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公开(公告)号：CN115537912B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211298925.X
申请日：2022-10-24
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨、氧化钆和碳酸钾为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧后，制备晶体生长多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化，再用搅拌器搅拌完全均匀，采用顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，在熔体表面或熔体中进行晶体生长。用以上方法进行原材料预处理和晶体生长来达到了消除KGW晶体在应用中体发热的效应，极大提高了产品品质，稳定晶体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114875473B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210595917.5
申请日：2022-05-30
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法，采用缩口铂金坩埚为生长装置，下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构，缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8，锥状倾斜角度为10~30°，在晶体生长时，熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位，铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动，不仅保证生长熔体的均匀性，还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场，抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能，生长出来的晶体几乎接近长方体，提高了KGW晶体毛坯的利用率；铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况，还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力，避免外因影响晶体质量，再次提高KGW晶体利用率。
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公开(公告)号：CN114839145A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210489238.X
申请日：2022-05-07
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种结合了紫外激光光谱分析和图像识别的激光损伤分析测试仪器，包括：工作波长激光光源和紫外激光光源、样品台、侧面光学成像模块和光谱分析探测器。本发明中，以工作波长激光对样品进行损伤测试，并以同轴的紫外激光在原位展开精细成像分析和光谱分析，通过工作波长激光和紫外激光在样品测试区域产生的光学信号能够对样品的折射、散射、成分均匀性、缺陷和损伤情况等进行综合采集，冀此实现激光损伤的快速检测及损伤区域精确定位、损伤类型区分、损伤成因分析。
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公开(公告)号：CN105655862A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610245787.7
申请日：2016-04-20
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 本发明设计的F-P构型电光调Q倍频激光，是以具有非线性效应和电光效应的晶体制作F-P电光调Q倍频器件，并将该器件置于基频激光谐振腔的输出端，构成电光调Q倍频激光。激光工作介质受到注入能量泵浦时，在激光谐振腔内形成基频激光振荡，F-P电光调Q倍频器件通过电光效应对基频激光进行电光调制，在一定驱动电压下获得窄脉冲基频激光输出；输出的基频激光通过F-P电光调Q倍频器件，其在该器件内的传播方向与对应的倍频方向重合，当基频激光的功率密度超过非线性效应的转换阈值时，基频激光转换为倍频激光。
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公开(公告)号：CN117948840A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410293585.4
申请日：2024-03-14
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
IPC分类号： F41H13/00
摘要： 本申请涉及光学探测技术领域，具体公开了一种激光防眩装置及系统，包括F‑P干涉仪、探测组件以及控制器，所述F‑P干涉仪包括平行间隔设置的第一反射镜和第二反射镜，以及用于调节所述第一反射镜与第二反射镜间距的驱动组件；所述探测组件设置在F‑P干涉仪的光路上用于探测入射光，所述控制器接收探测组件探测到的超出光强阈值的致眩激光信号，处理计算并向所述驱动组件输出对应的电信号，所述驱动组件根据电信号对应调整所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的距离，以使致眩激光透过所述F‑P干涉仪。本申请能够消除不同波长激光的干扰，使得光学探测设备保持正常的探测能力。
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公开(公告)号：CN114660012A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210322533.6
申请日：2022-03-30
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种基于深紫外光谱分析和图像识别的光学分析仪器，包括：深紫外激光光源和辅助光源、样品台、第一光学成像模块和光谱分析探测器，本发明以深紫外激光作为激发光源，结合辅助光源照射样品，以光谱分析结合高清图像分析，可以自动快速检测光学材料及光学器件的质量；能够通过扫描检测精确定位光学材料及光学器件的缺陷存在区域，对光学材料的缺陷类型进行判定，分析光学材料的成分均匀性；通过深紫外激光和辅助光源的协同检测，能够更为精细地检测光学器件的加工质量；智能化比对技术结合数据库可以高效自动完成光学材料和光学器件的品质分析。
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公开(公告)号：CN105655862B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610245787.7
申请日：2016-04-20
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 本发明设计的F‑P构型电光调Q倍频激光，是以具有非线性效应和电光效应的晶体制作F‑P电光调Q倍频器件，并将该器件置于基频激光谐振腔的输出端，构成电光调Q倍频激光。激光工作介质受到注入能量泵浦时，在激光谐振腔内形成基频激光振荡，F‑P电光调Q倍频器件通过电光效应对基频激光进行电光调制，在一定驱动电压下获得窄脉冲基频激光输出；输出的基频激光通过F‑P电光调Q倍频器件，其在该器件内的传播方向与对应的倍频方向重合，当基频激光的功率密度超过非线性效应的转换阈值时，基频激光转换为倍频激光。
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公开(公告)号：CN115537912A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211298925.X
申请日：2022-10-24
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨、氧化钆和碳酸钾为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧后，制备晶体生长多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化，再用搅拌器搅拌完全均匀，采用顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，在熔体表面或熔体中进行晶体生长。用以上方法进行原材料预处理和晶体生长来达到了消除KGW晶体在应用中体发热的效应，极大提高了产品品质，稳定晶体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114875473A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210595917.5
申请日：2022-05-30
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法，采用缩口铂金坩埚为生长装置，下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构，缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8，锥状倾斜角度为10~30°，在晶体生长时，熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位，铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动，不仅保证生长熔体的均匀性，还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场，抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能，生长出来的晶体几乎接近长方体，提高了KGW晶体毛坯的利用率；铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况，还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力，避免外因影响晶体质量，再次提高KGW晶体利用率。
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公开(公告)号：CN114635182A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210322381.X
申请日：2022-03-30
申请人： 福建福晶科技股份有限公司
摘要： 一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法，包括坩埚，圆篮，和用于提升圆篮的挂钩，圆篮设置在坩埚的内部，铂圆篮的底部具有多个支撑脚，底部和侧面具有多个漏孔，圆篮的上部设置有提手，提手的正中间具有“∧”型的凹槽，挂钩通过钩挂提手，将所述圆篮从坩埚中提升。本发明能够确保生长出来的大单晶能顺利出炉，在铂篮底部外侧设置的数个支撑脚，既能够稳当，又能够隔离铂圆篮和坩埚的底部，避免因高温环境中铂圆篮底部与坩埚底大面积粘连导致铂篮提起失败；在铂篮侧面和底部设置多个小漏孔，方便退火时晶体完全脱离剩料，确保晶体的完整性；在铂圆篮上部设置提手，既不影响晶体正常生长，又能固定铂钩，在退火时确保晶体顺利出炉提供保障。
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