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公开(公告)号：CN119640359A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411813663.5
申请日：2024-12-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种双相氧化钨薄膜及其制备方法，涉及氧化钨薄膜制备的技术领域，本发明旨在解决现有的薄膜制备过程涉及多个合成步骤且成本高昂，难以大面积扩展的问题，本发明包括有以下步骤：S1：衬底选择与前处理，选择透明导电材料的衬底，将衬底依次在去离子水和乙醇中清洗10mi n，并利用氮气对清洗后的衬底进行吹干；S2：配置电化学沉积溶液；S3：电化学法沉积薄膜；使用步骤S1中的衬底作为工作电极，步骤S2中的沉积溶液作为沉积液，铂片作为对电极，Ag/AgCl作为参比电极，保持工作电极和对电极之间的间距为1.5cm，设定沉积面电流为‑0.1‑1.5mA/cm2，持续0.1‑1s，而后静置0.1‑1s，静置期间，电流保持为0mA/cm2,循环500‑5000次。
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