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公开(公告)号：CN106041329B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610192785.6
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/02005 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K26/702 , B23K37/00 , B23K2101/40 , B28D1/221 , C30B29/36 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层起伸长的裂痕。在改质层形成步骤中，以激光束的聚光点从锭的内周朝向外周相对地移动的方式照射激光束。
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公开(公告)号：CN106460230B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480078325.X
申请日：2014-10-08
Applicant: 西尔特克特拉有限责任公司
Inventor： 扬·黎克特
IPC: H01L21/301 , B28D1/22 , B23K26/00 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D1/221 , C03B33/0222 , C30B33/06 , H01L21/02002 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于制造至少一个三维的固体层(4)和/或至少一个三维的固体(40)的方法，所述固体层尤其用作晶片。根据本发明的方法优选包括如下步骤：提供用于剥离固体层(4)和/或固体(40)的工件(2)，其中工件(2)具有至少一个暴露的表面；在工件(2)之内产生缺陷(34)，其中缺陷(34)预设至少一个裂纹引导层(8)，其中裂纹引导层(8)描述至少一个三维的轮廓；在工件(2)的暴露的表面上施加或产生接收层(10)，以形成复合结构；对接收层回火，以在工件(2)之内产生应力，其中应力引起在工件(2)之内的裂纹扩展，其中通过裂纹扩展将三维的固体层(4)或三维的固体(40)沿着裂纹引导层(8)从工件(2)分离，其中固体层(4)的或固体的表面对应于裂纹引导层(8)的三维的轮廓。
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公开(公告)号：CN108350604A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061610.X
申请日：2016-09-27
Applicant: 奈克斯沃夫有限公司
IPC: C30B33/06
CPC classification number: C30B33/06
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体层(3)的方法，包括以下方法步骤：A.在载体基板(1)上产生脱模层(2)；B.将半导体层(3)施加到脱模层(2)上；C.将半导体层(3)从载体基板上分离。本发明的特征在于，在方法步骤A中，所述脱模层(2)被产生以至少完全覆盖载体基板的加工面，在方法步骤B中，半导体层(3)被施加以至少在所述加工面上完全覆盖脱模层(2)并与载体基板的一个或多个边缘侧面(5a，5b)部分重叠，并且在方法步骤B和C之间，在方法步骤C0中，去除半导体层(3)的与边缘侧面重叠的区域。本发明还涉及一种半导体晶圆、用于边缘修正的装置、分离单元和用于制造半导体层的装置。
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公开(公告)号：CN107964683A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711211998.X
申请日：2017-11-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种激光晶体的热键合方法及装置，属于激光晶体制备领域。该热键合方法包括：将待键合激光晶体放置到内部填充有多个支撑球体的制备装置中，以使待键合激光晶体埋没于多个所述支撑球体内；将隔板布设在多个所述支撑球体的表面，并对所述隔板施加预设压力；在预设真空度下，对所述待键合激光晶体进行真空热处理，获取键合的激光晶体。本发明通过将待键合激光晶体埋没于多个支撑球体内，并在多个支撑球体上的表面布设隔板，可通过隔板间接向待键合激光晶体上均匀施加预设压力，可避免待键合激光晶体在热处理过程中因受力不均匀而变形，可防止激光晶体的键合面存有未键合区域、气泡等缺陷，提高键合的激光晶体的键合面光学质量和机械强度。
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公开(公告)号：CN104718599B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380045848.X
申请日：2013-09-06
Applicant: 索泰克公司
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2457/14 , C30B29/68 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/02002 , H01L21/185 , H01L27/1203 , H01L33/0079 , Y10T156/1062 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤：提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，薄切片(105)的厚度大致等于或小于临界厚度，低于该临界厚度切片(105)在单独取用时不再是机械稳定的。本发明进一步涉及半导体结构体(109)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104205364B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380017589.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L21/18 , H01L21/762 , C30B33/06 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/0725 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L31/03046 , H01L31/0687 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结构；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构，其中，所述至少一个第一太阳能电池层结合到所述第二基板的所述下表面；以及去除所述第一基板。
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公开(公告)号：CN106914697A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610901127.X
申请日：2011-12-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/08 , B28D5/00 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/304 , H01L29/16 , B23K26/0622 , B23K101/18 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2101/18 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L29/1608 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 准备具备具有与c面成偏离角的角度的表面(12a)的六方晶系SiC基板(12)的板状的加工对象物(1)。接着，将脉冲振荡后的激光(L)的聚光点(P)对准于SiC基板(12)的内部，以脉冲间距为10μm～18μm的方式沿着切断预定线(5a,5m)将激光(L)照射于加工对象物(1)。由此，沿着切断预定线(5a,5m)，将作为切断起点的改质区域(7a,7m)形成于SiC基板(12)的内部。
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公开(公告)号：CN106460230A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078325.X
申请日：2014-10-08
Applicant: 西尔特克特拉有限责任公司
Inventor： 扬·黎克特
IPC: C30B33/06 , B23K26/00 , B28D1/22 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D1/221 , C03B33/0222 , C30B33/06 , H01L21/02002 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于制造至少一个三维的固体层(4)和/或至少一个三维的固体(40)的方法，所述固体层尤其用作晶片。根据本发明的方法优选包括如下步骤：提供用于剥离固体层(4)和/或固体(40)的工件(2)，其中工件(2)具有至少一个暴露的表面；在工件(2)之内产生缺陷(8)，其中裂纹引导层(8)描述至少一个三维的轮廓；在工件(2)的暴露的表面上施加或产生接收层(10)，以形成复合结构；对接收层回火，以在工件(2)之内产生应力，其中应力引起在工件(2)之内的裂纹扩展，其中通过裂纹扩展将三维的固体层(4)或三维的固体(40)沿着裂纹引导层(8)从工件(2)分离，其中固体层(4)的或固体的表面对应于裂纹引导层(8)的三维的轮廓。(34)，其中缺陷(34)预设至少一个裂纹引导层
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公开(公告)号：CN106239751A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391111.9
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , B24B7/228 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/06 , B28D5/0082 , B28D5/04
Abstract: 提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。
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公开(公告)号：CN103503119B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280021347.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 冲田恭子
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块（1）的步骤和通过切割晶块（1）获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块（1）的 方向或 方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
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