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公开(公告)号：CN119929812A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510064029.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种两步法热处理白炭黑制备高纯度非晶石英砂的方法，包括步骤：S1，将白炭黑粉末在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯白炭黑粉末；S2，将高纯白炭黑粉末压制成白炭黑块体；S3，预升温加热白炭黑块体，去除其中残留的水分、羟基基团和碳基杂质，得到除羟后的样品；S4，对除羟后的样品进行先高温再低温的两步法热处理，冷却得到高致密石英块；两步法热处理中，先高温指先加热到1200℃，再低温指加热到1200℃后无保温过程直接降温至1000～1100℃保温2～10h；S5，将高致密石英块破碎得到高纯度非晶石英砂。
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公开(公告)号：CN119873846A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510260950.6
申请日：2025-03-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法，包括：对SiO2凝胶进行一次或反复多次的加水‑超声分散形成溶胶‑负压旋蒸至凝胶的操作，得到洗涤后的SiO2凝胶；洗涤后的SiO2凝胶减压干燥，得到SiO2颗粒；取粒径0.2～0.45微米的SiO2颗粒于300～600℃煅烧除氯。本发明具有工艺简单、易操作、低成本和无污染等优点，且极大的降低了SiO2干燥过程对设备的腐蚀。经本发明方法得到的合成SiO2中氯含量最低值可达17.05ppm，满足多种领域应用。
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公开(公告)号：CN119390344A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411435774.7
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C03C1/02
Abstract: 本发明公开了一种白炭黑制备高纯合成石英砂的方法。该方法包括步骤：S1，将白炭黑在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯SiO2粉末；S2，高温处理高纯SiO2粉末，去除其中残留的水分和羟基基团；S3，将步骤S2处理产物破碎成粉末后压制成块体；S4，将步骤S3得到的块体经两步煅烧法进行致密化热处理，首先加热到较低温度t1保温较短时间，然后升温至较高温度t2保温较长时间，冷却后得到高致密石英块；t1选自1100～1200℃，t1保温时间为1～2h；t2选自1300～1500℃，t2保温时间为2～10h；S5，将高致密石英块破碎，得到高致密度的高纯石英砂。
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公开(公告)号：CN114754910B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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公开(公告)号：CN119061472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411571341.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法及碳化硅外延生长装置，用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法对安装在外延炉的炉腔内的石墨件进行清洗，所述炉腔具有进气口和尾气出口，所述清洗方法包括：通过所述进气口往所述外延炉的所述炉腔持续通入碱蒸气。本申请的清洗方法无需将石墨件从外延炉中拆下，可直接在原位对石墨件进行清洗，免去了拆卸及安装石墨件的步骤，非常方便，且显著提高了工艺稳定性，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114518070B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
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公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118338770A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118064967B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN117861859A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311806147.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种石英砂反浮选组合药剂及其应用，属于石英砂加工技术领域，该石英砂反浮选组合药剂按照重量份数计，包括如下组份：十二酰胺1‑1.5份，异羟肟酸2‑3份，非离子表面活性剂1‑1.5份；异羟肟酸可与伴生矿物表面杂质金属离子螯合，附着于矿粒表面并使其疏水，此外，十二酰胺与异羟肟酸发生静电吸附，导致十二酰胺穿插吸附，并结合异羟肟酸未配对的矿粒螯合位点，提高伴生矿物捕获效率，达到高效反浮选石英砂的目的；本发明还公开了一种利用所述的石英砂反浮选组合药剂进行石英砂反浮选的方法；本发明提供的石英砂反浮选组合药剂以及石英砂反浮选方法具有操作安全系数高、环境友好、浮选效果好的优点。
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