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公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN117684256A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311462748.9
申请日：2023-11-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。
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公开(公告)号：CN117664521A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311519376.9
申请日：2023-11-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种法拉第旋光片旋转角测试设备，属于旋光片测试领域，包括沿光路依次设置的准直器（1）、电磁铁A（2）、样品测试腔体（3）、电磁铁B（4）和偏振器（5），所述电磁铁A（2）、电磁铁B（4）的磁头中心位置分别设置有通孔，所述准直器（1）的光通路中轴线、通孔中轴线、样品测试腔体（3）中轴线及偏振器（5）通光中轴线重合；所述样品测试腔体（3）内设置有控温系统；本发明可通过固定光路保证测试不受光源影响，实现不同波段样品测试，通过控温系统对样品进行变温测试，实现不同温度下法拉第旋转角的测试；通过伺服单元控制样品测试腔体位置，实现样品法拉第旋转率分布状态测试，提高产品检测工程化能力。
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公开(公告)号：CN117328143A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311215577.X
申请日：2023-09-20
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，所述方法为通过Ge4+离子掺杂并采用PbO助熔剂生长石榴石Bi3‑2x‑yCa2x+yVxFe5‑x‑yGeyO12单晶，本发明制备的Ge：BiCaV铁氧体单晶材料饱和磁化强度可达800~1000 Gs，属于中饱和磁化强度范围，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，铁磁共振线宽小于0.9Oe，可应用于S‑C波段微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN115094511A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210616486.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114737248A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210282043.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
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公开(公告)号：CN119320991A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411348730.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。
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公开(公告)号：CN115287759A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210930622.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种生长大尺寸尖晶石型NiZn铁氧体单晶材料的方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用PbO‑PbF2‑B2O3助熔剂体系生长尖晶石Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶，该方法有效降低了Ni0.6Zn0.4Fe2O4的熔点，避免了晶体中出现包裹物等杂质缺陷，提升了结晶质量与晶体完整性，使晶体尺寸从毫米量级增大到厘米量级；本方法制备出的大尺寸Ni0.6Zn0.4Fe2O4单晶大尺寸，缺陷少，结晶质量高，能有效地应用于微波器件。
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公开(公告)号：CN118407123A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614389.2
申请日：2024-05-17
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y2O3、Fe2O3、PbO和B2O3，制备时的衬底装夹于夹具上，所述原料中，所述PbO与B2O3的摩尔比的范围为25～35；所述衬底为至少两个，相邻两个衬底的间距≥10mm；采用本发明的方法能够同时生长三片以上100μm石榴石型单晶膜，极大的提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118238102A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410191806.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种YIG单晶小球测试治具，属于磁性器件测试领域，包括陶瓷杆、夹板和旋转杆，所述夹板与旋转杆配合后与陶瓷杆连接，所述陶瓷杆的末端设置有用于承载单晶小球的连接部，在所述旋转杆上还设置有用于陶瓷杆限位的限位块，还包括用于带动旋转杆旋转的旋转单元；本发明的治具可以保证被测单晶小球在旋转过程中具有特高的位置度、同轴度；本发明结构简单、成本低廉、安全、可靠性高；能够与自动上下料结合，实现大批量测试，节约操作时间。
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