公开(公告)号：CN109440081A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811568346.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 吴军 ,  杨东阳 ,  吕诚 ,  姚林 ,  万建国

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明涉及一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法，采用二茂铁作为固体碳源，将盛有固体碳源的容器放在管式炉的进气端，并用加热源对碳源所处位置区域加热，形成碳源稳定挥发的区域，温度控制在160℃-250℃；选用铜作为衬底，其反应温度控制在900℃-1060℃，氢气和氩气作为载气，调节气体浓度和总气流量的大小，生长出高铁掺杂浓度的石墨烯薄膜。本发明以固体二茂铁作为碳源，一步合成高浓度铁掺杂石墨烯薄膜。同时，磁性铁原子的引入开辟了CVD磁性石墨烯的制备与合成的新方向，为石墨烯基器件在自旋电子学中的应用提供了物质基础。

公开(公告)号：CN109440081B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201811568346.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 吴军 ,  杨东阳 ,  吕诚 ,  姚林 ,  万建国

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明涉及一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法，采用二茂铁作为固体碳源，将盛有固体碳源的容器放在管式炉的进气端，并用加热源对碳源所处位置区域加热，形成碳源稳定挥发的区域，温度控制在160℃‑250℃；选用铜作为衬底，其反应温度控制在900℃‑1060℃，氢气和氩气作为载气，调节气体浓度和总气流量的大小，生长出高铁掺杂浓度的石墨烯薄膜。本发明以固体二茂铁作为碳源，一步合成高浓度铁掺杂石墨烯薄膜。同时，磁性铁原子的引入开辟了CVD磁性石墨烯的制备与合成的新方向，为石墨烯基器件在自旋电子学中的应用提供了物质基础。