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公开(公告)号：CN119502529A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652266.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
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公开(公告)号：CN119640359A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411813663.5
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种双相氧化钨薄膜及其制备方法，涉及氧化钨薄膜制备的技术领域，本发明旨在解决现有的薄膜制备过程涉及多个合成步骤且成本高昂，难以大面积扩展的问题，本发明包括有以下步骤：S1：衬底选择与前处理，选择透明导电材料的衬底，将衬底依次在去离子水和乙醇中清洗10mi n，并利用氮气对清洗后的衬底进行吹干；S2：配置电化学沉积溶液；S3：电化学法沉积薄膜；使用步骤S1中的衬底作为工作电极，步骤S2中的沉积溶液作为沉积液，铂片作为对电极，Ag/AgCl作为参比电极，保持工作电极和对电极之间的间距为1.5cm，设定沉积面电流为‑0.1‑1.5mA/cm2，持续0.1‑1s，而后静置0.1‑1s，静置期间，电流保持为0mA/cm2,循环500‑5000次。
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公开(公告)号：CN119541949A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411784665.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产以及石墨烯铜界面破碎的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉料；S2：将步骤S1中的所述石墨烯铜混合粉末装入进铜管内，封盖后焊接密封，以得到石墨烯铜棒；S3：将步骤S2中的所述石墨烯铜棒经过热轧、线切割、拉拔后制得高导电石墨烯铜导线。
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公开(公告)号：CN119459047A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411680462.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B9/04 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导电导热图案化石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯铜复合材料性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将光刻胶涂布于石墨烯包覆铜箔的两侧石墨烯层上，并固化，固化成型后对所述光刻胶进行图案化处理；S2：将步骤S1中的所述石墨烯包覆铜箔放置进光刻机内，按照图案化的光刻胶对石墨烯层进行刻蚀，去除光刻胶层，制得图案化石墨烯包覆铜箔；S3：将多块步骤S2中制得的所述图案化石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对所述图案化石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电导热石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119615128A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411784874.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/46 , C23C16/26 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种自加热化学气相沉积装置及石墨烯铜导线的制造方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导电制备过程批量化制备过程中生产效率低、石墨烯无序排列的问题，本发明包括有中空设置的铜基材料，所述铜基材料上套设有感应线圈，以用于为所述铜基材料加热，所述感应线圈的两端分别通过连接线连接有电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119581137A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411773671.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产的问题，本发明包括有以下步骤，S1：取石墨烯包覆铜箔，并将其裁剪后叠层放入真空热压炉中，利用热压工艺将多层石墨烯包覆的铜箔在定制模具中压制成石墨烯铜复合块体；S2：对所述石墨烯铜复合块体进行轧制加工，获得石墨烯铜复合板材；S3：对所述石墨烯铜复合板材进行切割加工，将其切割成石墨烯铜条；S4：对所述石墨烯铜条进行冷拉拔加工，冷拉拔过程中进行中间退火，从而获得石墨烯铜复合导线。
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公开(公告)号：CN119530754A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411681576.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电二硫化钼铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决二硫化钼铜复合材料制备过程中二硫化钼层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上分别沉积多层二硫化钼，以形成单元材料二硫化钼包覆铜箔；S2：将不少于两块的步骤S1中生成的所述二硫化钼包覆铜箔置于热压腔室内的热压模具中，利用叠层热压工艺，将多块所述二硫化钼包覆铜箔热压成型，以制得高导电二硫化钼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119553245A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411723520.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决铜层与石墨烯层之间的结合性较差，层间距较大，层间电子传输效果差，阻碍了石墨烯铜复合材料电导率的进一步提升的问题，本发明具体包括有以下步骤S1：准备石墨烯铜箔；S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理；S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料；S4：将所述多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118905246A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037075.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的增材制造方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜复合材料制备过程中材料浪费和石墨烯层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉末；S2：SLM式3D打印，将步骤S1中混合后的石墨烯铜混合粉末装入3D打印设备粉仓内，设定激光功率、扫描速度，进行SLM选区激光熔化，并按照计算机生成的预加工件三维模型进行加工，在基板上进行打印；S3：线切割，运用线切割的方式对打印好的石墨烯铜复合材料工件进行线切割，得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118900539A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411037684.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导热导电氮化硼铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决制备出结合良好、高导热导电性能的六方氮化硼铜复合材料的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上沉积多层六方氮化硼以形成单元材料六方氮化硼包覆铜箔；S2：将步骤S1中生成的所述六方氮化硼包覆铜箔置于热压腔室内，并且所述六方氮化硼包覆铜箔不少于两块，将不少于两块的所述六方氮化硼包覆铜箔叠层后放入热压模具中，采用叠层热压工艺，将六方氮化硼包覆铜箔叠层热压成型，以得到高导热导电的氮化硼铜复合材料。
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