公开(公告)号：CN101840993B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201010168882.4

申请日：2010-05-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 姜勇 ,  张德林 ,  苗君 ,  张欣 ,  王义虎 ,  徐晓光 ,  李智 ,  党文龙 ,  陈兴武

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。

公开(公告)号：CN101840993A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010168882.4

申请日：2010-05-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 姜勇 ,  张德林 ,  苗君 ,  张欣 ,  王义虎 ,  徐晓光 ,  李智 ,  党文龙 ,  陈兴武

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。