抗氧化生物电极及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118150663A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410468945.X

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种抗氧化生物电极及其制备方法,涉及生物电子传感器的技术领域,本发明旨在解决当前Ti3C2的生物电极接触空气易氧化生成的问题,本发明包括以下步骤:S1、配置Ti3C2分散液;S2、在所述Ti3C2分散液中加入抗坏血酸盐水溶液并进行超声处理;S3、在超声处理后离心并取上层的混合分散夜保存;S4、通过真空抽滤的方法将所述混合分散液抽滤在水系滤膜上,待水全部从水系滤膜中渗出;S5、烘干,并将水系滤膜剥离,得到最终产物。

    二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件

    公开(公告)号:CN117241661A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311489374.X

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件,涉及二维MXene薄膜的技术领域,本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小,电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基取代原本MXene材料表面的卤族元素端基,使得到的二维MXene薄膜具有均匀的氧族元素端基,从而解决相关问题。

    二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件

    公开(公告)号:CN117241661B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311489374.X

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件,涉及二维MXene薄膜的技术领域,本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小,电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基取代原本MXene材料表面的卤族元素端基,使得到的二维MXene薄膜具有均匀的氧族元素端基,从而解决相关问题。

    基于MXene材料的生物电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN118340528A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410468566.0

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于MXene材料的生物电极及其制备方法,涉及生物电极的技术领域,本发明旨在解决当前生物电极不适用于长时间佩戴监测的问题,本发明包括以下步骤:S1、配置细菌纤维素分散液,通过真空抽滤的方式抽滤到水系滤膜上,待水全部从水系滤膜渗出,得到细菌纤维素骨架;S2、配置MXene分散液,通过真空抽滤的方式抽滤到细菌纤维素骨架上,待水全部从水系滤膜渗出;S3、烘干并剥离水系滤膜,得到基于MXene材料的生物电极。

    一种抗应变干扰型本征可拉伸压力传感阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114563112B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202210068018.X

    申请日:2022-01-20

    Abstract: 本发明提供了一种抗应变干扰型本征可拉伸压力传感阵列及其制备方法,所述本征可拉伸压力传感阵列包括:由上到下依次固定排列的上封装层、图案化电极和柔性基底,所述上封装层与柔性基底为同质低模量的可拉伸材料,所述图案化电极为高模量的可拉伸导电材料,本发明通过器件模量异质结构的设计,使器件面内应变产生重新分布,器件的拉伸形变主要集中在传感阵列之间的低模量区域,而高模量的传感区域并未产生明显的几何形变,从而维持传感区域物理特性的稳定。研制的压力传感阵列能够独立于拉伸应变的干扰准确传感法向压力。该传感阵列具有良好的可穿戴性、适应性与可拓展性,在可穿戴电子器件、人机交互与人工智能等领域具有重要应用前景。

    一种抗应变干扰型本征可拉伸压力传感阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114563112A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210068018.X

    申请日:2022-01-20

    Abstract: 本发明提供了一种抗应变干扰型本征可拉伸压力传感阵列及其制备方法,所述本征可拉伸压力传感阵列包括:由上到下依次固定排列的上封装层、图案化电极和柔性基底,所述上封装层与柔性基底为同质低模量的可拉伸材料,所述图案化电极为高模量的可拉伸导电材料,本发明通过器件模量异质结构的设计,使器件面内应变产生重新分布,器件的拉伸形变主要集中在传感阵列之间的低模量区域,而高模量的传感区域并未产生明显的几何形变,从而维持传感区域物理特性的稳定。研制的压力传感阵列能够独立于拉伸应变的干扰准确传感法向压力。该传感阵列具有良好的可穿戴性、适应性与可拓展性,在可穿戴电子器件、人机交互与人工智能等领域具有重要应用前景。

Patent Agency Ranking