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公开(公告)号：CN116005262A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310008003.9
申请日：2023-01-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
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公开(公告)号：CN114879002B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210494290.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。
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公开(公告)号：CN113193071A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110465733.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明涉及紫外光电探测器技术领域，具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法；所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底，设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上的电极层；所述电极层为互不相交的两个金属电极，两个金属电极的间隔位置形成氧化锌沟道。进一步地，所述二维氧化锌纳米片层和每个金属电极之间还设置有二维材料层，所述二维材料具有金属性或半金属性。本发明通过利用离子层外延法合成了超薄氧化锌纳米片，设计了一种可通过外界电场调控光电探测器性能的超薄氧化锌紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN113130637A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110394727.2
申请日：2021-04-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
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公开(公告)号：CN109638152B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811426960.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于逻辑运算器领域，涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为：对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护，另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受硫空位调控的影响明显，从而在保护区域和硫空位构筑区域产生了电子浓度差，形成同质结。在原始区域，硫空位构筑区域和同质结区域构筑电极之后便可得到同质结逻辑运算器，避免了复杂范德华异质结堆垛的工艺和不稳定的器件界面和不稳定的P/N掺杂，提供一个简单稳定的同质结逻辑运算器构筑新途径。由于二维过渡金属族硫化物超薄的特性，将在下一代柔性，透明，大规模集成电子器件上面具有极大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108281493B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810011780.8
申请日：2018-01-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。
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公开(公告)号：CN109516493A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811284801.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供自组装离子层外延法低温合成原子层厚氧化锌纳米片的方法，利用互不相溶的两相界面作为生长模板，采用烃基碳链长度在C12-C18之间的脂肪醇硫酸酯盐溶液为阴离子表面活性剂来诱导锌氧交替形核进而形成氧化锌纳米片，将表面活性剂溶液滴加在反应液表面，通过水热反应，表面活性分子的模板吸附作用，在两相界面处自组装外延生长原子层厚的氧化锌纳米片，可实现氧化锌向任意基底的转移。利用此发明，可实现50-70℃下生长尺寸约5-30µm、厚度为1.5-5 nm的氧化锌纳米片，高效稳定的合成对下一代柔性、透明、可穿戴的纳米器件应用具有重大的商业价值和深远的现实意义。
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公开(公告)号：CN116230761B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310174874.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
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公开(公告)号：CN116705889B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310774784.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。
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公开(公告)号：CN112859514B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110310073.0
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。
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