 ,  范晓甫 ,  周子江 ,  赵贝 ,  刘钦 ,  陈二星

IPC: C30B15/22 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/20 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及单晶炉提拉生长单晶硅棒技术领域，尤其是涉及特定单晶炉的自动控制方法，具体公开了一种CZ?80单晶炉自动收尾方法，通过利用CZ?80单晶炉的现有单晶生长PLC控制系统，对温校和单晶拉速参数进行设定，控制单晶收尾的长度、直径，实现单晶自动化收尾操作，能够降低单晶硅棒生长过程中的收尾时间，提高收尾效率，能够降低收尾时的断尾率，提高收尾产能，降低收尾的生产成本，并使收尾形状美观。