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公开(公告)号：CN113932843B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202111445202.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法，包括：测试腔，其内设置有放置待测传感器样品的平台；设置在与测试腔上方的盖体，其在与平台相配合的位置上设置有透明窗口；设置在平台下方的第一加热机构；设置在测试腔内以获取对应湿度、温度、压力相关参数的传感器组；与传感器组通信连接的控制器；与测试腔相配合的真空泵；与测试腔相配合的加湿器、机械泵、空气压缩机。本发明提供一种对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法，提供多个环境场景的在线检测需要，保证检测信号的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117447736A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311391882.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种有机湿敏薄膜及其在湿度传感器的应用，包括：以四羧酸二酐与芳香二胺为原料，在高沸点极性溶剂中进行缩合反应，生成聚酰胺酸溶液；将合成的聚酰胺酸溶液以旋涂的方式在衬底上原位形成均匀的聚酰胺酸薄膜；将旋涂成型的聚酰胺酸薄膜置于真空烘箱中，在程序控温条件下将聚酰胺酸脱水环化生成聚酰亚胺，最终获得聚酰亚胺湿敏薄膜。本发明的有机湿敏薄膜应用于湿度传感器中的湿度测量元件，并且提高了湿度传感器的灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN114062447B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111442683.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种应用于低湿度环境的超薄湿敏传感器，所述超薄湿敏传感器的结构从下至上包括：厚度100μm左右的石英衬底；设置在石英衬底一侧的感湿膜层；设置在石英衬底上并与感湿膜层相邻接的转换电路芯片倒装区；用于与外部控制电路板连接的软导线；其中，所述软导线在与感湿膜层、转换电路芯片倒装区相配合的位置上设置有开口；所述石英衬底上设置有与感湿膜层相配合的叉指电极，所述叉指电极、转换电路芯片、软导线通过刻蚀在石英衬底上的连接电路实现连接。本发明提供一种检测低湿度环境的湿敏传感器，可以对无法进入人或者设备的狭小空间内的低湿度环境变化进行检测，适应性更好。
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公开(公告)号：CN114910828A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210527311.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光器快速退火效果，即金属电极是否达到良好的欧姆接触；本发明克服了依据电流‑电压关系曲线判断量子级联激光器金属电极快速退火是否达到欧姆接触比较复杂的问题，具有简单、方便、快捷等优点，同时，也可以推广到其它半导体激光器、光电传感器金属电极快速退火效果的判断。
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公开(公告)号：CN113873738A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111128002.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种自支撑碳基电容器靶及其制备方法，包括：利用直流磁控溅射技术在硅基底上制备Cr膜，再制备铜膜作为牺牲层，以此为衬底，制备微米厚度的α‑C膜，利用光刻工艺、射频磁控溅射工艺、氧等离子体刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺制备具有表面结构的α‑C膜；利用脉冲激光沉积技术在抛光铜箔上制备DLC膜；将DLC膜的抛光铜箔熔去，并在去离子水中清洗多次；用有表面结构的α‑C膜去捞漂浮在水面的DLC膜，然后溶解铜膜，得到碳基双层膜；把碳基双层膜在去离子水中清洗多次，用带圆孔的靶架捞出碳基双层膜，自然挥发干，得到自支撑碳基电容器靶。本发明能有效地实现自支撑碳基双层结构靶，操作方便，且该自支撑碳基电容器靶，有望在物理实验中取得预期结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110904412B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201911291389.9
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，包括：在太赫兹器件表面沉积导热薄膜；所述太赫兹器件为太赫兹量子级联激光器。所述导热薄膜为氮化铝薄膜；所述沉积采用的方法为脉冲激光沉积法所述脉冲激光沉积法的过程为：将太赫兹量子级联激光器装入脉冲激光沉积设备中，采用AlN陶瓷靶进行沉积；设置沉积参数：抽真空，激光能量200mJ，频率2Hz，靶基距10cm，所述氮化铝薄膜的厚度为0.8～1.2μm。本发明采用在太赫兹器件表面沉积导热薄膜，更优选为氮化铝薄膜，该氮化铝薄膜覆盖太赫兹量子级联激光器的输出功率得到明显提高，表明通过制备氮化铝薄膜覆盖太赫兹量子级联激光器可以提高器件的散热，从而达到提高器件输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN112165276B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202011007978.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种超导小球的磁悬浮支撑定位装置及支撑定位调节方法，包括：类球形腔体，其下端外部套设有环形磁铁和高度调节线圈；类球形腔体侧面外部设置有水平凸起平台；水平凸起平台外围绕设有水平位置调节线圈；类球形腔体上端和下端分别设置有上端凸起平台和下端凸起平台；由于超导小球的抗磁特性，超导小球悬浮在类球形腔体正中央；高度调节线圈用于调节超导小球的竖直高度，水平位置调节线圈用于调节超导小球的水平位置，从而通过高度调节线圈和水平位置调节线圈的附加磁场来补偿装配产生的误差，以满足激光聚变对超导小球定位的苛刻要求。水平位置调节线圈和高度调节线圈连接有PID控制电流源，可以实现对超导小球快速精准的定位。
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公开(公告)号：CN109280969A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811352761.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: C30B29/16 , C30B23/00 , C30B23/002
Abstract: 本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接触，也不与封帽直接接触，使得生长在籽晶上的晶体也不会与坩埚和封帽直接接触，使晶体在生长过程中不容易出现应力集中和晶体开裂现象。本发明避免了籽晶、生长在籽晶上的晶体与容器壁直接接触，防止了生长和降温过程中的应力集中、粘连、开裂现象，防止了空洞、起泡等缺陷生成，提高了晶体的结晶质量。由上述气相晶体生长方法制得的氧化锌晶体具有更高的质量，能够满足更多应用要求。
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公开(公告)号：CN109183142A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811352750.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供一种籽晶托及其制备方法，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出以供晶体生长。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。一种籽晶托的制备方法，包括：对表面带有二氧化硅的底座、夹持组件依次进行表面活化处理、亲水处理。表面活化处理的功率为60-100w，氧气流量为60-100ml/min，活化时间为20-40分钟。
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公开(公告)号：CN106367806A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610879771.1
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100-200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12-23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。
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