公开(公告)号：CN115838968B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202111105978.0

申请日：2021-09-22

申请人： 天津理工大学

发明人： 俞洪伟 ,  俞苏娟 ,  胡章贵 ,  吴红萍 ,  王继扬 ,  吴以成

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B9/00 ,  C30B28/04 ,  G02B1/08

摘要： 本发明涉及一种水合铵硼磷羟基化合物及铵硼磷羟基双折射晶体的制备方法和用途，该化合物分子式为NH4(B6PO10(OH)4)·H2O，分子量为359.92，采用硼酸熔融法制备，所得产物直接为晶体。该晶体的分子式为NH4(B6PO10(OH)4)·H2O，分子量为359.92，属于三斜晶系，空间群为#imgabs0#采用硼酸熔融法即得到水合铵硼磷羟基双折射晶体。该晶体的双折射值为0.095@532nm,截止边低于200nm。该晶体的生长过程具有操作简单，成本低，所用的试剂均为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。通过本发明所述方法获得的水合铵硼磷羟基双折射晶体在光学调制器等双折射晶体器件中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN117758367A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311793661.X

申请日：2023-12-22

申请人： 北京大学东莞光电研究院

发明人： 张敏 ,  刘南柳 ,  姜永京 ,  王琦

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B9/00

摘要： 本发明公开了一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法，包括反应釜和储槽；其中，储槽内盛装有熔体；反应釜内的顶部设置有用于将熔体雾化成微小液滴的雾化喷头和用于供氮气进入的进气口，雾化喷头通过第二管道与储槽连通，第二管道上设置有第二循环泵；反应釜内的底部设置有固定盘和第一管道，固定盘上放置有GaN籽晶，第一管道与储槽连通，第一管道上设置有第一循环泵。本发明通过将熔体雾化成微小液滴，使得雾化后的微小液滴可在反应釜的上部与通入的氮气充分的接触，快速实现氮离子的解离与混合，同时储槽的设计将升温过程中的熔体与GaN籽晶进行分离，防止升温不饱和状态熔体对GaN籽晶的腐蚀，影响后续成核，利于大范围推广应用。

公开(公告)号：CN114875473B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202210595917.5

申请日：2022-05-30

申请人： 福建福晶科技股份有限公司

发明人： 周玉兰 ,  陈伟 ,  陈秋华 ,  陈养国 ,  张杨

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/22

摘要： 一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法，采用缩口铂金坩埚为生长装置，下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构，缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8，锥状倾斜角度为10~30°，在晶体生长时，熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位，铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动，不仅保证生长熔体的均匀性，还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场，抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能，生长出来的晶体几乎接近长方体，提高了KGW晶体毛坯的利用率；铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况，还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力，避免外因影响晶体质量，再次提高KGW晶体利用率。

公开(公告)号：CN113196163B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201980083996.8

申请日：2019-12-16

申请人： IPG光子公司

发明人： 丹·皮尔洛夫 ,  亚历山大·扎采夫 ,  阿纳托利·赞姆科奥夫 ,  尼基塔·拉迪奥诺夫 ,  阿勒科山德·赤列巴科赫因 ,  尼科莱·埃夫提希耶夫 ,  安德丽·萨多夫斯基

IPC分类号： G02F1/35 ,  H01S3/109 ,  C30B1/06 ,  C30B9/00

摘要： SrB4O7或PbB4O7晶体被配置为具有多个结构域，所述多个结构域具有相应周期性交替的晶轴极性，使得所公开的晶体能够进行准相位匹配(QPM)。所公开的晶体通过包括以下步骤的方法制造：将SrB4O7或PbB4O7晶体块的表面图案化，从而在表面上提供具有均匀极性标记的已图案化的均匀尺寸区域。该方法还包括在已图案化表面上产生扰动，从而使每隔一个区域的晶体极性的标记反转以形成具有多个结构域的SrB4O7或SrB4O7晶体，所述多个结构域具有交替的极性，从而使得QPM机制成为可能。

公开(公告)号：CN115084506A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210539770.8

申请日：2022-05-18

申请人： 广东邦普循环科技有限公司 ,  湖南邦普循环科技有限公司 ,  湖南邦普汽车循环有限公司

发明人： 余海军 ,  谢英豪 ,  李爱霞 ,  张学梅 ,  李长东

IPC分类号： H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  C30B9/00 ,  C30B29/22

摘要： 本发明公开了一种大粒径单晶三元正极材料及其制备方法和应用，其化学通式为LiNixMnyCo1‑x‑yO2，其中0.5≤x≤0.85，0.05≤y≤0.25，所述大粒径单晶三元正极材料为单晶颗粒状，表面圆滑，颗粒的D50为5.0‑10.0μm，比表面积为0.3‑0.8cm2/g。本发明先通过前驱体与锂源进行固相烧结制备小颗粒的单晶正极材料，再通过熔盐法烧结，将小颗粒单晶正极材料在熔盐中进行单晶的生长，从而得到大粒径的单晶正极材料，其比表面积小，无尖锐边角，具备较好的循环稳定性和安全性。

公开(公告)号：CN114934311A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210497783.3

申请日：2022-05-09

申请人： 华厦半导体(深圳)有限公司

发明人： 谈逊 ,  刘才 ,  谈谦 ,  吴曦 ,  曾龙辉 ,  李欣 ,  王占玲 ,  刘宁波

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B30/06 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种超声波搅拌的氮化镓液相生长装置，包括壳体，所述外壳体内部设置有容纳腔，所述外壳体顶端螺栓固定连接有用于将容纳腔进行封堵的盖体，所述容纳腔内部固定连接有反应壳体；所述反应壳体内底壁设置有加热件，所述反应壳体上固定连接有多个超声波振子；所述容纳腔内部固定连接有固定块，所述固定块上固定连接有用于对反应壳体进行进料的进料机构；所述外壳体上设置有用于对容纳腔进行冲入氮气的充气组件。本发明通过在反应壳体底端固定连接有多个超声波振子能够实现反应壳体内部产生超声振动，以实现其内部的物料能够实现更加充分的进行混合，相对于现有技术中的机械搅拌结构，能够大大的减小搅拌装置的结构，使得设备的结构更加的简单。

公开(公告)号：CN111334858B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010150933.4

申请日：2020-03-06

申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所

发明人： 潘世烈 ,  刘开通 ,  韩健

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B17/00 ,  C30B11/00 ,  C30B9/00 ,  G02F1/355

摘要： 本发明涉及一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为BaBOF3，分子量为221.15，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为a=4.6145(17)Å，b=4.3671(16)Å，c=7.905(3)Å，β=105.519(6)°，单胞体积为153.49(10)Å3，晶体的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)的1.0倍，紫外吸收边短于190 nm，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

公开(公告)号：CN111101192A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN202010021620.9

申请日：2020-01-09

申请人： 西北工业大学

发明人： 王琳 ,  蒋小红

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62 ,  C25D11/04 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种利用模板法制备单晶黑磷纳米线的方法，利用阳极氧化的方法制备阳极氧化铝模板AAO，浸泡于氯化铜溶液中去基底，再与红磷混合进行反应，使得腔内的红磷转化为熔融的白磷，再使得熔融的白磷注入到AAO孔洞内，使得AAO孔洞内的白磷转化为黑磷，最后用NaOH溶液溶解AAO模板继而得到黑磷纳米线。通过控制AAO模板的孔洞直径来控制黑磷纳米线的尺寸，合成不同尺寸的具有均一性好，结晶质高，稳定性好的黑磷纳米线，采用的高温高压技术具有耗时短，可控性好、重复性高、产量高、清洁环保和成本低等优点。不仅为探索黑磷材料的新特性开辟了一个新维度，而且为快速高效的大规模制造提供了一维结构工程策略。

公开(公告)号：CN107002284B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580064055.1

申请日：2015-11-25

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C30B9/00 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/0079 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4418 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007

摘要： 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

公开(公告)号：CN109750355A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910198369.0

申请日：2019-03-15

申请人： 四川大学

发明人： 何知宇 ,  赵北君 ,  朱世富 ,  黄巍 ,  陈宝军

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B9/00

摘要： 本发明公开了一种单相黄铜矿结构CdGeAs2晶体材料的合成方法，包括以下步骤：S1：安瓿清洗，制作好的安瓿在使用前依次用碱、自来水、5％氢氟酸洗液对合成安瓿进行清洗，然后采用超声波进行振荡清洗，最后用高阻去离子水反复冲洗合成安瓿，直到清洗后用水的电阻达到2MΩ以上为止，然后将清洗后的合成安瓿放置于真空烘箱中烘干，封口待用。优点在于：本方法中，采用分步合成和熔体温度振荡与机械振荡等手段，合成过程简单，合成快速，不仅能够减小了合成反应爆炸的危险，有效地提高Ge与CdAs2固相反应速率，确保了合成反应的充分进行，而且能够在反应最后阶段将部分残余As、Cd蒸汽从熔体中驱赶出来，进一步提高合成产物的纯度。