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公开(公告)号：CN112418030B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011254896.8
申请日：2020-11-11
IPC: G06V40/10 , G06V10/30 , G06V10/77 , G06V10/764 , G06K9/62
Abstract: 本发明提供一种基于三维点云坐标的头面部号型分类方法，其包括步骤1：采集头面部三维点云数据；步骤2：定义关键参数，得到关键点半径；步骤3：数据处理，得到最终的头面部数据模型；步骤4：根据最终的头面部数据模型，利用主成分分析完成头部号型分类；所述步骤3包括：步骤31：对采集的头面部三维点云数据去噪；步骤32：对去噪后的点云数据，进行数据模型各网格顶点坐标调整；步骤33：补洞；步骤34：光顺。本发明根据三维扫描获得的点云数据，全面考虑了头面部的形状信息和曲面信息；通过选择数据处理模板完成数据处理过程，具有数据修复和降噪效果，提高分析效率；同时创造性地针对点云坐标进行主成分分析，提高了头部号型分类的准确度。
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公开(公告)号：CN102129863B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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公开(公告)号：CN112418030A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011254896.8
申请日：2020-11-11
Abstract: 本发明提供一种基于三维点云坐标的头面部号型分类方法，其包括步骤1：采集头面部三维点云数据；步骤2：定义关键参数，得到关键点半径；步骤3：数据处理，得到最终的头面部数据模型；步骤4：根据最终的头面部数据模型，利用主成分分析完成头部号型分类；所述步骤3包括：步骤31：对采集的头面部三维点云数据去噪；步骤32：对去噪后的点云数据，进行数据模型各网格顶点坐标调整；步骤33：补洞；步骤34：光顺。本发明根据三维扫描获得的点云数据，全面考虑了头面部的形状信息和曲面信息；通过选择数据处理模板完成数据处理过程，具有数据修复和降噪效果，提高分析效率；同时创造性地针对点云坐标进行主成分分析，提高了头部号型分类的准确度。
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公开(公告)号：CN101840993B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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公开(公告)号：CN102129863A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119400516A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411532955.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01B13/00 , D01F9/12 , C25D21/12 , C25D7/06 , C25D5/54 , C23C16/26 , C23C28/00 , H01B1/04 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供了一种超强石墨烯‑铜芯壳导线的制备方法，该方法显著增强了导线的电气和机械性能。通过化学气相沉积合成超长石墨烯纤维，然后通过电镀方法在GFs上均匀镀上铜层，形成GFs‑Cu核壳结构。该结构不仅提高了导线的机械韧性，还因石墨烯的独特电学和热学特性，将电流密度极限提高了10倍，从而实现了通过GFs‑Cu导线更高效、更可靠地输送电能。
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公开(公告)号：CN101840993A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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公开(公告)号：CN119400606A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411533759.6
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯超级电容器及其制造方法，旨在提供一种能够直接在柔性衬底上形成的高功率密度储能设备。通过使用激光直接在聚酰亚胺薄膜上写入，实现了PI到多孔石墨烯的转化，形成具有高表面积的电极。这些电极与导电铜带集成在不锈钢基板上.形成超级电容器层。制造过程包括在两个电极之间插入浸泡在硫酸钠溶液中的微孔聚丙烯分离器，以实现离子交换。
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公开(公告)号：CN308439279S
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202330348100.3
申请日：2023-06-07
Applicant: 北京科技大学天津学院
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：物理震动频率检测仪。
2.本外观设计产品的用途：用于物理实验中各实验物体的震动频率检测对比。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
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