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公开(公告)号：CN119400477A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567043.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电电机绕组材料及其制备方法，涉及电机绕组材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯/铜材料的导电性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将浓度为0.1mo l/L的稀盐酸与无水乙醇混合，体积比为1:1，将铜箔置于混合液体中，在20‑40℃下超声清洗10‑30mi n，重复清洗2‑5次，并用氮气吹干表面液体；S2：将吹干后的铜箔置于等离子刻蚀机中，将刻蚀腔内真空度降至10‑5Pa以下后，用氩气对铜箔表面进行等离子刻蚀处理，通入氩气的流量控制在10‑20sccm，刻蚀功率10‑30W，刻蚀时间10‑120s；S3：将步骤S2得到的铜箔堆叠在石墨模具中进行热压烧结，以得到高导电电机绕组材料。
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公开(公告)号：CN118302035A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410547113.7
申请日：2024-05-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2材料的制备方法及忆阻器，涉及半导体的技术领域，本发明旨在解决当前MoS2忆阻器能功耗高、电导态少的问题，本发明的制备方法包括以下步骤：S1、制备单层MoS2；S2、将载有MoS2的硅片置入真空退火炉中，从室温经过60‑120min升到400‑800℃，随后恒温保持0.5‑2h，随后自然冷却到室温取出。本发明的忆阻器包括了由上述制备方法所制备的MoS2材料。
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公开(公告)号：CN119451524A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521799.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法，涉及印刷仿生电子器件的技术领域，本发明旨在解决现有器件性能下降、高材料成本和高毒性的问题，本发明包括有以下步骤：选择衬底，并对所述衬底进行清洗；利用光刻工艺对所述衬底上的栅极、源极以及漏极进行图案化处理；在所述衬底上沉积出栅极、源极以及漏极；将MAX相材料通过湿化学刻蚀结合机械剥离得到少层MXene；通过液相级联离心法得到一定片径尺寸分布的MXene分散液；制备MXene墨水；对衬底的表面进行亲水处理，设置打印参数，将所述MXene墨水在沟道位置打印MXene薄膜；配制电解质溶液，在MXene沟道层、栅极和暴露的衬底上滴铸介质层，所述介质层覆盖沟道层并连接栅极，构筑MXene突触晶体管。
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公开(公告)号：CN119451367A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521532.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共价官能化的MXene人工突触及其制备方法，涉及人工智能的技术领域，本发明旨在解决如何丰富类脑神经芯片的整体特性，推动人工智能技术的问题，本发明包括包括有以下步骤：选择衬底；利用光刻工艺在所述衬底上对栅极、源极以及漏极进行图案化处理，在利用电子束蒸发沉积金属层并剥离得到金属电极图案；利用光刻工艺在衬底上对沟道区域进行图案化处理；将MAX相材料通过原位酸刻蚀结合机械剥离得到少层T i3C2TX MXene；通过涂层工艺在所述衬底上形成均匀的T i3C2TX MXene薄膜，并通过剥离得到沟道区域图案；制备碘鎓盐溶液，制备好的器件浸入到碘鎓盐溶液中使其完成共价官能化；配制电解质溶液，在T i3C2TX MXene沟道层、栅极和暴露的所述衬底上滴铸电解质。
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