一种高熵外延自供能钙钛矿铁电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN118574482A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410769109.5

    申请日:2024-06-14

    摘要: 本发明公开一种高熵外延自供能钙钛矿铁电薄膜的制备方法,通过微波水热法在钛酸锶衬底上生长外延薄膜,该薄膜成分为Bi(Fe0.2Ni0.2Co0.2Mn0.2V0.2)O3,通过高熵多主元变价元素设计产生的轨道杂化将铁电薄膜的带隙降到1.2eV,提升可见光吸收,以铁电光伏效应对可见光与紫外光进行探测;同时薄膜兼具热释电性,梯度分布的离子半径产生的晶格畸变以及鸡尾酒效应宽化键的伸缩与弯曲振动峰,提升对红外光的吸收与热释电电流,能够吸收0.2‑20微米波长范围的光,且可在无外加电压的情况下产生铁电光伏与热释电电流,实现全波长自供能的光电探测。

    一种基于微波水热法快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112408491A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011293872.3

    申请日:2020-11-18

    IPC分类号: C01G49/00

    摘要: 本发明公开了一种基于微波水热法以快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法,该方法的制备流程为首先通过氧等离子体清洗钙钛矿结构的单晶衬底,以获得活化的表面,然后将衬底放在定制的聚四氟乙烯模具中,放入反应釜中,然后加入由铁盐,铋盐和氢氧化钾矿化剂混合而成的悬浊液中,微波加热反应25分钟,将衬底去除,经过稀硝酸,乙醇和去离子水超声清洗烘干后,得到超薄的外延铁酸铋薄膜,制备出的薄膜光亮平整,厚度超薄为200nm左右,且为(001)方向外延结构。

    一种基于三维力检测的笔迹鉴定压电笔的制作方法

    公开(公告)号:CN115593137A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211376028.6

    申请日:2022-11-04

    IPC分类号: B43K15/00 G01L5/167

    摘要: 本发明提供了一种基于三维力检测的笔迹鉴定压电笔的制作方法。该方法通过在笔芯Z方向上放置一块压电陶瓷,X和Y方向在接近接近笔尖的一端贴着笔芯放置极化方向相反的两块压电陶瓷,相对连接导线,在圆珠笔顶端灌入树脂固化以固定压电陶瓷,制成压电笔;书写时,将三方向的导线间各自并联一超大电阻,测量三块压电陶瓷在书写过程中开路电压随时间的变化曲线,转换成XYZ方向的力‑时间曲线的特征,以鉴定笔迹。该方法能够抑制温度波动与压电笔整体振动,以及信号漂移造成的热释电、压电与测量电路干扰信号;通过扣基线得到真实的开路电压,进行积分得到三维力‑时间曲线,从而大大增强了书写过程中力信号的提取,具有高度准确的笔迹鉴定能力。

    一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法

    公开(公告)号:CN113820580A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111119651.9

    申请日:2021-09-24

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种免镀电极的铁电材料任意两点间电滞回线的测量方法,该方法的过程为:铁电材料固定在探针台上,将两个探针压在铁电材料的两处,通过半导体参数分析仪测量不同偏压下两点间的电容,得到CV曲线,然后CV曲线将电容信号分离为漏导信号、线性极化电容、铁电极化电容三部分,经过处理得到铁电薄膜任意两点间的铁电极化电容‑偏压曲线,即为电滞回线。该方法不需要进行电极制备并浸在硅油中,大大简化测量过程;可测量铁电薄膜表面任意两点间的电滞回线,得到水平方向的极化信息,也可以测量铁电纳米材料的电滞回线,也可以在测量的同时施加光照,应力等外场进行原位测量,大大拓展了铁电材料电滞回线测量范围。

    一种基于微波水热法快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112408491B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202011293872.3

    申请日:2020-11-18

    IPC分类号: C01G49/00

    摘要: 本发明公开了一种基于微波水热法以快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法,该方法的制备流程为首先通过氧等离子体清洗钙钛矿结构的单晶衬底,以获得活化的表面,然后将衬底放在定制的聚四氟乙烯模具中,放入反应釜中,然后加入由铁盐,铋盐和氢氧化钾矿化剂混合而成的悬浊液中,微波加热反应25分钟,将衬底去除,经过稀硝酸,乙醇和去离子水超声清洗烘干后,得到超薄的外延铁酸铋薄膜,制备出的薄膜光亮平整,厚度超薄为200nm左右,且为(001)方向外延结构。