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公开(公告)号：CN118407123A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614389.2
申请日：2024-05-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y2O3、Fe2O3、PbO和B2O3，制备时的衬底装夹于夹具上，所述原料中，所述PbO与B2O3的摩尔比的范围为25～35；所述衬底为至少两个，相邻两个衬底的间距≥10mm；采用本发明的方法能够同时生长三片以上100μm石榴石型单晶膜，极大的提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115287759B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210930622.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶，该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，提升了结晶质量与晶体完整性，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸，缺陷少，结晶质量高，能有效地应用于微波器件。
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公开(公告)号：CN117026376A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310989600.4
申请日：2023-08-08
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度石榴石型铁氧体单晶材料，其配方主成分是以摩尔百分比计的如下组分：Fe2O3（20.8～20.2%）、In2O3（0.8～1.4%）、Nd2O3(0.1～0.2%)、Y2O3（8.2‑8.3%），以及助熔剂成分；本发明的石榴石铁氧体单晶材料的饱和磁化强度Ms 147～157 kA/m，温度系数α＜2.0‰/℃，铁磁共振线宽ΔH≤48 A/m，在石榴石型单晶材料体系中具备显著的小线宽、高温度系数、高饱和磁化强度等特性，满足C波段磁调谐滤波器对宽带宽及低损耗的使用要求。
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公开(公告)号：CN115094511B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210616486.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。
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公开(公告)号：CN114737248B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210282043.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
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公开(公告)号：CN119526188A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510063009.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种用于旋磁铁氧体单晶小球抛光的研磨装置，属于脆硬球形材料后加工设备领域，包括研磨腔（3）和抛光轴（1），研磨腔（3）内壁为曲面，研磨腔（3）上端设置有中心开设通孔的研磨盖（2），所述抛光轴（1）伸入研磨腔（3）内底部，所述抛光轴（1）的侧面设置有抛光浆（4），所述抛光浆（4）上开设有轴向V型槽（7）；本发明抛光轴内球体与研磨腔内壁属于点与曲面接触，更容易带动球体作变相对方位研磨运动，使球体表面研磨轨迹分布均匀，从而使小球直径更均匀、圆度更小、光洁度更好，提升小球研磨质量；同时，本发明的结构简单、体积小、使用方便，可用于批量单晶小球抛光。
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公开(公告)号：CN118712690A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410743141.6
申请日：2024-06-11
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种S‑U波段磁调谐带通滤波器谐振耦合电路，属于滤波器技术领域，包括YIG单晶小球、耦合环、耦合孔、小球支撑杆和电缆连接器，所述耦合孔为5个，且所述耦合孔之间相互等间距，相邻两个耦合孔之间的间距与单个耦合孔的孔径之比为1.14:1；本发明通过增加谐振级数、减小耦合电长度，实现最佳耦合匹配，明显提高了S‑U波段磁调谐滤波器的选择性和失谐隔离，而且其插入损耗比4级谐振耦合电路器件的插入损耗只大了约0.5dB，满足了现代电子整机系统对S‑U波段超宽扫频类磁调谐器件的高选择性、高隔离指标要求；并且与S‑Q波段常规四个调试方向相比，减少了调试方向，增加了产品的可生产性。
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公开(公告)号：CN117661119A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311632214.6
申请日：2023-12-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，属于微波铁氧体单晶薄膜制备领域，本发明通过热的偏磷酸进行二次抛光处理，工艺过程可控，易操作效率高，适用于批量制作；另外该方法可实现在保证GGG基片表面平整度同时，能有效均匀去除GGG基片表面加工损伤层，腐蚀去除厚度可到达μm级，消除基片加工缺陷对外延生长的YIG单晶薄膜品质的影响，外延生长的YIG单晶薄膜的铁磁共振线宽减小约30%，显著提升材料的微波性能。
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公开(公告)号：CN117154371A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311271416.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种多晶铁氧体谐振子及其应用，属于磁性器件技术领域：所述多晶铁氧体谐振子为鼓形多晶铁氧体谐振子，由其构成的耦合电路还包括支撑杆和耦合环；其中，所述鼓形多晶铁氧体谐振子的球面与所述支撑杆顶端连接，所述鼓形多晶铁氧体谐振子的两个鼓面对称于所述支撑杆的轴心，并且所述鼓形多晶铁氧体谐振子置于耦合环的中心；本发明解决了多晶小球“频率可调性”问题，有助于多晶谐振子的推广应用；简化了调试方法，有益于提升调试效率与产品指标，有益于增加多晶谐振子的应用与降低成本。
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公开(公告)号：CN119320991A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411348730.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。
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