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公开(公告)号：CN117230524A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311430541.3
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种采用提拉法控制晶体生长直径的装置，包括保温层，保温层内设置有坩埚，保温层外侧设置有加热线圈，保温层的顶部穿设有籽晶生长穿孔，保温层的上方设置有旋转驱动装置，旋转驱动装置安装在能够沿竖直方向进行移动的升降装置上，旋转驱动装置的下端伸出有旋转轴，旋转轴的下端连接有旋转动能测试装置，旋转动能测试装置的下端连接有籽晶杆，籽晶杆能够向下伸入至坩埚内，其使用简单方便，成本造价低，使用寿命长。本发明还公开一种采用提拉法控制晶体生长直径的方法，利用上述装置，通过动能的变化趋势，有效的反应出晶体生长的直径状态，进而达到控制晶体生长的效果。
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公开(公告)号：CN109502628A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811635107.8
申请日：2018-12-29
申请人： 厦门中烁光电科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： C01F17/00
CPC分类号： C01F17/0056 , C01P2004/80 , C01P2006/80 , C01P2006/82
摘要： 本发明提供了一种无水掺铈溴化镧的制备方法，包括：(1)使铈源和镧源在溴离子存在下进行反应；(2)使步骤(1)得到的反应产物熔融、冷却，得到无水掺铈溴化镧；其中，步骤(1)和步骤(2)在保护气氛或真空条件下进行。本发明提供了一种无水掺铈溴化镧，其水含量低于100ppm。本发明的制备方法有效避免了固体与固体混合不均匀的问题，并且操作步骤简单，反应条件易达成，生产成本低。本发明的无水掺铈溴化镧可直接用于掺铈溴化镧闪烁晶体生长，得到晶体铈分布均匀，性能更加优异。
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公开(公告)号：CN115467015B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211270272.4
申请日：2022-10-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。
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公开(公告)号：CN117512770A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480681.1
申请日：2023-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种光纤晶体生长用辅助机构、光纤晶体生长系统及方法，该辅助机构包括激光发光管和光通量收集器，所述激光发光管和光通量收集器位于待生长光纤晶体相对的两侧，所述激光发光管用于发射激光；所述光通量收集器用于接收光通量；光通量收集器和待生长光纤晶体之间设有窄缝板，所述窄缝板侧立设置，且窄缝板中心设有矩形缝隙，便于调节光通量大小，激光发光管、窄缝板和光通量收集器的中轴线位于同一直线。本发明能有效提高光纤晶体的等径度，提高光纤晶体生长质量，降低工作人员的工作强度。
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公开(公告)号：CN116974001A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310784342.6
申请日：2023-06-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种超长单晶光纤的制备装置，包括加热装置、送料装置、退火装置、导向装置和张紧收纳装置；加热装置包括激光发射装置、束变环装置及环状聚焦装置，环状聚焦装置能够将空心环状光束聚焦在环状聚焦装置的下方；送料装置包括光纤原料棒和与光纤原料棒固定且能够驱动光纤原料棒沿竖直方向进行移动的供料装置，光纤原料棒位于环状聚焦装置的下方；导向装置位于环状聚焦装置上方且能够对光纤和籽晶进行夹持驱动上移或下移；退火装置位于环状聚焦装置的聚焦点处与导向装置之间的位置且用于对单晶光纤进行退火处理；张紧收纳装置能够对单晶光纤进行缠卷收纳。本发明通过对光纤原料棒的顶部进行升温加热，实现籽晶的接种以单晶光纤的生长。
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公开(公告)号：CN104088012A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410372157.7
申请日：2014-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种直接生长蓝宝石整流罩的设备，包括机架、炉体、坩埚、以及毛细管导模，在机架的下方设有一旋转组件，所述旋转组件包括固定架、旋转电机以及传动杆，通过该旋转电机能够带动坩埚转动；在炉体上方设有一支架，在支架上设有一纵向移动机构和横向移动机构，所述横向移动机构与纵向移动机构相连，在横向移动机构上设有一力矩电机，在力矩电机的输出轴上设有一籽晶杆固定架，所述毛细管导模竖直设于炉体内，并通过固定夹具安装于坩埚上，其下端伸入坩埚内；在炉体顶部设有一供籽晶杆穿过的通孔，且籽晶杆能够在该通孔内横向移动。本发明能够有效降低加工难度，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104088010A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410373898.7
申请日：2014-07-31
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种直接成型蓝宝石整流罩的方法，其具体加工步骤如下：1)在坩埚内加入蓝宝石晶体原料；2)使籽晶杆的轴心线与毛细管导模的轴心线重合，并与毛细管导模的上端具有30—50mm的间隙；3)通过控制系统控制炉体进行加热，直至坩埚内的蓝宝石晶体原料熔化，蓝宝石熔液随毛细管导模向上移动至籽晶杆的下端；4)通过坩埚旋转机构带动坩埚旋转，同时通过竖移机构向上提拉籽晶杆，并通过转动机构带动籽晶杆绕其轴心线转动；5)直到整流罩成型后，后对炉体进行降温，待降温后将整流罩与籽晶杆一起取下；最后将整流罩从籽晶杆上取下，进行后续打磨处理。本发明能够有效降低加工难度，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN115261975B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210962186.3
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度梯度动态可调节的人工晶体生长温场结构及温场调节方法，包括炉体和位于炉体内的坩埚，在炉体内位于坩埚所在位置周围设有加热线圈，在加热线圈和坩埚之间设有温度调节机构，温度调节机构包括屏蔽环、调节杆和驱动装置，屏蔽环安装在调节杆上端并围绕坩埚周围设置，驱动装置位于炉体外并与调节杆下端连接以通过调节杆驱动屏蔽环上下运动；通过改变屏蔽环所处不同高度以选择性地遮挡坩埚从而屏蔽加热线圈的电涡流对坩埚的作用，以在坩埚被遮挡区域形成相对低温区。本发明能够实现晶体生长过程中晶体生长区域位置温度梯度全域动态可调，具有大幅度、平稳调节的功能。
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公开(公告)号：CN115261975A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210962186.3
申请日：2022-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种温度梯度动态可调节的人工晶体生长温场结构及温场调节方法，包括炉体和位于炉体内的坩埚，在炉体内位于坩埚所在位置周围设有加热线圈，在加热线圈和坩埚之间设有温度调节机构，温度调节机构包括屏蔽环、调节杆和驱动装置，屏蔽环安装在调节杆上端并围绕坩埚周围设置，驱动装置位于炉体外并与调节杆下端连接以通过调节杆驱动屏蔽环上下运动；通过改变屏蔽环所处不同高度以选择性地遮挡坩埚从而屏蔽加热线圈的电涡流对坩埚的作用，以在坩埚被遮挡区域形成相对低温区。本发明能够实现晶体生长过程中晶体生长区域位置温度梯度全域动态可调，具有大幅度、平稳调节的功能。
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