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公开(公告)号：CN109628910A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811147185.3
申请日：2018-09-29
申请人： 流慧株式会社
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/34 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45559 , C23C16/4418 , C23C16/45512
摘要： 在本发明主题的第一方面中，形成膜的方法包括将至少包括第一化学元素和第二化学元素的原料转化成雾化的液滴；通过使用载气将至少包括第一化学元素和第二化学元素的雾化的液滴携带在物体上；和使雾化的液滴反应而在物体上形成至少包括第一化学元素和第二化学元素的膜。第一化学元素选自周期表的14族元素和15族元素。第二化学元素选自周期表的d区元素、13族元素和14族元素并且与第一化学元素不同。
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公开(公告)号：CN108025918A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052170.1
申请日：2016-09-08
申请人： 韩华化学株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , B01J19/08
CPC分类号： B01J19/0053 , B01J19/0013 , B01J19/08 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/46
摘要： 本发明提供了一种多晶硅制造装置，其包括：反应器，其被设置在基板上以形成反应室；一对电引线，其被安装在基板上以延伸至反应室的内部；棒丝，其被安装在反应室的电引线上，并通过上端的棒桥彼此连接以通过由气体入口引入的原料气体的化学气相沉积来形成硅棒；和冷却夹套，其被插入至在反应器的上侧设置的通孔中以被基板支撑，通过形成排出反应后气体的气体通道与在基板上形成的气体出口连接，以及所述冷却夹套通过形成在气体通道外面的冷却剂通道而从反应器的外面引入和循环低温冷却剂至冷却剂通道以将高温冷却剂排出至反应器的外面。
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公开(公告)号：CN107002284A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064055.1
申请日：2015-11-25
申请人： 日本碍子株式会社
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C16/01 , C23C16/303 , C23C16/4418 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/007
摘要： 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。
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公开(公告)号：CN103098173A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180035407.2
申请日：2011-07-19
申请人： 瑞科硅公司
发明人： 科里施纳库马尔·M·嘉亚卡 , 乌尔班·R·库尔特根
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/00 , C30B29/06 , C23C16/24
CPC分类号： C01B33/035 , C01P2004/61 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/46 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 本发明涉及化学气相沉积（CVD）反应器系统，其具有由反应室壁围住的反应室，所述反应室壁的内表面被布置为朝向所述室的内部。至少一部分所述壁为朝向所述室的热控层，并且所述热控层由材料例如电解沉积的镍构成，所述材料在300K下测得的发射系数为0.1以下并且硬度为至少3.5Moh。使用这样的CVD反应器系统从富含硅的气体生产多晶硅。
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公开(公告)号：CN102918179A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180024287.6
申请日：2011-05-17
申请人： 山特森西特股份有限公司
发明人： 威尔佛莱德·福玛
IPC分类号： C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4418
摘要： 描述了用于将电压施加到CVD反应器中的多个硅棒(51-54)的一种设备和一种方法以及一种CVD反应器。所述设备具有：串联连接，其中硅棒可作为电阻器插入；至少一第一电源单元(12)；至少一第二电源单元(14)；至少一第三电源单元(16)；以及至少一控制单元，控制单元能够经由第一电源单元、第二电源单元或第三电源单元将电压施加到串联连接中的硅棒。第一电源单元具有多个第一变压器(21-24)，第一变压器的输出端各自与串联连接中的一个硅棒连接且其中第一变压器具有第一开路电压和第一短路电流。第二电源单元具有多个第二变压器(31-32)，第二变压器的输出端连接到串联连接中的与第一变压器数量相同的硅棒，与第一变压器中的一个或多个第一变压器并联，且其中第二变压器具有第二开路电压和第二短路电流，其中第二开路电压低于第一开路电压且第二短路电流高于第一短路电流。第三电源单元具有与串联连接中的硅棒连接、与第一变压器和第二变压器并联的输出端，且其中第三电源单元能够提供电压范围低于第二变压器的开路电压的电流，所述电流高于第二变压器的短路电流。
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公开(公告)号：CN102666915A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051679.7
申请日：2010-10-08
申请人： 赫姆洛克半导体公司
IPC分类号： C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/4404
摘要： 提出了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。该制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过外壳且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极具有外部表面。在室温下具有至少为7×106姆欧/米的电导率的第一外部涂层被布置在电极的外部表面上。与第一外部涂层不同的第二外部涂层被布置在第一外部涂层上。电源设备被耦合到电极。
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公开(公告)号：CN102639438A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080053022.4
申请日：2010-11-25
申请人： 戴纳泰克工程有限公司
发明人： 约瑟夫·菲尔特维特 , 沃纳·O·菲尔特维特 , 阿韦·霍尔特
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： C01B33/035 , B01J4/002 , B01J4/007 , B01J19/02 , B01J19/2405 , B01J19/28 , B01J2219/00056 , B01J2219/0009 , B01J2219/00141 , B01J2219/00144 , B01J2219/00146 , B01J2219/00148 , B01J2219/00155 , B01J2219/00164 , B01J2219/0236 , B01J2219/029 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/45502 , C23C16/45504 , C30B25/08 , C30B29/06
摘要： 用于生产硅的反应器，该反应器包括反应器容积件，该反应器是独特的，因为该反应器包括或可操作地布置到用于将化学气相沉积(CVD)用的含硅反应气体设置成在反应器容积件内旋转的至少一个装置。用于生产硅的方法。
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公开(公告)号：CN1049018C
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN95194966.7
申请日：1995-07-17
申请人： 大不列颠及北爱尔兰联合王国国防大臣
发明人： P·G·帕特里奇
CPC分类号： C23C16/4418 , C23C16/27 , C23C16/271
摘要： 一种采用化学气相沉积(CVD)技术使金刚石生长以制造空心金刚石管的方法。将合适的基材，典型的是丝材，如具有金刚石核晶中心的钨、钼、铜或硅的丝材制成螺旋圈，然后将螺旋丝置于或通过CVD室，让金刚石沉积在螺旋丝上。设定合适的螺旋圈间距和直径使金刚石沉积在螺旋丝上，直至金刚石的生长表面汇合，形成空心的金刚石管。
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公开(公告)号：CN103098172B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180031981.0
申请日：2011-06-27
申请人： GTAT有限公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4411 , C23C16/4418 , C23C16/46 , F28D21/0001 , Y02P20/124 , Y02P20/129
摘要： 本发明可以在半导体加工操作过程中通过使用其上具有辐射屏蔽层的钟罩提供或促进能量回收操作，所述辐射屏蔽层由配置在所述钟罩的内表面上的含有镍的中间层和配置在所述中间层上的可以包括金层的反射层构成。所述反射层具有小于5%的发射率，更优选地，所述反射层具有小于约1%的发射率。来自反应室的热量可以用于减少一个或多个其他单元操作的热负荷。
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公开(公告)号：CN102639438B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080053022.4
申请日：2010-11-25
申请人： 戴纳泰克工程有限公司
发明人： 约瑟夫·菲尔特维特 , 沃纳·O·菲尔特维特 , 阿韦·霍尔特
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： C01B33/035 , B01J4/002 , B01J4/007 , B01J19/02 , B01J19/2405 , B01J19/28 , B01J2219/00056 , B01J2219/0009 , B01J2219/00141 , B01J2219/00144 , B01J2219/00146 , B01J2219/00148 , B01J2219/00155 , B01J2219/00164 , B01J2219/0236 , B01J2219/029 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/45502 , C23C16/45504 , C30B25/08 , C30B29/06
摘要： 用于生产硅的反应器，该反应器包括反应器容积件，该反应器是独特的，因为该反应器包括或可操作地布置到用于将化学气相沉积(CVD)用的含硅反应气体设置成在反应器容积件内旋转的至少一个装置。用于生产硅的方法。
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