公开(公告)号：CN109440081A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811568346.6

申请日：2018-12-21

申请人： 南京工程学院

发明人： 吴军 ,  杨东阳 ,  吕诚 ,  姚林 ,  万建国

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/56

摘要： 本发明涉及一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法，采用二茂铁作为固体碳源，将盛有固体碳源的容器放在管式炉的进气端，并用加热源对碳源所处位置区域加热，形成碳源稳定挥发的区域，温度控制在160℃-250℃；选用铜作为衬底，其反应温度控制在900℃-1060℃，氢气和氩气作为载气，调节气体浓度和总气流量的大小，生长出高铁掺杂浓度的石墨烯薄膜。本发明以固体二茂铁作为碳源，一步合成高浓度铁掺杂石墨烯薄膜。同时，磁性铁原子的引入开辟了CVD磁性石墨烯的制备与合成的新方向，为石墨烯基器件在自旋电子学中的应用提供了物质基础。

公开(公告)号：CN108315710A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810150928.6

申请日：2018-02-13

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 朱嘉琦 ,  王强 ,  代兵 ,  白洁 ,  杨磊 ,  刘康 ,  舒国阳 ,  赵继文 ,  孙明琪 ,  姚凯丽 ,  刘本建 ,  韩杰才

IPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56

CPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56

摘要： 本发明提供了一种用于微量试剂无损拾取转移的仿生涂层，属于仿生超疏水材料的制备技术领域。本发明包括以下步骤：一、通过微波等离子体化学气相沉积法，制备出具有超疏水性能的表面氢化的金刚石微球。二、将制备的超疏水金刚石微球通过环氧树脂胶水均匀胶粘到转移装置的表面，固化24小时使复合涂层稳定。三、将未与转移装置表面牢固结合的金刚石微球去除，使清理后的涂层表面获得超疏水且具有超高粘滞力的特殊浸润性能。本发明具有较好的力学性能，并且对强酸强碱的腐蚀性的水溶试剂能保持稳定的性能，为微量水溶试剂的无损拾取与转移提供了一种新途径。

公开(公告)号：CN104220635B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201280068267.3

申请日：2012-12-12

申请人： 六号元素技术有限公司

发明人： P·N·英格利斯 ,  J·R·布莱顿 ,  J·M·多德森 ,  T·P·莫拉特

IPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/01 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  G02B1/113 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  Y10T428/24355

摘要： 一种多晶化学气相沉积(CVD)金刚石晶片包括：等于或大于125mm的最大线性尺寸；等于或大于200μm的厚度；以及在室温下(标称298K)在多晶CVD金刚石晶片的至少中心区域上测量的以下特性中的一个或两个，所述中心区域是圆形的，以多晶CVD金刚石晶片的中心点为中心，并且所述中心区域的直径是多晶CVD金刚石晶片的最大线性尺寸的至少70％：在10.6μm处，吸收系数≤0.2cm‑1；以及在145GHz时介电损耗系数为tanδ≤2×10‑4。

公开(公告)号：CN107068522A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710167652.8

申请日：2014-12-05

申请人： 佳能株式会社

发明人： 山田修嗣 ,  塚本健夫 ,  小仓孝夫 ,  吉武惟之 ,  五十岚洋一

IPC分类号： H01J35/02 ,  H01J35/04

CPC分类号： H01J35/08 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  G01N23/04 ,  H01J35/045 ,  H01J2235/02 ,  H01J2235/081 ,  H01J2235/084 ,  H01J2235/087 ,  H01J2235/186 ,  H01J35/02 ,  H01J35/04

摘要： 本公开内容涉及透射型靶和设有透射型靶的X射线发生管。透射型靶包括靶层和被配置为支撑该靶层的透射基板。透射基板具有彼此面对的一对表面，并且由多晶金刚石形成。在透射基板中，所述一对表面中的一个表面包括具有第一平均晶粒直径的多晶金刚石，第一平均晶粒直径小于与该表面相对的另一个表面上所包括的多晶金刚石的第二平均晶粒直径。靶层由所述一对表面中的任何一个表面支撑。

公开(公告)号：CN106744867A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611235846.9

申请日：2016-12-28

申请人： 镇江博昊科技有限公司

发明人： 杨云胜 ,  杨星 ,  郭颢 ,  蒋伟良

IPC分类号： C01B32/186 ,  C23C16/26

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/01

摘要： 本发明涉及一种高柔软度的石墨烯复合材料，自上而下依次包括第一石墨烯层、第二石墨烯层和第三石墨烯层，所述第二石墨烯层中设有第一支撑铜板组和第二支撑铜板组，第一支撑铜板组和第二支撑铜板组均由若干支撑铜板组成，所述支撑铜板包括支撑基座和固定在支撑基座上的辅助支撑板，所述辅助支撑板的顶部向内凹陷形成承压槽，第一支撑铜板组和第二支撑铜板组的支撑铜板相互交替的相对设置，大幅提高了导热性能，散热效果好，大幅提高了产品的使用寿命。

公开(公告)号：CN106567055A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510665056.3

申请日：2015-10-08

申请人： 中国科学院金属研究所

发明人： 任文才 ,  高旸 ,  马来鹏 ,  马腾 ,  成会明

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/01 ,  C30B25/02 ,  C30B29/64 ,  C30B29/46

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/01 ,  C30B25/02 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

摘要： 本发明涉及二硫化钨领域，具体为一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法。采用化学气相沉积技术，以对钨溶解度极低的金为生长基体，在常压下利用钨源和硫源高温下在金基体表面催化反应，自限制生长完全单层的二硫化钨的大尺寸单晶和大面积连续薄膜。利用常压条件下所得二硫化钨和金基体结合较弱的特点，分别采用鼓泡转移方法和鼓泡与卷对卷转移相结合的方法，在不破坏金基体的情况下将大面积完全单层的二硫化钨转移至刚性和柔性基体上。采用本发明可获得完全单层的高质量毫米级二硫化钨单晶和大面积连续薄膜，为单层二硫化钨在电子/光电子器件、自旋器件和太阳能电池、气体/光传感器、柔性薄膜电子/光电子器件等领域的应用奠定基础。

公开(公告)号：CN106011775A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610503165.X

申请日：2016-06-29

申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

发明人： 彭丽萍 ,  吴卫东 ,  王雪敏 ,  樊笼 ,  蒋涛 ,  王新明 ,  湛治强 ,  沈昌乐 ,  阎大伟 ,  赵妍 ,  黎维华 ,  邓青华

IPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/48

CPC分类号： C23C16/483 ,  C23C16/01

摘要： 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真空腔体，当基片上涂覆一个单分子层的聚合物分子单体时，一束低能量密度的激光诱导聚合物单体发生聚合，实现聚合物单体分子层内的聚合生长。该方法通过在衬底上制备脱膜层和去除脱膜层的方法获得自支撑的聚合物薄膜，较好的解决了超薄的聚合物薄膜难以支撑的问题，采用该方法可获得厚度为10nm，支撑在3mm圆孔上的聚合物薄膜，且原料浪费少，成品率高，实用性强，是一种较好的获得超薄自支撑聚合物薄膜的方法。

公开(公告)号：CN104508178B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280075046.9

申请日：2012-09-13

申请人： 东海炭素株式会社

发明人： 杉原孝臣 ,  朝仓正明 ,  德永武士 ,  贞木哲也

IPC分类号： C23C16/42 ,  C04B35/565 ,  C23C16/01

CPC分类号： C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325

摘要： 本发明提供一种CVD?SiC成型体，其可以适合用作在半导体制造工序中使用的蚀刻器用构件等，该成型体的光透射性低、电阻率高。提供一种SiC成型体，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，优选的是电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。

公开(公告)号：CN105339302A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480035722.9

申请日：2014-03-24

申请人： 瓦克化学股份公司

发明人： 米夏埃尔·克舍尔 ,  赖纳·佩什 ,  阿明·桑德纳

IPC分类号： C01B33/035 ,  G01N29/00 ,  G01N21/00

CPC分类号： C23C16/01 ,  B02C23/08 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  G01N29/09 ,  G01N2291/0234 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682

摘要： 用于制备多晶硅的方法，包括：在位于至少一个反应器中的支撑体上沉积多晶硅，其结果是获得多晶硅棒，从至少一个反应器中形成多晶硅棒，将形成的多晶硅棒粉碎成段，特征在于在从至少一个反应器中形成多晶硅棒之后，并且在将形成的多晶硅棒成粉碎成段之前，以棒形式存在的多晶硅参照至少一种特征分类为至少两种质量类别，将每一至少两种质量类别发送至单独的进一步的加工步骤。

公开(公告)号：CN104736645A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201280076591.X

申请日：2012-09-13

申请人： 爱卡美国公司

发明人： T·奥利尼克 ,  K·埃格博斯

IPC分类号： C09C1/00 ,  C09C1/64 ,  C23C14/00

CPC分类号： B22F9/04 ,  C09C1/0015 ,  C09C1/64 ,  C09D17/00 ,  C09D17/002 ,  C09D17/006 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/024 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  C23C14/546 ,  C23C16/01 ,  C23C16/06

摘要： 描述了形成小片材料，例如薄片，其中包括，但不限于金属薄片，例如铝薄片的方法。该方法牵涉施加剥离体系到载体或转鼓上，随后溶解，释放在其上形成的一层或多层不溶解层，例如一层或多层金属层。描述了特定组的分散剂，当掺入到剥离体系内时，它导致改进的工艺效率，和更加一致的产品。描述了本发明的额外特征和方面。