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公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN118773745A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410860163.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 武汉高芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体涉及一种碲镉汞母液及其制备方法，包括如下步骤：S1、获取碲化汞固体，所述碲化汞固体中的汞和碲具有一定的比例；S2、按照碲镉汞母液中所需镉、碲、汞的比例称取一定量的单质镉、单质碲以及所述碲化汞固体，制备碲镉汞母液。本发明先获取碲化汞固体，然后利用所获取的碲化汞固体以及单质镉、单质碲三种原料合成碲镉汞母液，通过以碲化汞固体代替液态汞原料进行碲镉汞母液的制备，可以在原材料除气、氢氧焰封管过程中减少汞蒸汽的挥发，使得碲镉汞母液的配比更精准，更加接近理论计算值。
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公开(公告)号：CN117888184A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410221880.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封闭式液相外延炉旋转搅拌下片装置及方法，该装置包括搅拌筒、穿装在搅拌筒上的夹具以及安设于炉膛口的双层盖板，所述夹具的卡爪置于搅拌筒内，其高度小于搅拌筒的高度，所述夹具的上端穿出搅拌筒外向上延伸并与连接杆相连，所述夹具与搅拌筒之间通过限位机构相连，所述搅拌筒的上端设有悬挂板，所述双层盖板上设有便于悬挂板悬挂的环形空间以及便于搅拌筒下放的通孔，采用该装置，在搅拌筒搅拌匀化溶液后，将搅拌筒悬挂在盖板上，和夹具分离，使夹具单独下拉到坩埚内，衬底和高温溶液接触，通过旋转速度和温度控制生长铋置换稀土铁石榴石单晶薄膜。本发明通过对搅拌筒以及夹具和双层盖板的设计，通过旋转急停角度方向控制，可以不必再搅拌后开炉卸下搅拌筒，再安装连有夹具、衬底的连接杆，尤其是在高温状态不可打开的封闭炉膛内，让液相外延生长铋置换稀土铁石榴石单晶薄膜过程中先旋转搅拌后，再下片外延生长成为可能，简化了生产流程，提升了工作效率。
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公开(公告)号：CN116695255A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310677185.9
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京晶格领域半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅单晶的生长方法，所述方法采用具有保温层的碳化硅单晶的液相法生长装置进行，保温层包括上保温区域、外围保温区域以及下保温区域；通过改变外围保温区域的外形实现对液相法生长碳化硅单晶的温场的控制；所述方法为：选择生长原料；使生长原料装盛在坩埚主体内，加热以使生长原料熔化成液态；使籽晶杆上固定的籽晶下降至与液态的生长原料液面相接触进行碳化硅单晶的生长，得到碳化硅单晶。本发明可对晶体生长的温场进行多样性调控，为晶体生长提供了更多的可能性。
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公开(公告)号：CN116005262B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310008003.9
申请日：2023-01-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114150367B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111419691.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高温合金相关技术领域，并公开了一种高温合金单晶缺陷的激光熔覆修复方法及修复系统。该方法包括下列步骤：S1对于材料为高温合金单晶的待修复对象，确定该待修复对象的 晶向；S2在待修复对象上待修复处开槽，利用金属粉末进行激光熔覆逐层填补该槽，以此实现待修复对象的修复，其中，在激光熔覆过程中，离轴热流方向垂直与所述槽中坡面内表面，且所述离轴热流方向与 中角度最近的晶向的夹角不超过30°，以此抑制修复过程中杂晶的生长。本发明还公开了上述修复方法所采用的修复系统。通过本发明，解决高温合金单晶修复过程中易于产生杂晶和裂纹的问题。
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公开(公告)号：CN108411371B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810562755.9
申请日：2018-06-04
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳，包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段，一级放大器和二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体，一级引晶段和二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体，一级放大器直径较大的一端与一级引晶段密封连接，一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板，圆环形挡板的内圈与二级放大器直径较小的一端密封连接，二级放大器直径较大的一端与二级引晶段的一端密封连接。一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳的制造方法，首先制造蜡模，并在蜡模外壁涂挂陶瓷，然后经脱蜡和焙烧得到模壳。本发明籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及制造方法提高了籽晶法制备单晶合金的生产效率。
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公开(公告)号：CN116145133A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310107170.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于结构修复技术领域，涉及一种镍基单晶高温合金激光外延生长的方法，通过激光熔覆镍基单晶合金熔池的数值模拟，得到熔池内的温度梯度分布，利用理论模型精确预测枝晶生长方向与速度，并通过判断是否实现枝晶外延生长来确定最优激光工艺参数，再通过激光熔覆技术，对镍基单晶高温合金进行激光熔覆，从而实现枝晶的外延定向生长，解决镍基单晶高温合金叶片外延生长修复的技术问题。
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公开(公告)号：CN115224227A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210873666.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于准二维钙钛矿薄膜制备技术领域，提供了一种准二维钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将原料分散在极性溶剂中作为制备准二维钙钛矿薄膜的前驱体；将前驱体加热搅拌充分溶解后，移至充满氮气的手套箱中待用；将清洗干净的基底上通过匀胶机分散一层空穴传输材料，随后将基底移至充满氮气的手套箱中待用；将前驱体涂敷于基底上，旋转基底，使前驱体在离心力和重力以及磁力的作下均匀的分布在基底上形成前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行退火处理，使准二维钙钛矿薄膜在基底上生长。本发明还提供了一种根据上述制备方法制备得到的准二维钙钛矿薄膜，晶体沿同一垂直方向排列，有更高的电荷注入效率。
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