公开(公告)号：CN118150663A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410468945.X

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘菁筱 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  苏兆洋 ,  樊留兵 ,  高放放

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明公开了一种抗氧化生物电极及其制备方法，涉及生物电子传感器的技术领域，本发明旨在解决当前Ti3C2的生物电极接触空气易氧化生成的问题，本发明包括以下步骤：S1、配置Ti3C2分散液；S2、在所述Ti3C2分散液中加入抗坏血酸盐水溶液并进行超声处理；S3、在超声处理后离心并取上层的混合分散夜保存；S4、通过真空抽滤的方法将所述混合分散液抽滤在水系滤膜上，待水全部从水系滤膜中渗出；S5、烘干，并将水系滤膜剥离，得到最终产物。

公开(公告)号：CN118315118A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410468093.4

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  苏兆洋 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  荀晓晨 ,  刘菁筱 ,  宣景悦 ,  张珂语

IPC: H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种高离子迁移率的Nb2C导电材料的制备方法，涉及类脑半导体的技术领域，本发明旨在提出一种降低MXene材料的离子迁移能壁垒的方案。本发明在制备MXene材料的过程中融合了离子插层技术，从而解决了这一技术问题。

公开(公告)号：CN118382350A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410468360.8

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  苏兆洋 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  荀晓晨 ,  刘菁筱 ,  宣景悦 ,  张珂语

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种离子插层的人工突触器件及其制备方法，涉及类脑器件的技术领域，本发明旨在提出一种能耗更低的人工突触器件的技术方案。本发明包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极，所述阻变层为离子插层的Nb2C材料。所述供离子层为Nafion薄膜。

公开(公告)号：CN118340528A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410468566.0

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘菁筱 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  苏兆洋 ,  樊留兵 ,  高放放

IPC: A61B5/263 ,  A61B5/256

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene材料的生物电极及其制备方法，涉及生物电极的技术领域，本发明旨在解决当前生物电极不适用于长时间佩戴监测的问题，本发明包括以下步骤：S1、配置细菌纤维素分散液，通过真空抽滤的方式抽滤到水系滤膜上，待水全部从水系滤膜渗出，得到细菌纤维素骨架；S2、配置MXene分散液，通过真空抽滤的方式抽滤到细菌纤维素骨架上，待水全部从水系滤膜渗出；S3、烘干并剥离水系滤膜，得到基于MXene材料的生物电极。