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公开(公告)号：CN119564198A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411852952.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: A61B5/11
Abstract: 本发明提供一种基于柔性力学传感器的可穿戴动作捕捉方法及系统，涉及动作捕捉技术领域。所述一种基于柔性力学传感器的可穿戴动作捕捉方法由柔性力学传感器、信号采集与无线传输单元以及智能分析与交互单元实现；该方法包括：柔性力学传感器实时监测个体关节运动信号，将运动信号传输至信号采集与无线传输单元，获得柔性力学传感器的监测数据；将监测数据传输至智能分析与交互单元中，通过对关节运动幅度以及运动方向进行标定，建立个体运动信号与运动幅度以及运动方向的对应关系，获得标定结果；根据标定结果，利用计算机技术，实现对个体三维运动建模和姿态还原。采用本发明可提高对个体局部运动精细捕捉能力，可提高可穿戴性，增强抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN118390158B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410489372.9
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。
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公开(公告)号：CN119502529A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652266.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
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公开(公告)号：CN119451524A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521799.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法，涉及印刷仿生电子器件的技术领域，本发明旨在解决现有器件性能下降、高材料成本和高毒性的问题，本发明包括有以下步骤：选择衬底，并对所述衬底进行清洗；利用光刻工艺对所述衬底上的栅极、源极以及漏极进行图案化处理；在所述衬底上沉积出栅极、源极以及漏极；将MAX相材料通过湿化学刻蚀结合机械剥离得到少层MXene；通过液相级联离心法得到一定片径尺寸分布的MXene分散液；制备MXene墨水；对衬底的表面进行亲水处理，设置打印参数，将所述MXene墨水在沟道位置打印MXene薄膜；配制电解质溶液，在MXene沟道层、栅极和暴露的衬底上滴铸介质层，所述介质层覆盖沟道层并连接栅极，构筑MXene突触晶体管。
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公开(公告)号：CN119451367A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521532.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共价官能化的MXene人工突触及其制备方法，涉及人工智能的技术领域，本发明旨在解决如何丰富类脑神经芯片的整体特性，推动人工智能技术的问题，本发明包括包括有以下步骤：选择衬底；利用光刻工艺在所述衬底上对栅极、源极以及漏极进行图案化处理，在利用电子束蒸发沉积金属层并剥离得到金属电极图案；利用光刻工艺在衬底上对沟道区域进行图案化处理；将MAX相材料通过原位酸刻蚀结合机械剥离得到少层T i3C2TX MXene；通过涂层工艺在所述衬底上形成均匀的T i3C2TX MXene薄膜，并通过剥离得到沟道区域图案；制备碘鎓盐溶液，制备好的器件浸入到碘鎓盐溶液中使其完成共价官能化；配制电解质溶液，在T i3C2TX MXene沟道层、栅极和暴露的所述衬底上滴铸电解质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119400606A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411533759.6
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯超级电容器及其制造方法，旨在提供一种能够直接在柔性衬底上形成的高功率密度储能设备。通过使用激光直接在聚酰亚胺薄膜上写入，实现了PI到多孔石墨烯的转化，形成具有高表面积的电极。这些电极与导电铜带集成在不锈钢基板上.形成超级电容器层。制造过程包括在两个电极之间插入浸泡在硫酸钠溶液中的微孔聚丙烯分离器，以实现离子交换。
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公开(公告)号：CN119372516A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411532966.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用累积轧制复合法（ARC）制造GNPs/Al纳米复合材料的方法，该方法能够在铝基体中均匀分散GNPs，并形成超细晶粒的Al基体，从而显著提高了复合材料的拉伸强度、延展性和导电性。
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公开(公告)号：CN119366927A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411511835.3
申请日：2024-10-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: A61B5/263 , A61B5/0531
Abstract: 本发明公开了一种多模态生理信号传感器、制备方法及其应用，涉及柔性传感器的技术领域，本发明旨在解决开发新型的多模态生理信号传感器的问题，本发明包括有上封装层、力学传感层、下封装层以及电生理传感层；包括以下步骤：将液态的封装层滴加在目标基底上，然后旋涂获得未固化的封装层薄膜；将力学传感层平整的放置在未固化的封装层薄膜上；将制得的器件在一定温度下真空固化；在固化后的力学传感层表面再次滴加液态封装层，旋涂成未固化的封装层薄膜；将电生理传感层平整的放置到旋涂成的未固化的封装层薄膜上；将制得的器件在一定温度下真空固化；将固化后的器件从目标基底上揭下，即可获得多模态生理信号传感器。
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公开(公告)号：CN118788158A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410883605.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本申请公开了一种用于太阳能界面蒸发的淡化膜及其制备方法。其中，方法包括：制备石墨炔管状结构，然后配置石墨炔管状结构水分散液；将石墨炔管状结构水分散液与聚乙烯醇‑壳聚糖水溶液、碳纳米管水分散液、发泡性溶液混合，获得混合体以及位于混合溶液表层的泡沫状层，然后进行冻干处理，获得干态凝胶；干态凝胶包括凝胶本体以及位于凝胶本体的第一面的改性亲水层，改性亲水层包括泡沫状层；对凝胶本体的第二面进行改性疏水处理，获得改性疏水层，改性疏水层的整体平均亲水性小于凝胶本体的外表面的亲水性，淡化膜包括干态凝胶、改性疏水层。该方法获得的淡化膜运水能力、光吸收能力强，光热转换效率高、稳定性强。
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公开(公告)号：CN118326434A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410316319.9
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B11/054 , C25B1/04
Abstract: 本公开实施例公开了一种镍基电解水催化材料的表面改性方法及电解水催化材料。该方法包括：将待改性的镍基底材料浸入含过渡金属阳离子的第一溶液中进行一次修饰处理，在镍基底材料表面形成层状双氢氧化物；对一次修饰处理后的镍基底材料表面形成的层状双氢氧化物进行等离子刻蚀处理，形成阴阳双空位层状双氢氧化物；将等离子刻蚀处理后的所述阴阳双空位层状双氢氧化物浸入含高价金属阳离子的第二溶液中进行二次修饰处理，形成含高价金属单原子的层状双氢氧化物。该方法具有工艺简单、成本低和稳定性高的优点。
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