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公开(公告)号：CN116121869B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310154647.9
申请日：2023-02-23
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
摘要： 本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH)，分子量为209.52，采用水热法或室温溶液法制成，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=20.151(9)Å，b=7.770(3)Å，c=11.519(5)Å，α=90°，β=117.225(5)°，γ=90°，单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体，紫外截止边低于200 nm，双折射率为0.049@1064 nm，该晶体的化学稳定性良好，能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要作用。
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公开(公告)号：CN116282200B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310304109.3
申请日：2023-03-27
申请人： 厦门厦钨新能源材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种嵌钠钴锰复合氧化物及嵌钠的锂离子电池正极材料，制备方法包括：S1，获得钴锰金属化合物前驱体；S2，将S1所述前驱体、钠金属化合物、水、添加剂、氧化剂加入到反应器中进行反应；S3，控制所述反应器的中钠离子的浓度为3～12mol/L，反应温度为20～90℃，反应时间为3～60h；S4，向S3中所得反应物料中加入强氧化剂，控制反应条件使钠离子嵌入钴锰复合氢氧化物结构中，得到嵌钠钴锰复合氢氧化物；S5，将S4中所得反应物料进行固液分离，收集固相进行热处理，得到嵌钠钴锰复合氧化物。将嵌钠钴锰复合氧化物补加锂源进一步煅烧，得到的锂离子电池材料在克容量、首次充放电效率上获得明显的提升，有利于制备高性能的储能电池。
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公开(公告)号：CN118651822A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410598130.3
申请日：2024-05-14
申请人： 福建理工大学
摘要： 本申请公开了一种无机化合物及其制备方法和应用。所述的无机化合物的化学式为NaMn2(IO3)6，属于三方晶系，空间群为P3，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝β＝90°,γ＝120°,Z＝1。所述无机化合物具有非线性光学效应，在1064nm激光照射下其粉末倍频效应为KH2PO4(KDP)的0.55倍；在低温10K下，所述无机化合物具有亚铁磁性。
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公开(公告)号：CN118621421A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310225861.9
申请日：2023-03-10
申请人： 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开一种具有旋转温场的晶体生长设备，包括：炉盖；炉体；防护外壳；以及固定于炉体底部的旋转组件；所述炉体包括加热组件以及被加热组件三面环围形成的炉腔；在所述炉腔中设置有坩埚和控温元件，所述坩埚通过吊丝悬挂于所述炉腔的中心；所述旋转组件包括与炉体同轴设置的中空旋转轴，以及沿所述中空旋转轴轴向设置并套设其上的轴承组件；所述轴承组件由多个轴承组成，所述轴承的内圈与中空旋转轴固定，所述轴承的外圈通过轴承固定架与所述防护外壳固定；在所述中空旋转轴的侧壁上还配置有用于铺设导线的贯通孔。该设备有利于溶质内质量输运和热量输运，从而提高晶体生长速率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN116136028B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111370724.1
申请日：2021-11-18
申请人： 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本发明公开了一种无机非线性光学晶体，涉及一种水合氟钨酸钾非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式是K2WO3F2·H2O，属于单斜晶系，空间群为Pm，晶胞参数是#imgabs0##imgabs1#α＝γ＝90°，β＝98.453(9)，#imgabs2#采用简单的水热法生长出了纯相的水合氟钨酸钾晶体。该晶体在可见‑近红外光区具有高的光学反射率，其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)的6倍，并能够实现相位匹配。该晶体易于合成、稳定性好、不潮解、机械性能良好，在全固态激光器、光电调制器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN118574482A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410769109.5
申请日：2024-06-14
申请人： 南京工程学院
摘要： 本发明公开一种高熵外延自供能钙钛矿铁电薄膜的制备方法，通过微波水热法在钛酸锶衬底上生长外延薄膜，该薄膜成分为Bi(Fe0.2Ni0.2Co0.2Mn0.2V0.2)O3，通过高熵多主元变价元素设计产生的轨道杂化将铁电薄膜的带隙降到1.2eV，提升可见光吸收，以铁电光伏效应对可见光与紫外光进行探测；同时薄膜兼具热释电性，梯度分布的离子半径产生的晶格畸变以及鸡尾酒效应宽化键的伸缩与弯曲振动峰，提升对红外光的吸收与热释电电流，能够吸收0.2‑20微米波长范围的光，且可在无外加电压的情况下产生铁电光伏与热释电电流，实现全波长自供能的光电探测。
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公开(公告)号：CN118461129A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410524808.3
申请日：2024-04-29
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明提供了一种制备六硼化物(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶的方法，由该方法制备得到单相固溶体多晶，以及包括该单相固溶体多晶的阴极。根据本发明的方法包括如下步骤：1)首先对La2O3、B4C、BaCO3、B粉按摩尔比0.5x:(1‑x):1:(2+0.5x)进行球磨、干燥、过筛使得粉末粒径为8微米以下；2)将混合粉末预压成块在石墨坩埚中在进行反应；3)对粉末进行净化处理，用新鲜配制的盐酸溶液进行酸洗；4)将步骤3)得到的粉末进行SPS烧结得到(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶。根据本发明的(LaxBa1‑x)B6单相固溶体多晶具有优异的热发射性能。
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公开(公告)号：CN118398654A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410852547.8
申请日：2024-06-28
申请人： 合肥欧益睿芯科技有限公司
发明人： 刘新雷
IPC分类号： H01L29/267 , H01L21/02 , H01L29/778 , C30B29/18 , C30B29/38 , C30B29/10 , C30B29/36 , C30B25/02
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管和射频器件，所述外延片包括：衬底，衬底为硅衬底；外延层，外延层位于衬底之上，外延层为多层结构，外延层的最下层为成核层；外延插入层，外延插入层位于衬底与外延层之间，外延插入层包括介质层和碳化硅层，介质层位于衬底上，介质层具有镂空区域，以部分地覆盖衬底且在衬底与镂空区域相对应的位置形成衬底裸露区，碳化硅层位于衬底和介质层上，碳化硅层覆盖介质层和衬底裸露区。本发明能够大大提高碳化硅层的质量，即提高外延插入层的质量，从而在提高外延层质量的同时，有效降低最终制成的射频器件的射频损耗。
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公开(公告)号：CN117403316B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311390260.X
申请日：2023-10-25
申请人： 大连理工大学宁波研究院 , 大连理工大学
摘要： 本发明公开一种水合物晶体生长籽晶杆，包括杆体，杆体内部由内到外依次设置有进液通道和控温通道，进液通道与控温通道之间不连通，进液通道的两端分别设置有第一出液端口和第一进液端口，第一出液端口设置于杆体的下端，杆体的上端设置有连接端部，控温通道上设置有第二出液端口和第二进液端口，所述第二出液端口和第二进液端口设置于杆体的中上部，第一进液端口设置于第二进液端口的上方。本发明在杆体上合理地设置进液通道和控温通道，通过在控温通道中通入一定温度的控温介质，使得进液通道中的液体能够处于一个理想的温度状态，以保证第一出液端口位置水合物晶体的快速生成和对溶液中水合物晶体生长形态的观测。
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公开(公告)号：CN114639829B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210192528.8
申请日：2022-03-01
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种金属掺杂聚阴离子化合物正极电极材料及其制备方法，属于钠电池正极电极材料技术领域，解决钠电池正极电极材料简便制备方法的技术问题。包括以下步骤：按摩尔比称取原料进行固相混合，向固相混合物中加入去离子水和乙二醇的混合溶液，然后充分搅拌制得浅黄色溶液；将浅黄色溶液放入聚四氟乙烯内衬反应釜中密封后升温进行反应；然后冷却至室温，将反应物洗净并干燥后制得Fe掺杂前驱体；最后，将前驱体充分研磨后进行退火处理，制得Fe元素掺杂聚阴离子化合物正极电极材料，该材料为微米尺度立方体晶体，并且在基体的粗糙表面上自发生长出纳米尺度小颗粒。本发明通过一步水热法制得的，合成方法简单，易于操作，原料廉价易得，环境友好。
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