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公开(公告)号：CN109680335A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910086702.9
申请日：2019-01-29
申请人： 扬州大学
CPC分类号： C30B29/46 , C30B9/00 , G02F1/3551
摘要： 本发明公开了一种硫碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，其化学式为Eu2.25B5O9S0.5I0.5，分子量为619.44，该晶体属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为：a=11.5283(17),b=11.5508(17),c=6.5072(9)Å,Z=4，V=866.5(2)Å3。合成的Eu2.25B5O9S0.5I0.5粉末晶体在相同粒度与条件下其倍频效应达到AgGaS2的0.5倍，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的14倍以上，而这正是商业化AgGaS2晶体的一个重要缺陷。红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，适合用做红外区域的非线性晶体和红外探测器。
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公开(公告)号：CN104854024A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380064997.0
申请日：2013-12-10
申请人： 六号元素磨料股份有限公司 , 六号元素有限公司
CPC分类号： C30B9/00 , B01J3/06 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B24D3/02 , B24D18/0009 , C01B32/25 , C01P2004/61 , C09K3/1409 , C30B29/04
摘要： 提供尺寸为至多约100微米的良好成形的金刚石晶粒的方法。该方法包括提供合成组件，其包含碳材料来源、在其上金刚石材料能结晶的多个籽晶晶粒和用于促进金刚石晶粒结晶的溶剂-催化剂材料，并且使该合成组件经受用于生长金刚石晶粒的条件。维持该合成条件足够长以将碳材料的至少约一半转化为金刚石晶粒。
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公开(公告)号：CN104846439A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510178981.3
申请日：2009-12-11
申请人： SORAA有限公司
发明人： 马克·P·德伊夫林
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , C30B28/06 , Y10T428/24355
摘要： 本发明涉及具有吸气剂的多晶III族金属氮化物及其制造方法。特别地，提供了一种含镓晶体，包括：结晶衬底构件，其长度大于约5毫米；基本纤锌矿结构，其特征在于基本不含其它晶体结构，所述其它结构相对于所述基本纤锌矿结构的体积为小于约1体积％；选自Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、F和Cl中至少一种的杂质浓度大于约1015cm-3；和在约385纳米至约750纳米的波长的光吸收系数为约2cm-1以下。
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公开(公告)号：CN103025926A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180031762.2
申请日：2011-03-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·D·斯罗森 , 孙大为
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/22 , C30B15/24 , C30B15/34 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/64 , Y10T117/1048 , Y10T117/1092
摘要： 在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
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公开(公告)号：CN102791629A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013947.0
申请日：2011-03-16
申请人： 设计材料有限公司
CPC分类号： C01B31/06 , C01B32/25 , C30B9/00 , C30B19/02 , C30B19/062
摘要： 一种金刚石合成方法，所述方法包括：(i)在原子氢等离子体存在下和/或在原子氢自由基存在下，在溶解区中提供含有相对于石墨沉淀饱和的碳的液态金属；(ii)将至少一部分液态金属由溶解区转移至沉积区，(vi)将沉积区中的液态金属暴露于原子氢等离子体和/或原子氢自由基，沉积区中液态金属的温度低于溶解区中液态金属的温度，以使沉积区中液态金属含有相对于金刚石沉淀饱和、优选过饱和的碳；(vii)使沉积区中液态金属中的碳沉淀以合成金刚石；和(viii)可选地由金属中取出所合成的金刚石。
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公开(公告)号：CN101535532A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780037599.4
申请日：2007-10-05
申请人： 迈图高新材料公司
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/403
摘要： 提供用于生长氮化物晶体的方法和选自AlN、InGaN、AlGaInN、InGaN和AlGaNInN中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶，其从直径至少1mm的单核生长，没有横向应变和倾斜晶界，具有低于约104cm－2的位错密度。
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公开(公告)号：CN101415868A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012537.8
申请日：2007-04-05
申请人： 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
摘要： 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101410558A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011246.7
申请日：2007-04-05
申请人： 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/403
摘要： 本发明的目的是在熔剂方法中防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备，该设备包括：保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属的反应器；用于加热反应器的加热装置；和用于容纳反应器和加热装置的外部容器，其特征在于，防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。
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公开(公告)号：CN101230489A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710180864.6
申请日：2003-02-21
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
摘要： 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。
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公开(公告)号：CN100354458C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03806906.7
申请日：2003-02-21
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
摘要： 本发明披露了形成至少一种第III主族金属氮化物单晶的方法，该方法包括下述步骤：将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100，其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第III主族金属；密封所述反应器100；将所述反应器100加热至预定温度，将预定压力施加给所述反应器。所述预定压力足以抑制所述第III主族金属氮化物在预定温度下分解。本发明还披露了通过该方法形成的第III主族金属氮化物，以及具有第III主族金属氮化物基底的电子器件。
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