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公开(公告)号：CN107815728B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN106165110B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN103025926B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明涉及使用气体喷嘴从熔化物表面移离板材。在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN107815728A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结芯片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结芯片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN104159855A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280071159.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·L·凯乐门 , 孙大为 , 布莱恩·H·梅克英特许
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B29/06
Abstract: 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104246021B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
Abstract: 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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公开(公告)号：CN106165110A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用以使熔体成长为结晶片的结晶器，其可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述系统还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。
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公开(公告)号：CN104246021A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
Abstract: 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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公开(公告)号：CN104159855B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280071159.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·L·凯乐门 , 孙大为 , 布莱恩·H·梅克英特许
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B29/06
Abstract: 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
Abstract: 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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