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公开(公告)号：CN106471164A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580032689.9
申请日：2015-06-29
IPC: C30B29/16
CPC classification number: C30B29/16 , C01G15/00 , C01P2002/77 , C30B15/34
Abstract: 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，
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公开(公告)号：CN102268732B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110266454.X
申请日：2005-04-06
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质，包括宽度不小于约15厘米，厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征，例如最大厚度变化，处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部，具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN105538813A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510924415.2
申请日：2015-12-09
Applicant: 安徽海聚信息科技有限责任公司
CPC classification number: B32B9/002 , B32B9/04 , B32B38/0012 , B32B2038/0016 , B32B2038/045 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , B32B2307/546 , B32B2307/584 , B32B2457/208 , C30B15/34 , C30B29/20
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石屏幕及其生产工艺，包括由外到内设置的5-90nm厚的外屏幕层、40nm-50μm厚的过渡层以及蓝宝石层，所述蓝宝石层为单一蓝宝石层或蓝宝石与复合材料通过复合方法实现双层、三层以及多层复合结构；所述蓝宝石层采用纯度为99.999％的Al2O3基质原料，光谱纯掺质原料Fe2O3和TiO2，得到掺铁钛蓝宝石晶片表示为Ti,Fe:α-Al2O3。采用本发明生长方法得到的蓝宝石屏幕，其切割抛光后的晶片四点弯曲强度高于1500MPa，300nm～5000nm范围的光谱透过率达到85％，且硬度更高、耐划伤性能更优异，可以实现高弯曲强度、优良光学性能商业化的蓝宝石屏幕材料的应用。
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公开(公告)号：CN105189836A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025539.0
申请日：2014-05-02
Abstract: 提供一种能得到宽度大的β-Ga2O3系晶种的β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及利用该培养方法的β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该β-Ga2O3系晶种用于在抑制向宽度方向扩肩的情况下培养平板状β-Ga2O3系单晶。在一实施方式中提供包含如下工序的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其使用了EFG法，使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触；以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β-Ga2O3系单晶(25)生长。
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公开(公告)号：CN104411854A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380021359.0
申请日：2013-03-15
Applicant: 登士柏国际公司
CPC classification number: B22D25/02 , A61C5/42 , A61C7/20 , A61C2201/007 , B23P15/00 , C21D2201/01 , C21D2201/04 , C22C1/02 , C22C9/01 , C22C14/00 , C22C19/007 , C22C19/03 , C22C38/08 , C22F1/006 , C30B15/34 , C30B29/52 , Y10T29/4998
Abstract: 包含单晶形状记忆合金的医疗器械以及形成其的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103710743A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310330345.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: C30B15/34 , C30B15/002 , C30B15/005 , C30B15/30 , C30B29/20 , C30B33/06 , Y10T117/1004 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T225/12
Abstract: 本发明涉及连续蓝宝石生长。本发明公开了用于连续蓝宝石生长的系统和方法。一个实施方式可以采取方法的形式，该方法包括：将基体材料供给到位于生长腔室内的坩埚中；加热坩埚以熔融基体材料并且开始熔融基体材料中的晶体生长，以产生晶体结构。另外，该方法包括将晶体结构拉离坩埚并且将晶体结构供给到生长腔室外部。
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公开(公告)号：CN101522959B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780037926.6
申请日：2007-10-26
Applicant: 长青太阳能股份有限公司
Inventor： 莱奥·万格拉比克 , 布赖恩·阿奇利 , 罗伯特·E·雅诺赫 , 安德鲁·P·安塞尔莫 , 斯科特·赖特斯玛
CPC classification number: C30B15/005 , C30B15/34 , C30B33/00 , Y10T117/102
Abstract: 一种用于生长带状晶体的熔炉，具有：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分。当从所述生长的带状晶体分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。
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公开(公告)号：CN101835927B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880112517.2
申请日：2008-10-22
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
Abstract: 在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法，该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体，该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度＜宽度＜长度，并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。
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公开(公告)号：CN102517630A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210012082.2
申请日：2005-04-06
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 本发明揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质，包括宽度不小于约15厘米，厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征，例如最大厚度变化，处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部，具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN101835927A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112517.2
申请日：2008-10-22
Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
Abstract: 在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法，该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体，该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度＜宽度＜长度，并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。
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