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公开(公告)号：CN118302035A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410547113.7
申请日：2024-05-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MoS2材料的制备方法及忆阻器，涉及半导体的技术领域，本发明旨在解决当前MoS2忆阻器能功耗高、电导态少的问题，本发明的制备方法包括以下步骤：S1、制备单层MoS2；S2、将载有MoS2的硅片置入真空退火炉中，从室温经过60‑120min升到400‑800℃，随后恒温保持0.5‑2h，随后自然冷却到室温取出。本发明的忆阻器包括了由上述制备方法所制备的MoS2材料。
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公开(公告)号：CN119343049A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411236495.8
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫化物的忆阻器及其制备方法，涉及忆阻器的技术领域，本发明旨在解决响应速度慢(ms级)、电导动态范围小、器件易击穿的问题，本发明包括有如下步骤：S1：精准制备出单层MoS2硅片；S2：对步骤S1制备出的所述单层MoS2硅片进行温和可控的缺陷调控；S3：采用所述单层MoS2硅片构筑水平结构的MoS2忆阻器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119343048A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411233048.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种构筑低能耗忆阻器的方法，涉及忆阻器构筑的技术领域，本发明旨在解决如何降低二维材料忆阻器的能耗的问题，本发明包括以下步骤：采用化学气相沉积法在带有300nmSiO2层的硅片上沉积单层MoS2；将沉积单层MoS2的硅片放入真空退火炉中做退火处理，得到二维MoS2材料；利用光刻工艺在新硅片上进行图案化，预制出底电极的位置，通过高真空热蒸镀的方法在预制底电极的位置蒸镀Au的底电极，并同时蒸镀Cr；在所述电极上蒸镀Sb2O3薄膜；将制得的二维MoS2材料通过湿法转移到制得的所述Sb2O3薄膜上，利用电子束曝光方法与刻蚀机刻蚀，将三角形的MoS2刻成条带状；利用热蒸镀方法蒸镀Au作为顶电极，将器件放入真空退火炉中进行退火，最终制成忆阻器。
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公开(公告)号：CN119451524A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521799.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法，涉及印刷仿生电子器件的技术领域，本发明旨在解决现有器件性能下降、高材料成本和高毒性的问题，本发明包括有以下步骤：选择衬底，并对所述衬底进行清洗；利用光刻工艺对所述衬底上的栅极、源极以及漏极进行图案化处理；在所述衬底上沉积出栅极、源极以及漏极；将MAX相材料通过湿化学刻蚀结合机械剥离得到少层MXene；通过液相级联离心法得到一定片径尺寸分布的MXene分散液；制备MXene墨水；对衬底的表面进行亲水处理，设置打印参数，将所述MXene墨水在沟道位置打印MXene薄膜；配制电解质溶液，在MXene沟道层、栅极和暴露的衬底上滴铸介质层，所述介质层覆盖沟道层并连接栅极，构筑MXene突触晶体管。
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公开(公告)号：CN119451367A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521532.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共价官能化的MXene人工突触及其制备方法，涉及人工智能的技术领域，本发明旨在解决如何丰富类脑神经芯片的整体特性，推动人工智能技术的问题，本发明包括包括有以下步骤：选择衬底；利用光刻工艺在所述衬底上对栅极、源极以及漏极进行图案化处理，在利用电子束蒸发沉积金属层并剥离得到金属电极图案；利用光刻工艺在衬底上对沟道区域进行图案化处理；将MAX相材料通过原位酸刻蚀结合机械剥离得到少层T i3C2TX MXene；通过涂层工艺在所述衬底上形成均匀的T i3C2TX MXene薄膜，并通过剥离得到沟道区域图案；制备碘鎓盐溶液，制备好的器件浸入到碘鎓盐溶液中使其完成共价官能化；配制电解质溶液，在T i3C2TX MXene沟道层、栅极和暴露的所述衬底上滴铸电解质。
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