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公开(公告)号：CN119615128A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411784874.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/46 , C23C16/26 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种自加热化学气相沉积装置及石墨烯铜导线的制造方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导电制备过程批量化制备过程中生产效率低、石墨烯无序排列的问题，本发明包括有中空设置的铜基材料，所述铜基材料上套设有感应线圈，以用于为所述铜基材料加热，所述感应线圈的两端分别通过连接线连接有电源。
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公开(公告)号：CN119581137A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411773671.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产的问题，本发明包括有以下步骤，S1：取石墨烯包覆铜箔，并将其裁剪后叠层放入真空热压炉中，利用热压工艺将多层石墨烯包覆的铜箔在定制模具中压制成石墨烯铜复合块体；S2：对所述石墨烯铜复合块体进行轧制加工，获得石墨烯铜复合板材；S3：对所述石墨烯铜复合板材进行切割加工，将其切割成石墨烯铜条；S4：对所述石墨烯铜条进行冷拉拔加工，冷拉拔过程中进行中间退火，从而获得石墨烯铜复合导线。
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公开(公告)号：CN119530754A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411681576.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电二硫化钼铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决二硫化钼铜复合材料制备过程中二硫化钼层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上分别沉积多层二硫化钼，以形成单元材料二硫化钼包覆铜箔；S2：将不少于两块的步骤S1中生成的所述二硫化钼包覆铜箔置于热压腔室内的热压模具中，利用叠层热压工艺，将多块所述二硫化钼包覆铜箔热压成型，以制得高导电二硫化钼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119368730A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411537719.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种通过分子级混合工艺和火花等离子烧结(SPS)工艺增强石墨烯/铜纳米复合材料力学性能的方法。该方法旨在解决石墨烯薄片与金属基体之间结合力较弱以及石墨烯在高温加工过程中易损伤的问题。通过在石墨烯薄片上附着官能团，并通过化学反应在石墨烯和铜之间形成化学键，本发明显著提高了石墨烯与铜的结合强度。此外，本发明还提供了一种制备该纳米复合材料的系统，包括化学处理单元、混合单元和烧结单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119553245A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411723520.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决铜层与石墨烯层之间的结合性较差，层间距较大，层间电子传输效果差，阻碍了石墨烯铜复合材料电导率的进一步提升的问题，本发明具体包括有以下步骤S1：准备石墨烯铜箔；S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理；S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料；S4：将所述多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119351982A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411532985.2
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C14/14 , C23C14/30
Abstract: 一种石墨烯‑铜多层复合材料及其制备方法，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术沉积石墨烯层，随后采用电子束沉积技术沉积铜层，并重复这一过程以形成多层结构。石墨烯的体积分数控制在0.007‑0.010%之间，以优化导电性能。本发明的石墨烯‑铜多层复合材料在室温下的电导率达到105.1%IACS，展现出比纯铜基底高出约4.0‑5.0%的导电率，适用于高性能电子设备、电动汽车牵引电机、风力发电机等领域，同时也为发展新型电子器件如传感器、超级电容器提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN118905246A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037075.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的增材制造方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜复合材料制备过程中材料浪费和石墨烯层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉末；S2：SLM式3D打印，将步骤S1中混合后的石墨烯铜混合粉末装入3D打印设备粉仓内，设定激光功率、扫描速度，进行SLM选区激光熔化，并按照计算机生成的预加工件三维模型进行加工，在基板上进行打印；S3：线切割，运用线切割的方式对打印好的石墨烯铜复合材料工件进行线切割，得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118900539A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411037684.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导热导电氮化硼铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决制备出结合良好、高导热导电性能的六方氮化硼铜复合材料的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上沉积多层六方氮化硼以形成单元材料六方氮化硼包覆铜箔；S2：将步骤S1中生成的所述六方氮化硼包覆铜箔置于热压腔室内，并且所述六方氮化硼包覆铜箔不少于两块，将不少于两块的所述六方氮化硼包覆铜箔叠层后放入热压模具中，采用叠层热压工艺，将六方氮化硼包覆铜箔叠层热压成型，以得到高导热导电的氮化硼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119502529A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652266.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
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