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公开(公告)号：CN119308008A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411299805.0
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请涉及薄膜材料外延生长领域，尤其涉及一种用于提升液相外延薄膜质量的石墨舟及方法，该石墨舟包括底托、滑条、母液槽和滑动上盖，其中，所述底托，为包围结构，用于支撑所述滑条、所述母液槽和所述滑动上盖；所述滑条，位于所述底托内，用于装载衬底；所述母液槽，位于所述滑条上方，且位于所述底托内，与所述底托固定；所述滑动上盖，位于所述母液槽上方，且位于所述底托内，用于密封。通过本发明制备出表面光亮、无宏观波纹的碲镉汞薄膜，可有效降低后续器件工艺的难度，解决了因厚度均匀性不佳造成的互联失效、底纹等一系列问题，对器件性能的提升有较大贡献。
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公开(公告)号：CN119194590A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411160436.7
申请日：2024-08-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于金刚石薄膜制备技术领域，涉及一种用于提高金刚石薄膜沉积速率的液相脉冲辉光放电装置，包括：微波谐振反应腔，其左右两端分别连接进气口、压力表及出气口、真空泵；腔体上部设置一高功率双极脉冲辉光放电电源，两极分别连接阴、阳极升降杆，通过一绝缘升降系统控制阴、阳极的上下移动；内部设有一液相反应容器，容器底部放置微波电极，与腔体下端的微波产生系统相连接。与传统气体反应腔相比，液相反应前驱体具有更高的等离子密度，沉积薄膜质量更好且具有更高的沉积速率，通过施加脉冲电源的阴阳极及辅助微波电极辉光放电产生高密度等离子区，加速液体中分子的运动速度和碰撞离化效率，能够有效实现金刚石薄膜的高速沉积。
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公开(公告)号：CN117947518A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311817870.3
申请日：2023-12-27
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置和方法。所述装置包括石墨坩埚和石墨环；石墨坩埚由上至下包括沿石墨坩埚内壁周向延伸的第一圆筒和第二圆筒，第一圆筒的内径大于第二圆筒，第一圆筒和第二圆筒的连接处形成环状台阶；石墨环位于石墨坩埚内且沿石墨坩埚内壁周向延伸，并且在碳化硅晶体生长完成后能够被环状台阶支撑。本发明的装置和方法可以避免长时间长晶产生的坩埚熔穿问题，可以实现长时间稳定地生长晶体，并且可实现对石墨坩埚和原料的重复利用，有效地降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117568920A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311516809.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种自动化补料装置、晶体生长装置及晶体生长方法。自动化补料装置在碳化硅晶体生长过程中通过液面高度检测控制结构检测石墨坩埚内的碳化硅溶液液面高度，根据碳化硅溶液液面高度相对于设定液面生长高度，通过自动化补料结构向石墨坩埚中添加或者停止添加硅原料，从而在不打开坩埚的条件下，维持碳化硅溶液体系的一致性，保证了碳化硅晶体生长条件的稳定，实现碳化硅晶体的稳定生长。同时，通过液面高度检测控制结构的触点高度和籽晶轴高度的控制，控制碳化硅溶液液面高度使得碳化硅溶液液面与碳化硅晶体接触处的弯月面高度保持于一定范围内，避免弯月面的高度变化对碳化硅晶体生长产生影响。
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公开(公告)号：CN116417387A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310288098.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 浙江求是半导体设备有限公司
IPC: H01L21/677 , C30B25/12 , C30B19/06 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种自动取放晶圆装置和外延设备，自动取放晶圆装置包括：晶圆抓取组件、装载室组件和传送室组件，晶圆抓取组件包括第一机械手，托盘设在装载室组件的装载腔内。传送室组件包括传送室、中转盒、第二机械手，传送室具有传送腔，中转盒具有中转腔，第二机械手用于将托盘上的晶圆取至传送腔内，并传送至中转腔，还用于从反应室中取出反应完成的晶圆并传送至托盘上，以及用于将中转腔中待反应的晶圆传送至反应室。本发明提供的自动取放晶圆装置实现了从取片到放片过程的全自动化，大大节省了人力成本，提高了单机工作效率，避免了人工操作失误，提高了外延反应的精确性和可靠性，有利于大批量生产时的产品良率和一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114150367B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111419691.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高温合金相关技术领域，并公开了一种高温合金单晶缺陷的激光熔覆修复方法及修复系统。该方法包括下列步骤：S1对于材料为高温合金单晶的待修复对象，确定该待修复对象的 晶向；S2在待修复对象上待修复处开槽，利用金属粉末进行激光熔覆逐层填补该槽，以此实现待修复对象的修复，其中，在激光熔覆过程中，离轴热流方向垂直与所述槽中坡面内表面，且所述离轴热流方向与 中角度最近的晶向的夹角不超过30°，以此抑制修复过程中杂晶的生长。本发明还公开了上述修复方法所采用的修复系统。通过本发明，解决高温合金单晶修复过程中易于产生杂晶和裂纹的问题。
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公开(公告)号：CN116103751A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310308121.1
申请日：2022-06-07
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体制备装置，用于液相法制备晶体，该装置包括：生长腔体，生长腔体内设置至少一层板组件，其中，至少一层板组件上包括通孔；通孔的密度自板组件的中心至边缘逐渐降低；加热组件，用于加热生长腔体；连接组件，用于连接籽晶托以支撑籽晶；以及动力组件，用于带动连接组件旋转和/或上下运动，以带动籽晶托旋转和/或上下运动。
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公开(公告)号：CN115874277A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211499166.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 武汉高芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜材料的外延生长技术领域，具体涉及一种改善水平液相外延生长薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法，通过采用本发明提供的石墨舟以及外延薄膜的生长方法，能够消除水平液相外延制备薄膜材料过程中由于溶质对流以及汞压差异导致外延生长的薄膜材料出现宏观波纹缺陷，提高薄膜材料厚度以及组分的均匀性及平整度，改善探测器成像“鬼影”现象。
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公开(公告)号：CN115726027A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211499167.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 武汉高芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及薄膜材料的液相外延生长的技术领域，具体为一种垂直液相外延石墨舟及采用其实现外延的方法，石墨舟包括：样品架、搅拌杆、搅拌底座、坩埚，能提高外延材料均匀性、减少表面缺陷，能够减少母液不均匀带来的外延成分及厚度差异，避免衬底高温下表面层融化于母液，造成母液成分的改变。在保证外延厚度、组分均匀性的同时，可有效减少外延碳沾污缺陷，有效提高批产良率。
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公开(公告)号：CN115467015A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211270272.4
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。
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