公开(公告)号：CN117241661A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311489374.X

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘亮 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  苏兆洋

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件，涉及二维MXene薄膜的技术领域，本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小，电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基取代原本MXene材料表面的卤族元素端基，使得到的二维MXene薄膜具有均匀的氧族元素端基，从而解决相关问题。

公开(公告)号：CN117241661B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311489374.X

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘亮 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  苏兆洋

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件，涉及二维MXene薄膜的技术领域，本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小，电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基取代原本MXene材料表面的卤族元素端基，使得到的二维MXene薄膜具有均匀的氧族元素端基，从而解决相关问题。

公开(公告)号：CN117238580B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311515648.8

申请日：2023-11-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘亮 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  刘欢 ,  孙嘉彬

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。

公开(公告)号：CN117238580A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311515648.8

申请日：2023-11-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘亮 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  刘欢 ,  孙嘉彬

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。