- 专利标题: 氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法
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申请号: CN201280063279.7申请日: 2012-10-31
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公开(公告)号: CN104145051B公开(公告)日: 2018-08-10
- 发明人: 须藤俊明 , 佐藤忠广 , 北原贤 , 北原江梨子 , 小玉真喜子
- 申请人: 株式会社SUMCO
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社SUMCO
- 当前专利权人: 胜高股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京鼎承知识产权代理有限公司
- 代理商 李伟波; 管莹
- 优先权: 2011-282404 2011.12.22 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/078260 2012.10.31
- 国际公布: WO2013/094318 JA 2013.06.27
- 进入国家日期: 2014-06-20
- 主分类号: C30B29/06
- IPC分类号: C30B29/06 ; C03B20/00 ; G01B11/24
摘要:
本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序:通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动,在移动路径上的多个测量点,从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光,并检测来自所述内表面的内表面反射光,来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离,通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联,来求出所述坩埚的内表面三维形状。
公开/授权文献
- CN104145051A 氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法 公开/授权日:2014-11-12
IPC分类: