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公开(公告)号：CN101203634A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200580050178.6
申请日：2005-12-01
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。
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公开(公告)号：CN101175872B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200580049778.0
申请日：2005-09-12
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。
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公开(公告)号：CN101198727A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200580050122.0
申请日：2005-11-08
Applicant: 胜高股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM－F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
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公开(公告)号：CN101175872A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200580049778.0
申请日：2005-09-12
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。
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公开(公告)号：CN117940619A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059231.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/26 , G01F23/292
Abstract: 本发明提供一种无论炉内结构如何都能够稳定地测量液面水平的单晶的制造方法及装置。本发明为基于从坩埚内的熔液中提拉单晶的切克劳斯基法的单晶的制造方法，其中，设置覆盖除单晶的提拉路径以外的坩埚的上方的热遮蔽体；利用第1摄像机拍摄热遮蔽体的实像(17R)及映射在熔液面(2a)的热遮蔽体的镜像(17M)；设定检测线(L1)，所述检测线(L1)在相对于的提拉轴倾斜的倾斜方向上延伸且与热遮蔽体的实像边缘(ER)及镜像边缘(EM)这两者相交；根据从检测线(L1)与实像边缘(ER)的第1交点(P1)至检测线(L1)与镜像边缘(EM)的第2交点(P2)的距离即检测线(L1)上的实像‑镜像间距离(D)求出热遮蔽体的下端与熔液面(2a)之间的距离即间隙值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101198727B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200580050122.0
申请日：2005-11-08
Applicant: 胜高股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: 本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM-F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
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公开(公告)号：CN101203634B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580050178.6
申请日：2005-12-01
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。
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公开(公告)号：CN118984892A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380032892.0
申请日：2023-02-01
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: [课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚11的镜像11M的影像，根据在石英坩埚11至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的石英坩埚11的镜像11M的位置的时间变化来评价石英坩埚11的变形或偏心。
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公开(公告)号：CN116324049A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180068532.7
申请日：2021-09-22
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(LS)；基于间隔使晶种(5)下降而着液于熔液；一边维持与熔液的接触状态一边提拉晶种(5)来生长单晶。在测量间隔(LS)的步骤中，使用在熔液面(2a)的斜上方设置的相机(20)拍摄晶种(5)和熔液面(2a)，对在拍摄图像中拍到的晶种(5)的实像(5R)的直体部(5a)的下端的边缘图案进行圆形近似来生成实像边缘近似圆，并且，对在熔液面(2a)中映入的晶种(5)的镜像(5M)的直体部(5a)的上端的边缘图案进行圆形近似来生成镜像边缘近似圆，根据从实像边缘近似圆的中心坐标到镜像边缘近似圆的中心坐标的距离算出晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(Ls)。
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公开(公告)号：CN115461500A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029654.5
申请日：2021-01-06
Applicant: 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明的课题在于提高晶体提拉工序中测量的单晶直径的测量精度。本发明的单晶制造装置(10)具备：从熔液(13)提拉单晶(15)的单晶提拉部、拍摄在熔液(13)与单晶(15)的边界部产生的熔合环的相机(18)及处理相机(18)的拍摄图像的演算部(24)。演算部(24)根据相机(24)的设置角度(θC)及焦距，将显现于相机(18)的拍摄图像中的熔合环投影转换至相当于熔液的液面的基准平面上，并根据基准平面上的熔合环的形状来计算单晶(15)的直径。
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