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公开(公告)号：CN104145051B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201280063279.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/005 , G01B11/06 , G01B11/24 , G01B11/245 , G01J3/42 , G01J5/58
Abstract: 本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光，并检测来自所述内表面的内表面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离，通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状。
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公开(公告)号：CN107130290A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710111932.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: [课题]正确地在单晶的提拉工序中测量晶体直径而不受来自加热器的辐射光强弱的影响。[解決手段]根据本发明所述的单晶的制造方法，基于Czochralski法的单晶的提拉工序中，用照相机拍摄前述单晶与融液面的分界部的图像，将在前述分界部出现的熔融环的圆周方向的最高亮度分布101中至少小于最大值的值设定为阈值H，将前述最高亮度分布101中最高亮度达到前述阈值H以下的区域指定为直径测量区域，进行直径测量处理。
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公开(公告)号：CN104233456A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410249799.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： T·施罗克
Abstract: 在由熔体提拉单晶期间将单晶直径控制为给定直径的方法，该熔体包含在坩埚中并且在单晶边缘的相界处形成弯月面，其中所述弯月面的高度对应于在相界与弯月面之外的熔体表面水平之间的距离，所述方法包括重复地实施以下步骤：确定弯月面上的亮环的直径；在考虑亮环直径及考虑亮环直径与弯月面高度及与单晶直径本身的相关性的情况下计算单晶直径；及基于所计算的单晶直径与单晶的给定直径之差计算至少一个用于控制单晶直径的操纵变量。
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公开(公告)号：CN103403233A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068734.8
申请日：2011-12-28
Applicant: MEMC电子材料有限公司
IPC: C30B15/26
CPC classification number: C30B15/26
Abstract: 描述了对正从坩埚拉制的晶体的三维测量。第一相机在第一图像平面上捕获晶体的第一图像且第二相机在第二图像平面上捕获第二图像。生成在晶体生长期间晶体的数学模型。该模型包括多个模型取样点。在第一图像和第二图像内检测晶体生长特征。通过将该模型与第一图像内的所述至少一个晶体生长特征进行比较来确定第一误差值，并通过将该模型与第二图像内的所述至少一个晶体生长特征进行比较来确定第二误差值。通过调整该数学模型以使所确定的第一误差值和所确定的第二误差值最小化，来生成与所述至少一个晶体生长特征关联的估算的3-D度量值。
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公开(公告)号：CN1276998C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN99811066.3
申请日：1999-07-28
Applicant: 埃伯乐太阳能公司
CPC classification number: C30B15/26 , C30B15/007 , C30B15/22 , C30B15/305 , Y10S117/903 , Y10T117/1032
Abstract: 说明了用于树枝状网膜生长的方法。此方法包括装载熔融物；从熔融物生长树枝状网膜晶体；在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，补充熔融物；和在生长树枝状网膜晶体的步骤期间，对熔融物施加磁场。还说明了稳定树枝状网膜生长用的装置。该装置包括坩埚，此坩埚包含用于接收晶片以便于熔融物补充的供应室和用于保存树枝状网膜生长用的熔融物的生长室。该装置还包括磁场发生器，它设计成在树枝状网膜生长期间提供磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1172869A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN96114458.0
申请日：1996-11-13
Applicant: MEMC电子材料有限公司
Inventor： 罗伯特·H·福豪夫
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/26 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 用于确定从硅熔体拉制的硅晶体的直径的系统,用于控制硅晶体生长设备。该熔体具有平的表面,该表面包括呈现为与硅晶体相邻的明亮环的弯月形液面。位于熔体表面上方并离开晶体的一个摄像机包括大体上与熔体表面平行的像平面,并响应于来自亮环的光以产生亮环部分的图像。由此,该摄像机补偿了摄像机相对于晶体的位置造成的图像失真。图像处理电路检测图像的特性并作为检测特性的函数而确定亮环的边缘。
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公开(公告)号：CN104160239B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380009520.2
申请日：2013-02-15
Applicant: 欧德富有限公司
Inventor： 如弟格·库比则克
Abstract: 为了甚至在困难的几何和光照条件下，使用于使用至少一个光源和至少一个光接收器借助光线以光学地测量在实质上散射的物体与实质上镜面反射的物体之间的距离的方法中的可靠的距离测量成为可能，所述光线包含所述散射物体的至少一个区域以及所述镜面反射物体的至少一个区域，且俘获所述光线在所述散射物体处散射的光以及所述光线在所述镜面反射物体处镜面反射的光两者。本发明的有利实施例在于在所述镜面反射物体处的镜面反射之后俘获在所述散射物体处散射的所述光，和/或在所述散射物体处的散射之后俘获在所述镜面反射物体处镜面反射的所述光。根据本发明的方法可尤其用于拉晶设施中的环绕锭的漏斗与硅熔融物之间的距离测量或距离调节中。
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公开(公告)号：CN103261492A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059723.3
申请日：2011-07-21
Applicant: LG矽得荣株式会社
IPC: C30B15/20 , C30B29/06 , H01L21/02 , C01B33/021
CPC classification number: C30B15/26 , C30B15/20 , C30B15/22 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明提供了一种单晶锭直径的控制系统和一种包括该系统的单晶锭生长装置。所述单晶锭直径的控制系统包括：直径测量传感器，用于测量单晶锭的直径；低通滤波器(LPF)，用于消除来自所述直径测量传感器的测量数据中的短周期噪声；以及自动直径控制(ADC)传感器，用于通过将消除噪声后的数据用作当前数据来控制提拉速度，进而控制单晶锭的直径。
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公开(公告)号：CN101377008A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810171401.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 胜高股份有限公司
Inventor： 高梨启一
CPC classification number: C30B15/26
Abstract: 本发明提供一种硅单晶提拉方法，通过正确地控制硅单晶的直径，能够得到结晶缺陷少的高质量的硅单晶。本发明的硅单晶提拉方法在提拉工序中，使用摄像装置对上述硅单晶进行摄像，测定按各图像扫描线测定由摄像装置所摄像的图像中的上述硅熔液和上述硅单晶的固液界面附近产生的高亮度带的亮度分布。并且，分别检测硅熔液的液面位置和固液界面位置，基于液面位置和固液界面位置的差值即弯液面高度，控制提拉时的硅单晶的直径。
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公开(公告)号：CN1177956C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN99816416.X
申请日：1999-02-02
Applicant: 埃伯乐太阳能公司
CPC classification number: C30B15/007 , C30B15/22 , C30B15/26 , C30B15/34 , C30B29/06
Abstract: 提供在枝晶状硅网生长工艺中控制一对枝晶的厚度，用来提高枝晶状硅网的生产率的方法和系统。用一对瞄准枝晶对的摄像机形成从炉中硅熔体中出现的网中的每个枝晶的图像。将枝晶图像数字化，计算枝晶的平均厚度，并与设定点参数比较。枝晶厚度间的平均差和设定点参数用来控制整个炉温，而每一对的厚度差用来控制炉中的侧边温度分布，以使枝晶厚度在预定范围内。该方法可用在自动控制炉温和侧边温度分布的闭环模式中，也可用在向手动调节炉温条件的操作人员提供可视的反馈信息的开环模式中。
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