-
公开(公告)号:CN104080957A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201280069224.7
申请日:2012-12-04
Applicant: 普莱克斯技术有限公司
CPC classification number: C01B23/0094 , C01B23/0021 , C01B2210/0004 , C01B2210/0034 , C01B2210/0045 , C01B2210/005 , C01B2210/0053 , C01B2210/007 , C01B2210/0098 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , F25J3/08 , F25J2200/02 , F25J2205/40 , F25J2205/50 , F25J2205/82 , F25J2215/30 , F25J2215/58 , F25J2245/02 , F25J2245/58 , Y02C10/12
Abstract: 本发明涉及一种用于结合硅晶体拉制方法来持续地回收、纯化和再循环惰性气体的方法。通过用调节量的氧化源气体混合物就地氧化,将在晶体生长工艺期间产生的氧化硅杂质完全氧化以形成二氧化硅杂质,其可通过颗粒移除装置移除。无颗粒的流出物进入纯化单元以移除剩余杂质。从纯化单元中涌出的惰性气体可被给送回晶体拉晶机设备和/或与氧化源气体混合物混合。因此,可实现增加硅晶体通过量、品质和同时降低与再循环惰性气体相关成本的能力。
-
公开(公告)号:CN104080957B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201280069224.7
申请日:2012-12-04
Applicant: 普莱克斯技术有限公司
CPC classification number: C01B23/0094 , C01B23/0021 , C01B2210/0004 , C01B2210/0034 , C01B2210/0045 , C01B2210/005 , C01B2210/0053 , C01B2210/007 , C01B2210/0098 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , F25J3/08 , F25J2200/02 , F25J2205/40 , F25J2205/50 , F25J2205/82 , F25J2215/30 , F25J2215/58 , F25J2245/02 , F25J2245/58 , Y02C10/12
Abstract: 本发明涉及一种用于结合硅晶体拉制方法来持续地回收、纯化和再循环惰性气体的方法。通过用调节量的氧化源气体混合物就地氧化,将在晶体生长工艺期间产生的氧化硅杂质完全氧化以形成二氧化硅杂质,其可通过颗粒移除装置移除。无颗粒的流出物进入纯化单元以移除剩余杂质。从纯化单元中涌出的惰性气体可被给送回晶体拉晶机设备和/或与氧化源气体混合物混合。因此,可实现增加硅晶体通过量、品质和同时降低与再循环惰性气体相关成本的能力。
-