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公开(公告)号：CN119400516A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411532955.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01B13/00 , D01F9/12 , C25D21/12 , C25D7/06 , C25D5/54 , C23C16/26 , C23C28/00 , H01B1/04 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供了一种超强石墨烯‑铜芯壳导线的制备方法，该方法显著增强了导线的电气和机械性能。通过化学气相沉积合成超长石墨烯纤维，然后通过电镀方法在GFs上均匀镀上铜层，形成GFs‑Cu核壳结构。该结构不仅提高了导线的机械韧性，还因石墨烯的独特电学和热学特性，将电流密度极限提高了10倍，从而实现了通过GFs‑Cu导线更高效、更可靠地输送电能。
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公开(公告)号：CN119400477A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567043.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电电机绕组材料及其制备方法，涉及电机绕组材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯/铜材料的导电性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将浓度为0.1mo l/L的稀盐酸与无水乙醇混合，体积比为1:1，将铜箔置于混合液体中，在20‑40℃下超声清洗10‑30mi n，重复清洗2‑5次，并用氮气吹干表面液体；S2：将吹干后的铜箔置于等离子刻蚀机中，将刻蚀腔内真空度降至10‑5Pa以下后，用氩气对铜箔表面进行等离子刻蚀处理，通入氩气的流量控制在10‑20sccm，刻蚀功率10‑30W，刻蚀时间10‑120s；S3：将步骤S2得到的铜箔堆叠在石墨模具中进行热压烧结，以得到高导电电机绕组材料。
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公开(公告)号：CN118660618B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411126534.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化还原型人工突触器件及制备方法，器件结构从下到上依次为：ITO底电极、阻变层、固态电解质和顶端活性电极，所述阻变层为小分子胺去掺杂的PEDOT：PSS。本发明基于氧化还原反应所构筑的人工突触器件，实现了正向脉冲器件电导增强、负向脉冲器件电导减弱的特性。且由于氧化还原反应的连续进行，所构筑的器件实现了高动态范围的特性。利用多种表征手段，阐明了氧化还原反应在突触电导变化中的调控机制，推动了氧化还原型人工突触的发展。构筑的突触器件成功实现了多种短期可塑性模拟，包括双脉冲易化、尖峰频率依赖可塑性，尖峰宽度依赖可塑性等。
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公开(公告)号：CN118910548A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037292.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯铜的界面结构进行调控，改善石墨烯铜界面粘附力弱的问题，本发明包括有如下步骤：S1：将石墨烯包覆的铜箔放置进磁控溅射腔室内；S2：以纯铜靶材为铜源，对石墨烯包覆的铜箔进行磁控溅射处理，在石墨烯包覆的铜箔表面溅射一层铜，制成镀铜处理的石墨烯包覆铜箔；S3:将多层步骤S2中制成的所述镀铜处理的石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对镀铜处理的石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118756123A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410808303.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种化学镀制备高导电石墨烯铜复合材料的方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯/铜的界面结构进行调控，以改善石墨烯界面粘附力弱的问题，本发明具有以下步骤：S1：将石墨烯包覆铜箔放入进化学镀槽内，再向化学镀槽内加入化学镀液；S2：采用化学镀工艺，通过步骤S1中所述化学镀液对所述石墨烯包覆铜箔进行化学镀处理，使所述石墨烯包覆铜箔的表面沉积一层铜，以生成镀铜处理石墨烯包覆铜箔；S3：将步骤S2中生成的所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔置于热压腔室内，并将多块所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔多层叠放，利用热压工艺将多层所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔热压成型，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118660618A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411126534.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化还原型人工突触器件及制备方法，器件结构从下到上依次为：ITO底电极、阻变层、固态电解质和顶端活性电极，所述阻变层为小分子胺去掺杂的PEDOT：PSS。本发明基于氧化还原反应所构筑的人工突触器件，实现了正向脉冲器件电导增强、负向脉冲器件电导减弱的特性。且由于氧化还原反应的连续进行，所构筑的器件实现了高动态范围的特性。利用多种表征手段，阐明了氧化还原反应在突触电导变化中的调控机制，推动了氧化还原型人工突触的发展。构筑的突触器件成功实现了多种短期可塑性模拟，包括双脉冲易化、尖峰频率依赖可塑性，尖峰宽度依赖可塑性等。
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公开(公告)号：CN118302035A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410547113.7
申请日：2024-05-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2材料的制备方法及忆阻器，涉及半导体的技术领域，本发明旨在解决当前MoS2忆阻器能功耗高、电导态少的问题，本发明的制备方法包括以下步骤：S1、制备单层MoS2；S2、将载有MoS2的硅片置入真空退火炉中，从室温经过60‑120min升到400‑800℃，随后恒温保持0.5‑2h，随后自然冷却到室温取出。本发明的忆阻器包括了由上述制备方法所制备的MoS2材料。
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公开(公告)号：CN117015297A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310821283.5
申请日：2023-07-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种类电池结构的忆阻突触器件及其构筑方法，涉及电子器件技术领域。本发明类电池结构的忆阻突触器件结构从下到上依次为：ITO底电极、二维层状材料膜层、固态电解质膜层和金属顶电极。本发明制备的二维层状材料/固态电解质类电池结构的忆阻器实现了快速且稳定电导转变，为构筑低能耗人工突触提供了新策略。
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公开(公告)号：CN114812620B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210384320.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于离子传输的自驱动触觉感知器的制备方法。触觉感知器包括：惰性电极、上电解质、纳米纤维间隔、下电解质、活性电极，从上到下依次固定排列。惰性电极和活性电极皆为通过浸涂法构筑的柔性纳米纤维复合导电材料；电解质为离子导电型材料；纳米纤维加工在两层柔性固态电解质之间产生纳米孔洞和间隔。活性电极与惰性电极可在一定条件下发生氧化还原反应，通过压力调控器件的离子输运性能，并将其编码为两个电极间的氧化还原电位差，从而可以产生稳定，可控的电信号输出。该触觉感知器可在不外加电源的情况下产生静态压力感知性能，具有良好的柔性、灵敏度和稳定性，在可穿戴电子器件、人机交互界面与智能机器人等领域具有重要的应用前景。
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