公开(公告)号：CN119615063A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411946833.7

申请日：2024-12-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  冉义师 ,  张铮 ,  张先坤 ,  李瑞山 ,  洪孟羽 ,  张彦哲 ,  刘一禾 ,  姜鹤 ,  曹志宏 ,  贾昊 ,  周燕

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出了一种实现稳定化学计量比的金属氧化物薄膜制备方法，属于纳米级薄膜制备技术领域。本发明以金属氧化物射频磁控溅射靶材为原料，通过射频磁控溅射的方式在预处理的生长衬底上制备金属氧化物薄膜，在射频磁控溅射过程中，所述生长衬底的转速为5‑300r/min，保护气为氩气，流量为10‑80sccm，射频磁控溅射的功率为20‑120W。本发明通过调控气体流量、腔体内部压强、射频磁控溅射功率等核心参数，使得制备的金属氧化物薄膜具有稳定的化学计量比，且薄膜具有高的平整度与均匀性。

公开(公告)号：CN116005262B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310008003.9

申请日：2023-01-04

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘一禾 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  高丽 ,  李瑞山 ,  姜鹤

IPC: C30B29/46 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。

公开(公告)号：CN117737849A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202410110889.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李瑞山 ,  张铮 ,  张先坤 ,  冉义师 ,  张彦哲 ,  上官炜 ,  刘一禾 ,  姜鹤

IPC: C30B28/14 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法，属于二维过渡金属硫族化合物材料生长技术领域，本发明采用两步法CVD生长二维MoTe2，解决了一步法CVD生长二维MoTe2的成核、长大困难等问题，减少了能源损耗，节约了时间成本。通过射频磁控溅射三氧化钼薄膜作为Mo源前驱体，降低了二维MoTe2晶体生长过程中Mo原子单元的晶格形变量，优化了生长产物的晶体质量，并提高了晶体生长速度。本发明所用的生长设备与工艺流程具有高度的工业兼容性，具有优秀的研究成果转化能力和良好的经济效益。

公开(公告)号：CN118390158B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410489372.9

申请日：2024-04-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  姜鹤 ,  张铮 ,  张先坤 ,  陈匡磊 ,  何晓宇 ,  刘一禾 ,  李瑞山 ,  耿宇 ,  陈超

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。

公开(公告)号：CN118390158A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410489372.9

申请日：2024-04-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  姜鹤 ,  张铮 ,  张先坤 ,  陈匡磊 ,  何晓宇 ,  刘一禾 ,  李瑞山 ,  耿宇 ,  陈超

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。

公开(公告)号：CN116005262A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310008003.9

申请日：2023-01-04

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘一禾 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  高丽 ,  李瑞山 ,  姜鹤

IPC: C30B29/46 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。