发明公开
- 专利标题: 一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法
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申请号: CN202210595917.5申请日: 2022-05-30
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公开(公告)号: CN114875473A公开(公告)日: 2022-08-09
- 发明人: 周玉兰 , 陈伟 , 陈秋华 , 陈养国 , 张杨
- 申请人: 福建福晶科技股份有限公司
- 申请人地址: 福建省福州市软件大道89号F区9号楼
- 专利权人: 福建福晶科技股份有限公司
- 当前专利权人: 福建福晶科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省福州市软件大道89号F区9号楼
- 主分类号: C30B9/00
- IPC分类号: C30B9/00 ; C30B29/22
摘要:
一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法,采用缩口铂金坩埚为生长装置,下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构,缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8,锥状倾斜角度为10~30°,在晶体生长时,熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位,铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动,不仅保证生长熔体的均匀性,还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场,抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能,生长出来的晶体几乎接近长方体,提高了KGW晶体毛坯的利用率;铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况,还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力,避免外因影响晶体质量,再次提高KGW晶体利用率。
公开/授权文献
- CN114875473B 一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法 公开/授权日:2023-11-14
IPC分类: