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公开(公告)号：CN117447736A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311391882.4
申请日：2023-10-25
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本发明公开了一种有机湿敏薄膜及其在湿度传感器的应用，包括：以四羧酸二酐与芳香二胺为原料，在高沸点极性溶剂中进行缩合反应，生成聚酰胺酸溶液；将合成的聚酰胺酸溶液以旋涂的方式在衬底上原位形成均匀的聚酰胺酸薄膜；将旋涂成型的聚酰胺酸薄膜置于真空烘箱中，在程序控温条件下将聚酰胺酸脱水环化生成聚酰亚胺，最终获得聚酰亚胺湿敏薄膜。本发明的有机湿敏薄膜应用于湿度传感器中的湿度测量元件，并且提高了湿度传感器的灵敏度和精度。
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公开(公告)号：CN114910828A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210527311.8
申请日：2022-05-16
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01R31/66 , G01R19/04 , C23C14/14 , C23C14/30 , C23C14/58 , H01S5/042 , H01S5/34 , H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光器快速退火效果，即金属电极是否达到良好的欧姆接触；本发明克服了依据电流‑电压关系曲线判断量子级联激光器金属电极快速退火是否达到欧姆接触比较复杂的问题，具有简单、方便、快捷等优点，同时，也可以推广到其它半导体激光器、光电传感器金属电极快速退火效果的判断。
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公开(公告)号：CN114910828B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210527311.8
申请日：2022-05-16
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01R31/66 , G01R19/04 , C23C14/14 , C23C14/30 , C23C14/58 , H01S5/042 , H01S5/34 , H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光器快速退火效果，即金属电极是否达到良好的欧姆接触；本发明克服了依据电流‑电压关系曲线判断量子级联激光器金属电极快速退火是否达到欧姆接触比较复杂的问题，具有简单、方便、快捷等优点，同时，也可以推广到其它半导体激光器、光电传感器金属电极快速退火效果的判断。
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公开(公告)号：CN116469842B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310731882.8
申请日：2023-06-20
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： H01L23/14 , G01K7/18 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种低温温度传感器芯片封装结构及封装方法，涉及半导体芯片封装及温度传感器技术领域，其包括封装结构A，封装结构A包括：基板，其上设置有引线焊盘Ⅰ和芯片黏结盘，基板下表面设置有下金属厚膜；低温温度传感器芯片，其上设置有引线焊盘Ⅱ，引线焊盘Ⅰ与引线焊盘Ⅱ之间连接有金属丝；上盖，其上表面镀有上金属厚膜，上盖装配在基板上；导线；封装结构A贴附在铜壳的U型空腔内；U型空腔内填充有填充胶。本发明实现了低温温度传感器芯片与外界环境的物理隔离，能有效屏蔽外界环境对芯片电学性能的干扰，保证低温温度传感器芯片与铜壳的优良热连接，并确保封装后器件保持原来
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公开(公告)号：CN116469842A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310731882.8
申请日：2023-06-20
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： H01L23/14 , G01K7/18 , H01L23/10 , H01L23/373 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种低温温度传感器芯片封装结构及封装方法，涉及半导体芯片封装及温度传感器技术领域，其包括封装结构A，封装结构A包括：基板，其上设置有引线焊盘Ⅰ和芯片黏结盘，基板下表面设置有下金属厚膜；低温温度传感器芯片，其上设置有引线焊盘Ⅱ，引线焊盘Ⅰ与引线焊盘Ⅱ之间连接有金属丝；上盖，其上表面镀有上金属厚膜，上盖装配在基板上；导线；封装结构A贴附在铜壳的U型空腔内；U型空腔内填充有填充胶。本发明实现了低温温度传感器芯片与外界环境的物理隔离，能有效屏蔽外界环境对芯片电学性能的干扰，保证低温温度传感器芯片与铜壳的优良热连接，并确保封装后器件保持原来优良的特性参数和使用过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN115684274A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211422202.6
申请日：2022-11-14
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本发明公开了一种具备防尘、加热功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内，且所述微纳防尘罩对应所述衬底垂直开设有微米级的多个第一通孔；加热组件，其设置在所述微纳防尘罩上，且所述加热组件与所述钯镍合金薄膜相对应。本发明，通过微纳防尘罩实现对钯镍合金薄膜的防尘封装，并在微纳防尘罩上集成设置加热组件，实现对氢气传感器均匀加热、微米量级防尘的同时大幅缩减封装体积，具有提升防尘效果、保障加热效果、减小封装体积的有益效果。
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公开(公告)号：CN113739949A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111039736.6
申请日：2021-09-06
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明公开了一种基于多层量子阱结构的深低温温度传感器及其制备方法，包括：由下至上依次设置的传热层，衬底层，带有下电极的缓冲层，由多个量子阱周期组成的温敏层，带有上电极的接触层；每个所述量子阱周期由多层不同厚度的Al0.15Ga0.85As和GaAs交替组成。本发明提供一种基于GaAs材料体系的多层量子阱结构，在深低温环境下对电子在多层量子阱结构中的输运过程进行精确控制，从而显著提高本装置在各个低温区间的相对灵敏度；同时能够依据不同低温温度区间的高精度温度测量需要，对量子阱的多层结构进行灵活的生长裁剪，实现对不同低温区间的高精度温度测量。
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公开(公告)号：CN105784183B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610297351.2
申请日：2016-05-06
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01K7/22
摘要： 本发明提供了一种贴片式温度传感器及其制备工艺，属于涉及温度计领域，其包括基底，位于基底上的锗膜，以及位于锗膜上的叉指电极，叉指电极的两个电极各连接一条导线。制备工艺先采用超高背底真空条件，高纯氩气和高纯度锗靶的磁控溅射技术在基底的表面制备高纯锗膜作为温敏材料，又在锗膜的表面制备叉指电极以减小锗膜的电阻，然后在叉指电极引出导线作为温度传感器的输出信号引线。温度传感器呈片状，温度传感器的长度和宽度均不大于1mm，温度传感器的厚度不大于550μm，温度传感器的体积小，因此可直接贴到待测物体表面的任意局部，通过测量锗膜的电阻值，就可用来测量物体表面局部温度的快速变化，温度传感器的测量精确度高且稳定。
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公开(公告)号：CN113739949B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111039736.6
申请日：2021-09-06
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明公开了一种基于多层量子阱结构的深低温温度传感器及其制备方法，包括：由下至上依次设置的传热层，衬底层，带有下电极的缓冲层，由多个量子阱周期组成的温敏层，带有上电极的接触层；每个所述量子阱周期由多层不同厚度的Al0.15Ga0.85As和GaAs交替组成。本发明提供一种基于GaAs材料体系的多层量子阱结构，在深低温环境下对电子在多层量子阱结构中的输运过程进行精确控制，从而显著提高本装置在各个低温区间的相对灵敏度；同时能够依据不同低温温度区间的高精度温度测量需要，对量子阱的多层结构进行灵活的生长裁剪，实现对不同低温区间的高精度温度测量。
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公开(公告)号：CN115684275A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211424769.7
申请日：2022-11-14
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要： 本发明公开了一种具备防尘功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内，且所述微纳防尘罩对应所述衬底垂直开设有微米级的多个小通孔。本发明，将防尘罩尺寸缩小，同时通过在防尘罩上加工特殊结构可完全防止尺寸在数十微米量级上灰尘颗粒沾污，在大幅缩减封装体积的同时确保器件性能不受影响，具有保障响应速度、保障探测精度、延长使用寿命的有益效果。
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