公开(公告)号：CN119343049A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411236495.8

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  于沛霖 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  荀晓晨 ,  宜景悦 ,  张珂语

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫化物的忆阻器及其制备方法，涉及忆阻器的技术领域，本发明旨在解决响应速度慢(ms级)、电导动态范围小、器件易击穿的问题，本发明包括有如下步骤：S1：精准制备出单层MoS2硅片；S2：对步骤S1制备出的所述单层MoS2硅片进行温和可控的缺陷调控；S3：采用所述单层MoS2硅片构筑水平结构的MoS2忆阻器。

公开(公告)号：CN119343048A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411233048.7

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  于沛霖 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  荀晓晨 ,  宜景悦 ,  张珂语

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种构筑低能耗忆阻器的方法，涉及忆阻器构筑的技术领域，本发明旨在解决如何降低二维材料忆阻器的能耗的问题，本发明包括以下步骤：采用化学气相沉积法在带有300nmSiO2层的硅片上沉积单层MoS2；将沉积单层MoS2的硅片放入真空退火炉中做退火处理，得到二维MoS2材料；利用光刻工艺在新硅片上进行图案化，预制出底电极的位置，通过高真空热蒸镀的方法在预制底电极的位置蒸镀Au的底电极，并同时蒸镀Cr；在所述电极上蒸镀Sb2O3薄膜；将制得的二维MoS2材料通过湿法转移到制得的所述Sb2O3薄膜上，利用电子束曝光方法与刻蚀机刻蚀，将三角形的MoS2刻成条带状；利用热蒸镀方法蒸镀Au作为顶电极，将器件放入真空退火炉中进行退火，最终制成忆阻器。