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公开(公告)号：CN119502529A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411652266.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法，涉及金属基复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：原材料选择；选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体，选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材；S2：沉积金属；利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层，得到被异质金属层包裹的所述基体；S3：沉积金属预处理；对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理，得到结晶度高的异质金属镀层；S4：将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来，构建利于导电的界面结构，再通过真空热压成型工艺，制备得到高导电的石墨烯铜块材料。
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公开(公告)号：CN119541949A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411784665.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产以及石墨烯铜界面破碎的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉料；S2：将步骤S1中的所述石墨烯铜混合粉末装入进铜管内，封盖后焊接密封，以得到石墨烯铜棒；S3：将步骤S2中的所述石墨烯铜棒经过热轧、线切割、拉拔后制得高导电石墨烯铜导线。
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公开(公告)号：CN119459047A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411680462.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B9/04 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导电导热图案化石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯铜复合材料性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将光刻胶涂布于石墨烯包覆铜箔的两侧石墨烯层上，并固化，固化成型后对所述光刻胶进行图案化处理；S2：将步骤S1中的所述石墨烯包覆铜箔放置进光刻机内，按照图案化的光刻胶对石墨烯层进行刻蚀，去除光刻胶层，制得图案化石墨烯包覆铜箔；S3：将多块步骤S2中制得的所述图案化石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对所述图案化石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电导热石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119400477A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567043.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电电机绕组材料及其制备方法，涉及电机绕组材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯/铜材料的导电性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将浓度为0.1mo l/L的稀盐酸与无水乙醇混合，体积比为1:1，将铜箔置于混合液体中，在20‑40℃下超声清洗10‑30mi n，重复清洗2‑5次，并用氮气吹干表面液体；S2：将吹干后的铜箔置于等离子刻蚀机中，将刻蚀腔内真空度降至10‑5Pa以下后，用氩气对铜箔表面进行等离子刻蚀处理，通入氩气的流量控制在10‑20sccm，刻蚀功率10‑30W，刻蚀时间10‑120s；S3：将步骤S2得到的铜箔堆叠在石墨模具中进行热压烧结，以得到高导电电机绕组材料。
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公开(公告)号：CN118910548A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037292.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯铜的界面结构进行调控，改善石墨烯铜界面粘附力弱的问题，本发明包括有如下步骤：S1：将石墨烯包覆的铜箔放置进磁控溅射腔室内；S2：以纯铜靶材为铜源，对石墨烯包覆的铜箔进行磁控溅射处理，在石墨烯包覆的铜箔表面溅射一层铜，制成镀铜处理的石墨烯包覆铜箔；S3:将多层步骤S2中制成的所述镀铜处理的石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对镀铜处理的石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118756123A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410808303.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种化学镀制备高导电石墨烯铜复合材料的方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯/铜的界面结构进行调控，以改善石墨烯界面粘附力弱的问题，本发明具有以下步骤：S1：将石墨烯包覆铜箔放入进化学镀槽内，再向化学镀槽内加入化学镀液；S2：采用化学镀工艺，通过步骤S1中所述化学镀液对所述石墨烯包覆铜箔进行化学镀处理，使所述石墨烯包覆铜箔的表面沉积一层铜，以生成镀铜处理石墨烯包覆铜箔；S3：将步骤S2中生成的所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔置于热压腔室内，并将多块所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔多层叠放，利用热压工艺将多层所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔热压成型，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119553245A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411723520.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决铜层与石墨烯层之间的结合性较差，层间距较大，层间电子传输效果差，阻碍了石墨烯铜复合材料电导率的进一步提升的问题，本发明具体包括有以下步骤S1：准备石墨烯铜箔；S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理；S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料；S4：将所述多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118905246A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037075.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的增材制造方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜复合材料制备过程中材料浪费和石墨烯层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉末；S2：SLM式3D打印，将步骤S1中混合后的石墨烯铜混合粉末装入3D打印设备粉仓内，设定激光功率、扫描速度，进行SLM选区激光熔化，并按照计算机生成的预加工件三维模型进行加工，在基板上进行打印；S3：线切割，运用线切割的方式对打印好的石墨烯铜复合材料工件进行线切割，得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118900539A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411037684.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种高导热导电氮化硼铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决制备出结合良好、高导热导电性能的六方氮化硼铜复合材料的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上沉积多层六方氮化硼以形成单元材料六方氮化硼包覆铜箔；S2：将步骤S1中生成的所述六方氮化硼包覆铜箔置于热压腔室内，并且所述六方氮化硼包覆铜箔不少于两块，将不少于两块的所述六方氮化硼包覆铜箔叠层后放入热压模具中，采用叠层热压工艺，将六方氮化硼包覆铜箔叠层热压成型，以得到高导热导电的氮化硼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119615128A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411784874.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/46 , C23C16/26 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种自加热化学气相沉积装置及石墨烯铜导线的制造方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导电制备过程批量化制备过程中生产效率低、石墨烯无序排列的问题，本发明包括有中空设置的铜基材料，所述铜基材料上套设有感应线圈，以用于为所述铜基材料加热，所述感应线圈的两端分别通过连接线连接有电源。
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