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公开(公告)号：CN119082871A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411099328.3
申请日：2024-08-12
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN118295159B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410721962.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明公开了一种无胶化法拉第旋光器，属于激光光学无源器件技术领域，包括扇形磁瓦组和用于固定所述扇形磁瓦组的扇形磁瓦固定装置，在所述扇形磁瓦中心位置设置有磁光晶体和用于固定所述磁光晶体的磁光晶体固定装置；本发明解决了因分离式磁体的强磁特性而需磁体胶粘接固定的工艺，且磁光晶体固定方式避免使用有机胶，保证了法拉第旋光器的光路及磁路均无胶化，在特高功率激光辐照下，可避免因胶粘剂升温脆化而产生挥发性物质的风险，在真空环境下具有良好的可靠性、稳定性及使用寿命。
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公开(公告)号：CN117684256A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311462748.9
申请日：2023-11-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种解决异质外延法制备铁氧体单晶膜材料开裂问题的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术领域，制备时采用表面为向外突出的曲面的衬底，所述曲面顶点到水平面的高度为d，0.05≤d≤0.15mm，曲率半径R为540mm～6460mm；本发明将衬底磨抛成特定的曲面，再使用该衬底进行液相外延，从而能够有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，并且本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高。
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公开(公告)号：CN117664521A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311519376.9
申请日：2023-11-15
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种法拉第旋光片旋转角测试设备，属于旋光片测试领域，包括沿光路依次设置的准直器（1）、电磁铁A（2）、样品测试腔体（3）、电磁铁B（4）和偏振器（5），所述电磁铁A（2）、电磁铁B（4）的磁头中心位置分别设置有通孔，所述准直器（1）的光通路中轴线、通孔中轴线、样品测试腔体（3）中轴线及偏振器（5）通光中轴线重合；所述样品测试腔体（3）内设置有控温系统；本发明可通过固定光路保证测试不受光源影响，实现不同波段样品测试，通过控温系统对样品进行变温测试，实现不同温度下法拉第旋转角的测试；通过伺服单元控制样品测试腔体位置，实现样品法拉第旋转率分布状态测试，提高产品检测工程化能力。
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公开(公告)号：CN117328143A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311215577.X
申请日：2023-09-20
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种中饱和磁化强度Ge掺杂BiCaV铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，所述方法为通过Ge4+离子掺杂并采用PbO助熔剂生长石榴石Bi3‑2x‑yCa2x+yVxFe5‑x‑yGeyO12单晶，本发明制备的Ge：BiCaV铁氧体单晶材料饱和磁化强度可达800~1000 Gs，属于中饱和磁化强度范围，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度一致性高，铁磁共振线宽小于0.9Oe，可应用于S‑C波段微波铁氧体器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115094511A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210616486.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。
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公开(公告)号：CN114737248A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210282043.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。
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公开(公告)号：CN119320991A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411348730.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性Ga掺杂YIG单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为采用高温高压光学浮区法生长石榴石Y3Fe5‑xGaxO12单晶，相比于传统助熔剂法，该方法可有效避免元素分凝现象对掺杂均匀性的影响，其制备的Y3Fe5‑xGaxO12单晶材料具有良好的掺杂均匀性，其饱和磁化强度一致性高，几乎不存在梯度分布，可应用于对单晶材料品质要求较高的YIG振荡器、磁光隔离器中。
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公开(公告)号：CN115647618A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211375565.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 西南科技大学 , 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: B23K26/382 , B23K26/402 , B23K26/60 , B24B1/00 , C30B29/28 , C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板上的微孔加工方法，包括；单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板的前处理：将单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板表面打磨抛光、超声清洗和干燥；加工圆形通孔：通过皮秒激光对前处理后的单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行微加工，得到成形的圆形通孔；对加工圆形通孔后的单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行后处理：将单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板进行超声清洗，干燥后完成圆形通孔的微加工。本发明能够对单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜复合基板材料进行微孔加工，加工工艺具有稳定、效率高、精度高等优点，对于解决单晶钇铁石榴石铁氧体厚膜器件加工难及应用研究等问题具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115612988A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211272213.0
申请日：2022-10-18
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，属于磁电薄膜材料技术领域，以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得，本发明制得的薄膜具有结晶程度高，矫顽力低，粗糙度小的优点，从而能够满足后续的新式磁电器件应用需求，提高后续制作的磁致伸缩/压电器件的磁致伸缩能力和磁电耦合系数，满足应用条件。
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